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公开(公告)号：CN107275734A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710684197.9
申请日：2017-08-11
Applicant: 南京全信传输科技股份有限公司
CPC classification number: H01P3/06 , H01P11/005
Abstract: 本发明提出的是超轻型射频同轴电缆，其结构包括内导体，绝缘层，外导体，屏蔽层，护套；其中，内导体外是绝缘层，绝缘层外是外导体，外导体外是屏蔽层，屏蔽层外是护套。其制备方法包括：1）选取导体；2）绕包绝缘层；3）绕包外导体；4）编织屏蔽层；5）在屏蔽层外挤出护套。本发明的优点：1）重量轻；2）使用频率高；3）稳相；4）耐弯曲性能好；5）衰减低。
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公开(公告)号：CN106785297A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611096133.9
申请日：2016-12-02
Applicant: 江阴神创电子材料有限公司
Inventor： 汤晓楠
IPC: H01P11/00
CPC classification number: H01P11/005
Abstract: 本发明涉及的一种RF射频同轴电缆冷却装置，其特征在于它包括冷却装置机架（6.1），冷却装置机架（6.1）的上半段设置有横向的冷却槽（6.2），冷却装置机架（6.1）的下半段设置有储水箱（6.3），所述冷却槽（6.2）包括左端的进料区（6.5）、中段的冷却区（6.6）以及右端的干燥区（6.7），所述冷却区（6.6）的右段设置有纵向布置的第一磁性机构（6.25）。本发明RF射频同轴电缆冷却装置及其冷却方法具有生产工况稳定，挤塑质量较好的优点。
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公开(公告)号：CN104323856A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410631162.5
申请日：2014-11-11
Applicant: 南京维京九洲医疗器械研发中心
Inventor： 杨婷
IPC: A61B18/18
CPC classification number: A61B18/1815 , A61B18/18 , A61B2017/00526 , A61B2018/00023 , A61B2018/00577 , A61B2018/1869 , B21G1/003 , B23K31/02 , B23K2101/38 , B23K2103/12 , H01P1/045 , H01P3/06 , H01P11/005 , H01R4/023 , H01R4/029 , H01R24/40 , H01R2103/00
Abstract: 本发明涉及一种无磁水冷微波消融针制造方法，该制造方法针对无磁材料微波消融针而设计，其工艺过程合理，装配质量好，生产效率高。生产的无磁水冷微波消融针，适用于核磁共振成像环境下的微波肿瘤消融手术，有助于主疗医生清晰地确定肿瘤的位置，提高穿刺精度，对整个手术过程具有更好的可控性，提高手术的成功率，在有效灭活肿瘤的前提下尽可能的减少对周围正常组织的破坏，减轻患者的痛苦，缩短康复周期。
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公开(公告)号：CN101274735A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200710093281.X
申请日：2007-12-28
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
CPC classification number: H01P11/005 , H01P3/06 , H05K1/0221 , H05K1/024 , H05K3/465 , H05K3/4661 , H05K3/4697 , H05K2201/09809 , H05K2203/0733 , Y10T428/24331
Abstract: 本发明提供了三维微结构及其形成方法。该微结构通过一顺序构造工艺形成并包括相互固定的微结构元件。例如，在用于电磁能的同轴传输线中该微结构获得了应用。
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公开(公告)号：CN107240743A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710368519.9
申请日：2017-05-23
Applicant: 芜湖航天特种电缆厂股份有限公司
CPC classification number: H01P3/06 , H01P11/005
Abstract: 本发明公开了一种绝缘层整体镀银的外导体同轴射频电缆及其制备方法，包括由内向外依次套设的导体、绝缘套、粗化层和镀银层，粗化层由内向外包括树脂层和化学积银层，镀银层为电镀加厚银层。该绝缘层整体镀银的外导体同轴射频电缆具有外径小、重量轻和柔软度高的优点，并且该制备方法具有工序简单、能耗低且环境污染小的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106785296A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611095883.4
申请日：2016-12-02
Applicant: 江阴神创电子材料有限公司
Inventor： 汤晓楠
CPC classification number: H01P11/005
