公开(公告)号：CN103383944B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201310154687.X

申请日：2013-04-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山下润一 ,  寺岛知秀

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0652 ,  H01L27/0676 ,  H01L27/1203 ,  H01L28/60 ,  H01L29/94

Abstract: 本发明涉及半导体装置。在被集电极电极（18）与半导体衬底（1）夹着的区域存在有空洞区域（4）的部分和没有空洞区域的部分。在未形成有空洞区域的半导体衬底（1）的部分与集电极电极（18）之间形成有利用绝缘膜（2）、绝缘膜（20）以及绝缘膜（17）进行电隔离的浮置硅层（21）。

公开(公告)号：CN101789427A

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN200910262187.1

申请日：2009-12-25

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 米田秀司 ,  石田裕康 ,  及川慎

IPC: H01L27/06

CPC classification number: H01L27/0652 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861 ,  H01L29/866 ,  H03K17/163

Abstract: 提供一种绝缘栅型半导体装置。为了防止由于IGBT的切断时的dv/dt过大引起的、IGBT的破坏，采用在芯片上外置连接栅极电阻的电路。但是在对用户提供IGBT的芯片时，有时在用户侧连接dv/dt成为额定值外的电阻值的栅极电阻的情况，存在发生由此引起的IGBT的破坏的问题。通过将二极管和电阻并联连接而与IGBT集成在相同芯片上，并将二极管的阴极连接在IGBT的栅极上，能够在IGBT的芯片内限制dv/dt的值而不会使导通特性变差。通过内置具有能够防止IGBT的dv/dt破坏的电阻值的电阻，能够防止由于在芯片的提供目的地(用户侧)的dv/dt的增大引起的IGBT的破坏。

公开(公告)号：CN1653590A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN02801743.9

申请日：2002-03-15

Applicant: 皇家菲利浦电子有限公司

Inventor： M·K·克利 ,  R·基维特 ,  M·居 ,  W·格尔默 ,  H·-W·布兰德

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/115 ,  H01L29/92

CPC classification number: H01L28/55 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0652 ,  H01L27/0676

Abstract: 本发明涉及一种电子设备，该设备配备有一种包括集成电路装置的电子元件，所述集成电路装置包括具有半导体基片、有源元件和诸如高电容值和/或低电容值的电容及电阻的无源元件。本发明还涉及发射器、接收器、电子元件、外围电路、电源电路、滤波模块和集成电路装置。

公开(公告)号：CN103383944A

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201310154687.X

申请日：2013-04-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山下润一 ,  寺岛知秀

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0652 ,  H01L27/0676 ,  H01L27/1203 ,  H01L28/60 ,  H01L29/94

Abstract: 本发明涉及半导体装置。在被集电极电极（18）与半导体衬底（1）夹着的区域存在有空洞区域（4）的部分和没有空洞区域的部分。在未形成有空洞区域的半导体衬底（1）的部分与集电极电极（18）之间形成有利用绝缘膜（2）、绝缘膜（20）以及绝缘膜（17）进行电隔离的浮置硅层（21）。

公开(公告)号：CN1181631A

公开(公告)日：1998-05-13

申请号：CN97121136.1

申请日：1997-10-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 上内元

IPC: H01L23/58

CPC classification number: H01L29/73 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/0652 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49112 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00015

Abstract: 本发明揭示一种功率晶体管。包括在成为集电极层的基片表面上选择扩散基极层、且在该基极层上选择扩散发射极层,形成平面型晶体管。在该平面型晶体管的芯片表面的集电极层设置电流检测用电极。在基片的背面形成集电极电极。当晶体管工作、集电极电流流动时,基于基片的电阻、在集电极电极和电流检测用电极之间,生成对应于集电极电流的电压。因此,晶体管能对集电极电流进行检测、并将电流检测信号传送到控制用IC中。

公开(公告)号：CN108735698A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810261605.4

申请日：2018-03-27

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 大部功 ,  梅本康成 ,  柴田雅博 ,  那仓健一

IPC: H01L23/485 ,  H01L27/06 ,  H01L21/60

CPC classification number: H03F1/52 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/2654 ,  H01L21/28575 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L25/16 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0635 ,  H01L27/0652 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/36 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/42304 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66204 ,  H01L29/66318 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/861 ,  H01L2224/0221 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/0518 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10337 ,  H01L2924/13051 ,  H01L2924/13063 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H03F3/195 ,  H03F3/213 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/426 ,  H03F2200/444

Abstract: 本发明提供一种在使用了包含化合物半导体的基板的半导体装置中，能够抑制芯片面积的增大的半导体装置。在包含化合物半导体的基板上形成电路元件。在电路元件上，接合焊盘被配置为与电路元件至少局部重叠。接合焊盘包含第1金属膜以及形成于第1金属膜上的第2金属膜。第2金属膜的金属材料比第1金属膜的金属材料硬。

公开(公告)号：CN107851614A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680024714.3

申请日：2016-02-26

Applicant: D3半导体有限公司

Inventor： T.E.哈林顿三世 ,  Z.屈

IPC: H01L21/84 ,  H01L29/78 ,  H01L29/73

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0635 ,  H01L27/0652 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/872

Abstract: 一种半导体器件包括垂直功率器件，诸如超级结MOSFET、IGBT、二极管等，以及表面器件，所述表面器件包括沿半导体器件的顶部表面有电活性的一个或多个横向器件。

公开(公告)号：CN105448949A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510596556.6

申请日：2015-09-18

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： C.耶格 ,  J.G.拉文 ,  F.D.普菲尔施 ,  A.菲利波

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L27/0652 ,  H01L27/0658 ,  H01L27/0772 ,  H01L27/24 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2445 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/868 ,  H01L45/122 ,  H01L45/145

Abstract: 本发明涉及具有可变电阻元件的半导体器件。半导体器件（500）包括半导体主体（100），该半导体主体（100）包括与发射极区域（140）形成pn结（pn1）的漂移区（121）。第一负载电极（310）在半导体主体（100）的前侧。第二负载电极（320）在与前侧相对的半导体主体（100）的背侧。一个或多个可变电阻元件（190）电连接在漂移区（121）与第一和第二负载电极（310、320）中的一个之间的受控路径中。可变电阻元件（190）响应于半导体器件（500）的操作状态的改变来激活和停用半导体器件（500）的电子元件。

公开(公告)号：CN1148803C

公开(公告)日：2004-05-05

申请号：CN97121136.1

申请日：1997-10-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 上内元

IPC: H01L23/58

CPC classification number: H01L29/73 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/0652 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49112 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00015

Abstract: 本发明揭示一种功率晶体管。包括在成为集电极层的基片表面上选择扩散基极层、且在该基极层上选择扩散发射极层，形成平面型晶体管。在该平面型晶体管的芯片表面的集电极层设置电流检测用电极。在基片的背面形成集电极电极。当晶体管工作、集电极电流流动时，基于基片的电阻、在集电极电极和电流检测用电极之间，生成对应于集电极电流的电压。因此，晶体管能对集电极电流进行检测、并将电流检测信号传送到控制用IC中。