公开(公告)号：CN109256406A

公开(公告)日：2019-01-22

申请号：CN201810768492.7

申请日：2018-07-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成元 ,  殷圣豪 ,  朴日穆 ,  朴正勋 ,  宋苏智 ,  郑智贤

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L45/1675 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0026 ,  G11C13/0028 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/76 ,  H01L27/2427 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/122 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/141 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1683 ,  H01L45/1691 ,  H01L45/1253

Abstract: 提供了各种可变电阻存储器装置和制造可变电阻存储器装置的方法。可变电阻存储器装置可以包括：衬底，其包括单元区域和外围区域；第一导电线，其位于衬底上；第二导电线，其穿过第一导电线；可变电阻结构，其位于第一导电线和第二导电线的交叉点处；以及底电极，其位于第一导电线和可变电阻结构之间。单元区域可以包括与外围区域接触的边界区域，并且第一导电线之一与可变电阻结构中的位于边界区域且与所述第一导电线之一重叠的一个可变电阻结构电绝缘。

公开(公告)号：CN108604635A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201780008546.3

申请日：2017-01-25

Applicant: ARM有限公司

Inventor： 金柏莉·盖伊·里德 ,  卡洛斯·帕滋·德·阿拉吉奥 ,  卢西恩·施弗伦

IPC: H01L45/00 ,  C23C16/18

CPC classification number: H01L45/1616 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/56 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0045 ,  G11C2013/0078 ,  H01L45/04 ,  H01L45/122 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1633 ,  H01L45/1641

Abstract: 本公开的技术一般涉及用于例如执行开关功能的相关电子材料的制造。在实施例中，气态形式的前驱物可用在腔室中以构建包含各种阻抗特性的相关电子材料膜。

公开(公告)号：CN104282833B

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201310547348.8

申请日：2013-11-06

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 郑夏彰 ,  李基娥

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C13/00

CPC classification number: H01L45/1253 ,  H01L45/06 ,  H01L45/122 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

Abstract: 提供了种阻变存储器件及其制造方法。所述阻变存储器件包括:多层式绝缘层,包括形成在半导体衬底上的多个孔;下电极,形成在每个孔的底部;第间隔件,形成在下电极和每个孔的侧壁上;第二间隔件,形成在第间隔件的上侧壁上;第三间隔件,在第二间隔件之下形成在第间隔件的下侧壁上;阻变部,形成在下电极上,具有比每个孔的顶部的高度低的高度;以及上电极,形成在阻变部上以掩埋在每个孔中。

公开(公告)号：CN107636822A

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201680030630.0

申请日：2016-06-27

Applicant: 英特尔公司

Inventor： R·皮拉里塞泰 ,  P·马吉 ,  U·沙阿 ,  N·慕克吉 ,  E·卡尔波夫 ,  B·多伊尔 ,  R·周

IPC: H01L21/76 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L45/122 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1675

Abstract: 本公开内容提供用于形成电阻随机存取存储器(RRAM)器件的系统和方法。根据本公开内容的RRAM器件包括衬底和布置在其上的第一电极。RRAM器件包括布置在第一电极之上的第二电极和布置在第一电极和第二电极之间的RRAM电介质层。RRAM电介质层具有在第二电极和RRAM电介质层之间的界面处的顶部中心部分处的凹槽。

公开(公告)号：CN107342303A

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201611240245.7

申请日：2016-11-23

Applicant: 意法半导体(鲁塞)公司

Inventor： P·波伊文

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L45/122 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1675 ,  H01L27/2436 ,  H01L23/5223 ,  H01L45/08

Abstract: 本公开涉及阻变式存储器单元的制造方法。一种氧化物基直接存取阻变式存储型非易失存储器，其在集成电路的互连部内包括存储平面，存储平面包括在垂直的第一和第二方向(X，Y)上延伸的电容性存储单元(CEL)且每个存储单元(CEL)均包括第一电极(BE)、电介质区(MOX)和第二电极(TE)。存储平面(PM)包括：形成所述第一电极的正方形或矩形的导电焊垫；所述电介质层(MOX)和第二导电层(CC2)的所述堆叠结构，所述堆叠结构在第一方向(X)上覆盖所述焊垫，且在第二方向(Y)上形成在所述焊垫之上和之间延伸的导电条带(BDY)；第二电极(TE)由面对所述焊垫的所述第二条带(BDY)的区域形成。

