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公开(公告)号：CN119750507A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411965371.3
申请日：2024-12-30
Applicant: 广东晶智光电科技有限公司
IPC: C01B19/04
Abstract: 一种碲化镉合成方法包括步骤：称取碲粉和镉粉；碲粉和镉粉装入石英管；S3，将圆饼状的石英块放在混合的碲粉和镉粉上；S4，在石英管上安装法兰，法兰上的进气管接氮气、法兰上的排气管接真空泵，通过抽气‑充氮气清扫；将带有法兰的石英管装入合成炉中，法兰上的进气管接无氧气氛气体、法兰上的排气管接尾气管，打开进气阀门和排气阀门使石英管内实现无氧气氛流动的流动气氛；在形成的流动气氛下，运行合成炉的加热器，60min加热至550℃，保温120min，然后60min升温至1150℃，保温120min，然后关闭加热器；S7，待加热器降至室温，取出石英管，打开法兰，倒出石英块和产品，产品称重。
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公开(公告)号：CN119251465A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411250096.7
申请日：2024-09-06
Applicant: 广东晶智光电科技有限公司
Abstract: 本发明属于目标监测技术领域，公开了一种湖泊人船检测方法、系统。所述方法包括步骤：获取湖泊待测区域的图像对，所述图像对包括同一时间、相同视场下待测区域的红外图像、可见光图像；通过神经网络模型对同一图像对中的两种图像进行人船目标检测，获得人船目标初步检测结果；基于人船目标初步检测结果，计算同一图像对中两种图像检测目标位置区域的交并比、图像前后帧间检测目标位置区域的交并比；基于所述交并比对人船目标进行二次判定。本发明降低了误检或错检概率，具有极强的鲁棒性；降低了环境对检测结果的影响，尤其能够在夜间或恶劣天气条件下进行有效检测；实现了湖泊区域的全面监控；可实现远程监控和预警，提高了检测的实时性。
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公开(公告)号：CN118864445A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411185587.8
申请日：2024-08-27
Applicant: 广东晶智光电科技有限公司
Abstract: 本发明提出了一种基于数字处理的干烧产生判断方法、装置及设备，具体包括实时获取基于干烧的原始帧图像，并经边缘提取和增强处理后生成以行和列表示的图像边缘增强表；提取所述图像边缘增强表中的数据并进行分析，以判断所述图像边缘增强表中的每一列是否存在峰值，若存在两个峰值的列的个数小于五、一个峰值的列的个数大于十，以及所述干烧的中心环温大于200度，则判断出干烧已经产生。本发明具有响应速度快、准确性高、适应性强等优点，能够有效避免干烧带来的危害，保障设备和人员安全。同时，该方法成本相对较低，易于推广应用。
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公开(公告)号：CN118814259A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410768307.X
申请日：2024-06-14
Applicant: 广东晶智光电科技有限公司
Abstract: 提供一种籽晶组件以及锑化铟晶体生长的方法。籽晶组件包括锑化铟籽晶和夹头，锑化铟籽晶为横截面沿长度恒定的梯形，梯形的顶边长度为底边长度的1/2，梯形的高度与底边的长度相同，锑化铟籽晶的籽晶方向是 ，其中，用于在提拉法生长锑化铟晶体接触熔体的是 B，锑化铟籽晶的横截面的梯形的顶边方向是 A，锑化铟籽晶的横截面的梯形的底边方向是 B；夹头包括第一夹体和第二夹体，第一夹体具有收容槽，收容槽为横截面沿长度恒定的与锑化铟籽晶的横截面相同的在底边开口的梯形，第二夹体具有配合平面，配合平面封闭收容槽的梯形的开口的底边，第一夹体的材料的导热率低于第二夹体。锑化铟晶体生长的方法采用前述的籽晶组件提拉法生长锑化铟晶体。
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公开(公告)号：CN118732776A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410849775.X
申请日：2024-06-27
Applicant: 广东晶智光电科技有限公司
IPC: G05F1/573
Abstract: 本发明属于红外探测器技术领域，公开了一种红外探测器偏置电压产生电路。所述电路包括：降压降噪电路，包括依次连接的DC‑DC模块、LDO降压模块、电压基准源，并用于输出降压、降噪后的参考电压信号；大负载电流偏压输出电路，包括低噪声运算放大器、MOSFET以及分压网络；所述分压网络用于低噪声运算放大器的输入调节，所述低噪声运算放大器用于根据参考电压信号以及分压网络的输入调节输出电压控制信号；所述MOSFET用于根据低噪声运算放大器的电压控制信号对输出电压进行调整后，输出大负载电流偏置电压。本发明提高了红外探测器的偏置电压稳定性和线性度，能满足探测器的负载能力要求；同时，电路结构精简，成本较低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118710570A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410896390.9
