公开(公告)号：CN1244121C

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN01139500.1

申请日：2001-11-27

Applicant: 惠普公司

Inventor： H·-P·顾 ,  H·比雷基 ,  S·-T·林 ,  S·L·纳伯惠斯

IPC: H01J1/30 ,  H01J3/02 ,  G11B9/10 ,  H01L27/10

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11B9/10 ,  G11B9/1409 ,  H01J3/02 ,  H01J2201/308

Abstract: 电子源(102)包括：活性衬底(104)；在该衬底上的一层，这一层包括平面的多孔硅电子发射区(114)；在该层表面上的形成图案的掩膜，在该形成图案的掩膜中的开孔限定了该发射区；以及用于该发射区的聚焦结构(118，120)。

公开(公告)号：CN104795293A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201410024418.6

申请日：2014-01-20

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 柳鹏 ,  李德杰 ,  张春海 ,  周段亮 ,  杜秉初 ,  范守善

IPC: H01J1/308

CPC classification number: H01J29/04 ,  H01J31/12 ,  H01J2201/3125 ,  H01J1/308 ,  H01J2201/308

Abstract: 本发明涉及一种电子发射源，包括：依次层叠设置的第一电极、一半导体层、一绝缘层以及一第二电极，所述第一电极作为该电子发射源的电子发射端，其特征在于，所述半导体层具有多个孔洞间隔设置，所述第一电极为一碳纳米管层，该碳纳米管层在对应多个孔洞位置处悬空设置。

公开(公告)号：CN1372290A

公开(公告)日：2002-10-02

申请号：CN01139500.1

申请日：2001-11-27

Applicant: 惠普公司

Inventor： H·P·顾 ,  H·比雷基 ,  S·T·林 ,  S·L·纳伯惠斯

IPC: H01J1/30 ,  H01J3/02 ,  G11B9/10 ,  H01L27/10

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11B9/10 ,  G11B9/1409 ,  H01J3/02 ,  H01J2201/308

Abstract: 电子源(102)包括用于进行电子发射的平面发射区(114),以及将电子发射聚焦成为电子束的聚焦结构(118,120)。