Abstract: 本发明涉及的一种RF射频同轴电缆生产线，其特征在于它包括放线装置（1）、第一测径仪（2）、第一张力仪（3）、预热器（4）、挤塑机（5）、冷却装置（6）、第二测径仪（7）、第二张力仪（8）、电火花检测仪（9）、凹凸仪（10）、竖向储线装置（11）、横向储线装置（12）以及收线装置（13），通过放线装置（1）实现自适应放线，提高生产稳定性，通过冷却装置（6）实现将挤塑后产品进行较好的冷却。本发明RF射频同轴电缆生产线及其生产方法具有生产工况稳定，挤塑质量较好的优点。
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公开(公告)号：CN103066040B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201110324618.X
申请日：2011-10-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L23/48 , H01L21/768
CPC classification number: H01P3/06 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/66 , H01L2223/6622 , H01L2924/0002 , H01L2924/10253 , H01P11/005 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种可用于微波频段的圆片级穿硅传输结构及制造方法，其特征在于设计了一种使用与高频可替代同轴线结构的穿硅通孔传输线结构，此结构使用多个TSV环绕一个传输信号的TSV芯的结构，环绕在周围的TSV接地，构成一个形成类似同轴线的共轴屏蔽层，接地TSV和TSV芯之间的硅片正反两面均使用填充有低介电常数聚合物的隔离槽；接地通孔的数量、尺寸和距离根据实际的应用频段通过仿真确定，以此结构实现微波频段硅片两面互连。使用穿硅传输结构降低了高密度三维封装中信号在通过硅片时微波性能受到的影响，避免损耗过大。该工艺步骤简单，与其他工艺相兼容。
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公开(公告)号：CN1784807A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200480012012.0
申请日：2004-03-04
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
IPC: H01P3/06
CPC classification number: H01P3/06 , H01P1/08 , H01P3/00 , H01P5/103 , H01P5/183 , H01P11/002 , H01P11/003 , H01P11/005 , H05K1/0221 , H05K1/0272 , H05K3/4644 , H05K3/4685 , H05K2201/09809 , Y10T29/49117 , Y10T29/49123
Abstract: 提供了一种同轴波导微结构。该微结构包括基片和位于该基片之上的同轴波导。该同轴波导包括：中心导体；包括一个或多个壁的外导体，该外导体与中心导体有一定间隔且设置于中心导体周围；用来支承中心导体的一个或多个绝缘支承部件，所述支承部件与中心导体接触，封装在外导体之内；以及中心导体与外导体之间的芯体积，所述芯体积处于真空或气态状态下。还提供了通过顺序构建顺序构建工艺形成同轴波导微结构的方法，以及包括同轴波导微结构的密封外壳。
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公开(公告)号：CN1479950A
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN01819971.2
申请日：2001-11-13
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 小山耕嗣 , 三和贸易株式会社
IPC: H01P1/02
CPC classification number: H01P11/005 , H01P1/02
Abstract: 一种同轴管弯头。其内侧导体(20)放置在外侧导体管(10)内、具有将两者按规定角度弯曲的弯曲部(12、21D)的同轴管弯头。把外侧导体管(10)的弯曲部(12)的纵剖面形状制成圆弧状。内侧导体(20)的弯曲部(21D)的纵剖面形状最好是局部缺欠的圆弧状。该外侧导体管(10)的制造首先是把低熔点金属填充在直线状的外侧导体管内，在该状态在模具内弯曲。弯曲后通过加热把低熔点金属熔化除去，这样得到被弯曲的外侧导体管(10)。这样能得到部件个数少、不用钎焊就能组装的同轴管弯头。
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公开(公告)号：CN107482297A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710666220.1
申请日：2017-08-07
Applicant: 赣州西维尔金属材料科技有限公司
CPC classification number: H01P11/005 , C23C18/22 , C23C18/285 , C23C18/30 , C23C18/42
Abstract: 本发明公开了一种聚四氟乙烯表面镀银的耐高温射频电缆的加工工艺，包括以下步骤：先将整体被聚四氟乙烯绝缘的射频电缆放入二氯乙烷中采用超声清洗；然后进行粗化、敏化、活化处理；将活化后的射频电缆置于KOH和甲醛混合溶液中30S；将射频电缆放入配制好的化学镀银溶液中化学镀银；化学镀银处理后的射频电缆再经连续镀银加厚银层并干燥得到镀银射频电缆。本工艺自配表面金属化试剂，对射频电缆外的聚四氟乙烯材料表面改性具有非常显著的效果；制得的整体被聚四氟乙烯绝缘的射频电缆形成的纯银外导体具有良好的致密性，连续性，均匀性，优良的结合力以及优良的导电性能和屏蔽性能。
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