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公开(公告)号：CN118996610A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411132989.1
申请日：2024-08-16
Applicant: 内蒙古中环领先半导体材料有限公司 , 中环领先半导体科技股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种晶体及制备方法，晶体制备方法包括：提供籽晶，将籽晶置于横向磁场单晶炉内，对籽晶进行引晶处理；获取引晶处理结束时的初始拉速，进行放肩处理，加热，直至形成晶体；其中，根据初始拉速，对放肩处理中的拉速和加热的功率进行补偿，以使晶体的肩型生长为目标肩型；目标肩型具有沿第一方向的第一长度L mm，满足：190≤L≤220。本申请提供的制备方法根据引晶工艺结束时的拉速对放肩处理中的拉速和加热功率进行调节，对放肩过程中晶体的生长进行干预，避免放肩肩型锥度过大或出现锥肩，从而适当减小晶体边缘产生的应力，降低断线率，提高晶体整体形貌和质量。
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公开(公告)号：CN119824522A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411948565.2
申请日：2024-12-26
Applicant: 内蒙古中环领先半导体材料有限公司 , 中环领先半导体科技股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种控制单晶氧含量的制备方法，在整个晶体生长过程中，横向磁场可随石英坩埚的上升而上升，且横向磁场的最强高斯面所在位置始终位于石英坩埚底部的上方。本申请一种控制单晶氧含量的制备方法，使磁场可随熔硅液位进行上下移动，实现磁场强度的精准控制，从而可获得对单晶氧含量的极限控制，实现磁场对溶体对流抑制的最大化，保证低氧硅单晶的生长环境，获得单晶质量稳定且合格的产品。
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公开(公告)号：CN119824520A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510093344.X
申请日：2025-01-21
Applicant: 内蒙古中环领先半导体材料有限公司 , 中环领先半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种料辅助装置、单晶炉系统以及化料工艺，包括连接夹头、与连接夹头相连接的连接杆以及与连接杆相连接保温组件，保温组件包括相连接的盖体和托盘，盖体与托盘连接，盖体与托盘均可相对连接杆移动，托盘与连接杆卡接，连接夹头与连接杆卡接，盖体与托盘之间具有容纳空间。本发明的有益效果是进行辅助化料，将单晶炉内热气流聚集在石英坩埚内，使得单晶炉内温度升高，加速硅原料熔化，挂边，架桥等异常现象明显减少，缩短化料时间，同时通过化料辅助装置的在单晶炉内上下移动，改变保护气体的流动方向，使得粉尘杂质随保护气体排出或被吹入石英坩埚内，并结合粘渣工艺，将硅熔体内的杂质清除，提高长晶成功率及单晶品质。
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公开(公告)号：CN222205555U
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202420139978.5
申请日：2024-01-19
Applicant: 内蒙古中环领先半导体材料有限公司 , 中环领先半导体科技股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种单晶炉液位校准辅助装置，其包括：相机、液位基准杆和液位校准杆，所述液位基准杆设于导流筒与坩埚之间，用于指示所述坩埚中硅液的初始液位；在所述坩埚的升降过程中，所述液位校准杆在所述硅液中的倒影，为所述相机提供摄像基准点。本实用新型中的单晶炉液位校准辅助装置通过预先采集像素差与埚升比，得到坩埚升降比例系数，再在拉晶过程中监控液位校准杆至导流筒上固定点位的距离来辅助监控液位、调控液位，实现了硅液液位的精准调控，避免了常规监控液位方法因坩埚尺寸及硅液在其中位置位置不同而导致的误差，避免了因液面位置波动而产生的单晶缺陷，为先进制程奠定了基础。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116200810A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202111446129.1
申请日：2021-11-30
Applicant: 内蒙古中环领先半导体材料有限公司 , 中环领先半导体材料有限公司