公开(公告)号：CN107221598A

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201710276623.5

申请日：2017-04-25

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 龙世兵 ,  张美芸 ,  许晓欣 ,  刘琦 ,  吕杭炳 ,  刘明

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/16 ,  H01L45/122

Abstract: 本发明公开了一种提高RRAM均一性的方法及RRAM器件，首先，在衬底上刻蚀锥状结构；其次，在所述锥状结构表面淀积一层金属薄膜，形成下电极；在所述金属下电极上沉积一层氧化物绝缘层，形成阻变层；在所述氧化物层上沉积一层金属薄膜，形成上电极；最后，在所述上电极与所述下电极上加偏压。在施加操作电压时，由于锥状结构的尖端放电，使的锥状处的电场较其他位置增强并且集中，则阻变存储器RRAM中的导电细丝更趋向于在电场强的地方生成与断裂，从而有效地提高了阻变存储器的均一性。故而本发明既可以降低存储器的波动性、增强可靠性，又能与传统的CMOS工艺兼容，达到了提高存储器运行效率的目的。

公开(公告)号：CN105448949A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510596556.6

申请日：2015-09-18

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： C.耶格 ,  J.G.拉文 ,  F.D.普菲尔施 ,  A.菲利波

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L27/0652 ,  H01L27/0658 ,  H01L27/0772 ,  H01L27/24 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2445 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/868 ,  H01L45/122 ,  H01L45/145

Abstract: 本发明涉及具有可变电阻元件的半导体器件。半导体器件（500）包括半导体主体（100），该半导体主体（100）包括与发射极区域（140）形成pn结（pn1）的漂移区（121）。第一负载电极（310）在半导体主体（100）的前侧。第二负载电极（320）在与前侧相对的半导体主体（100）的背侧。一个或多个可变电阻元件（190）电连接在漂移区（121）与第一和第二负载电极（310、320）中的一个之间的受控路径中。可变电阻元件（190）响应于半导体器件（500）的操作状态的改变来激活和停用半导体器件（500）的电子元件。

公开(公告)号：CN105098068A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201410219056.6

申请日：2014-05-22

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 徐佳 ,  任佳栋

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L45/122 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件的制造方法，采用氩溅射工艺形成环形相变材料，因此，可以降低相变材料与底电极之间的接触面积，从而可以降低半导体器件的驱动电流，最终降低半导体器件的功耗。本发明半导体器件，采用前述方法制造，具有驱动电流低等优点。本发明的电子装置，使用了上述的半导体器件，因而同样具有上述优点。

公开(公告)号：CN104282833A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201310547348.8

申请日：2013-11-06

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 郑夏彰 ,  李基娥

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C13/00

CPC classification number: H01L45/1253 ,  H01L45/06 ,  H01L45/122 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

Abstract: 提供了一种阻变存储器件及其制造方法。所述阻变存储器件包括：多层式绝缘层，包括形成在半导体衬底上的多个孔；下电极，形成在每个孔的底部；第一间隔件，形成在下电极和每个孔的侧壁上；第二间隔件，形成在第一间隔件的上侧壁上；第三间隔件，在第二间隔件之下形成在第一间隔件的下侧壁上；阻变部，形成在下电极上，具有比每个孔的顶部的高度低的高度；以及上电极，形成在阻变部上以掩埋在每个孔中。

公开(公告)号：CN102017146B

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN200980115281.2

申请日：2009-04-30

Applicant: 分子间公司

Inventor： 普拉桑特·法塔克 ,  托尼·江 ,  普拉加蒂·库马尔 ,  迈克尔·米勒

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/146 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/55 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L29/8615 ,  H01L45/08 ,  H01L45/10 ,  H01L45/122 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1641 ,  H01L45/165 ,  H01L45/1658 ,  H01L47/00

Abstract: 本发明描述了非易失性阻变存储器，其包括具有第一电极、第二电极、处于第一电极和第二电极之间的金属氧化物的存储器元件。金属氧化物使用体介导转换进行转换，其具有大于4电子伏特(eV)的带隙，具有对于每一百埃的金属氧化物厚度具有至少一伏的用于设置操作的设置电压，以及，对于每二十埃的所述金属氧化物厚度，在0.5伏(V)下测量，具有小于40安每平米厘米(A/cm2)的漏电流密度。