申请日：2024-07-05
Applicant: 广东晶智光电科技有限公司
Abstract: 本发明属于红外图像处理技术领域，公开了一种解决红外显示画面突闪的AGC方法、系统。方法包括步骤：将获取的整个图像进行分块划分，得到多个图像分块；计算每个图像分块的直方图灰度映射表；根据所有图像分块的直方图灰度映射表获得整个图像最终的直方图灰度映射结果；根据最终的直方图灰度映射结果调整输出图像。本发明采用分块AGC方法，基于亮度信号平均值调整红外显示系统的亮度，通过全局映射、分块映射进行加权计算，能够有效解决红外显示画面突闪的问题，使画面稳定性得到显著提升；基于FPGA实现方法，能实现实时调整，提高系统响应速度和稳定性；本发明可以广泛应用于各种红外显示系统中。
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公开(公告)号：CN119753840A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411965359.2
申请日：2024-12-30
Applicant: 广东晶智光电科技有限公司
Abstract: 一种砷化铟单晶的生长方法包括步骤：S1，清洗石英坩埚；S2，装料：将砷化铟籽晶、砷化铟多晶、液封剂装入PBN坩埚，之后将PBN坩埚装入石英坩埚；S3，充氢气并焊管：将石英封泡塞在石英坩埚的开口处、之后将石英坩埚安装在密封法兰上，抽真空将空气排净，打开氢气气瓶的阀门，氢气通入石英坩埚内，打开氢氧焰，将石英坩埚与石英封泡在整周360°上焊接密封；S4，装炉：将石英封泡焊接密封的石英坩埚装入VGF炉；S5，升温以及引晶：VGF炉控制温升，稳定后保温24h；S6，单晶生长：VGF炉控制温度采用VGF工艺、从下往上依次减小加热功率来降温，以使晶体生长面在与PBN坩埚的放肩部对应的位置以0.5mm/h生长、晶体生长面在与PBN坩埚的等径部对应的位置以0.8mm/h生长。
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公开(公告)号：CN119526135A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411965360.5
申请日：2024-12-30
Applicant: 广东晶智光电科技有限公司
Abstract: 一种不规则大尺寸碲锌镉衬底片的表面加工方法包括步骤：S1，将不规则大尺寸的区分好AB面的碲锌镉晶片清洁干净；S2，使用蓝宝石晶圆作为基片；S3，上蜡贴片，使得碲锌镉晶片与蓝宝石晶圆贴合并粘接固定在一起；S4，减薄机单面减薄，包括子步骤：S41，将贴合并粘接固定在一起的碲锌镉晶片与蓝宝石晶圆放到减薄机的工作台上，砂轮的端面相对工作台的倾角为0.0057°，S42，砂轮多步加工；S5，单抛机CMP抛光；S6，下蜡：从单抛机上取下碲锌镉晶片和蓝宝石晶圆，将碲锌镉晶片的A面与蓝宝石晶圆之间的白石蜡去除干净；S7，重复步骤S1至步骤S6，针对碲锌镉晶片的A面进行表面加工，最终得到碲锌镉晶片是TTV≤2μm、Ra≤1nm。
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公开(公告)号：CN119036212A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411410991.0
申请日：2024-10-10
Applicant: 广东晶智光电科技有限公司
IPC: B24B1/00
Abstract: 本发明提供了一种BGO的表面修型方法，包括以下步骤：A）以铸铁盘作为研磨盘，使用研磨液对BGO晶体表面进行研磨；所述研磨液包括粒径为8~12μm的白刚玉和水；B）以镶嵌氧化锆的聚氨酯作为粗抛抛光盘，使用粗抛抛光液对步骤A）中研磨后的BGO晶体表面进行粗抛抛光；所述粗抛抛光液包括粒径为0.5~1.5μm的单晶钻石粉和水；C）使用精抛抛光液对步骤B）中粗抛后的BGO晶体表面进行精抛抛光；所述精抛抛光液包括粒径为50~200nm的二氧化硅和水。利用本发明提供的表面修形方法，可以将BGO的表面的面加工精度可达IT5～IT01，表面粗糙度可达Ra 0.6~1.5nm。
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公开(公告)号：CN119420858A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411578692.8
申请日：2024-11-07
Applicant: 广东晶智光电科技有限公司
Abstract: 本发明属于红外图像传输技术领域，公开了红外系统USB接口传输视频及协议的方法、红外系统。所述红外系统基于FPGA，所述方法包括通过FPGA利用状态机控制USB接口，将红外图像数据通过USB接口从FPGA端传输到上位机，并将指令通过USB接口从上位机传输到FPGA端。本发明采用USB接口传输红外图像，布线简单，抗干扰能力强，传输距离较远；利用FPGA实现图像预处理和USB协议编码，提高了数据传输的实时性和稳定性；具有良好的兼容性和可扩展性，适用于各种红外系统；协议与视频的传输共用差分线缆，进一步简化了系统结构。
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