Abstract: 一种硅晶体内体微缺陷的控制方法，在硅晶体的等径生长过程中，对已拉出的等径段进行分段测温；获得所述硅晶体的各分段等径段的测温值，与相应的分段等径段的标准温度对比，选择适合所述硅晶体的各分段等径段的保温方式，以使所述硅晶体的各分段等径段的温度在相应的分段的标准温度范围内；再基于所述硅晶体的体微缺陷密度的指标，与标准体微缺陷密度对比，确定该段等径段在其标准温度范围内的保温时长，以获得符合指标的体微缺陷密度的所述硅晶体。本发明可以改变氧析出物在硅晶体中不同梯度分段温度范围内的形核程度，以改变BMD的生长情况，获得不同要求的BMD密度的硅晶体，以适应不同终端产品所需的BMD密度的硅晶体。
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公开(公告)号：CN117089922A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311063372.4
申请日：2023-08-22
Applicant: 内蒙古中环领先半导体材料有限公司 , 中环领先半导体材料有限公司
Abstract: 本发明属于单晶生产技术领域，涉及一种单晶硅生长方法，包括如下步骤：在单晶生长阶段，通过调控导流筒与加热器之间的相对位置，以使V/G满足预设值。本发明的有益效果是，通过调整导流筒下沿与加热器顶部之间的垂直距离，对单晶拉制时的V/G进行调控，从而解决单晶缺陷问题，实现产品质量的提高。
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公开(公告)号：CN216947284U
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202123017512.3
申请日：2021-11-30
Applicant: 内蒙古中环领先半导体材料有限公司 , 中环领先半导体材料有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种可控制硅单晶的体微缺陷密度的单晶炉，在单晶炉的炉体内配设有用于监控已拉出硅单晶等径段的温度梯度的测温装置以及用于调控所述等径段温度梯度的调控装置，所述测温装置和所述调控装置均固设于所述炉体内侧，且所述调控装置绕设于所述等径段的外径设置。本实用新型一种可控制硅单晶的体微缺陷密度的单晶炉，通过设置多组测温仪以监测硅单晶等径段中不同位置的阶梯温度，并通过设置不同位置的调控装置以保证不同阶梯温度的稳定性，提高硅单晶降温保温的精准度，以获得满足终端产片质量的硅单晶。
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公开(公告)号：CN218360597U
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202222633725.7
申请日：2022-09-30
Applicant: 内蒙古中环领先半导体材料有限公司 , 中环领先半导体材料有限公司
Inventor： 张净源 , 李鹏飞 , 娄中士 , 袁长宏 , 李振 , 田旭东 , 王旭升 , 常瑞新 , 段媛媛 , 周宏邦 , 王彦君 , 孙晨光 , 王淼 , 贾海洋 , 张强 , 王立刚
Abstract: 本实用新型提供一种底部自吸粉尘的筛料小车，包括放料筒体、筛料筒体和小车本体，所述放料筒体用于盛放待筛硅料，顶部设有盖体，外侧设有振动电机,使所述放料筒体产生晃动，所述筛料筒体设于所述放料筒体底部，与所述放料筒体可拆卸式连接，所述筛料筒体上部设有筛料网，所述小车本体设于所述筛料筒体下方，所述筛料筒体的下部插入所述小车本体内部，所述筛料筒体的下部侧面设有抽气装置，所述抽气装置用于吸收粉尘，所述筛料筒体的底部设有碎料收集袋。本实用新型的有益效果是减少了硅料在筛选过程中产生的粉尘和细小颗粒对空气的污染以及对硅料的二次污染，有效的保证了筛选效果。
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公开(公告)号：CN218372632U
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202222633667.8
申请日：2022-09-30
Applicant: 内蒙古中环领先半导体材料有限公司 , 中环领先半导体材料有限公司
IPC: C30B35/00
Abstract: 本实用新型提供一种拆清运输机构，包括运输车体，所述运输车体上部设有中转台，所述中转台用于放置热场石墨件，所述中转台与所述运输车体可拆卸式连接，所述中转台可承载所述热场石墨件在位于不同车间的运输车体上进行流转。本实用新型的有益效果是有效的避免了石墨粉尘落入拆清运输车进入生产车间影响车间洁净等级的问题，降低了石墨粉尘进入单晶炉的风险，保证了单晶的成晶率和整棒率。
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