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公开(公告)号：CN119920687A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510122501.5
申请日：2025-01-26
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/304 , H01L21/66 , H01L21/67 , B24B29/02 , B24B7/22 , B28D5/04 , B28D5/00
Abstract: 本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种晶圆处理方法。所述方法包括以下步骤：准备初始晶圆，所述初始晶圆具有待处理表面；对所述初始晶圆设置预设离子注入基准面，自所述待处理表面向初始晶圆进行离子注入，将离子注入到预设离子注入基准面处，得到离子注入后的晶圆；对所述离子注入后的晶圆自预设离子注入基准面处进行剥离处理，得到剥离后的晶圆；对所述剥离后的晶圆的剥离面进行抛光处理，得到处理后的晶圆。本发明的晶圆处理方法通过离子注入替代传统处理工艺的多道研磨工序，处理方法简单高效，周期短，成本低。
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公开(公告)号：CN118981122A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411044756.6
申请日：2024-07-31
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
Abstract: 本申请公开高频响应的复合单晶薄膜及其制备方法，及调制器，其中，复合单晶薄膜从下到上依次至少包括：高介电常数材料层、低介电常数材料层、电光晶体薄膜层。低介电常数材料层与电光晶体薄膜层中还设置隔离层，该薄膜兼顾硅材料工艺成熟度及低介电材料的高频响应特性应用于调制器。制备方法包括高介电常数材料层和低介电常数材料层键合得第一键合体；电光晶体材料进行离子注入并键合剥离得到复合单晶薄膜，或在第一键合体沉积隔离层与电光晶体薄膜层键合；还包括在另一高介电常数材料层生成氧化层与电光晶体薄膜层键合后与第一键合体隔离层键合，腐蚀，得到复合单晶薄膜。制备方法具备应力小，周期短，与现有工艺兼容度高，利于规模化生产。
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公开(公告)号：CN113540339B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202010315086.2
申请日：2020-04-21
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种制备压电复合薄膜的方法及压电复合薄膜，在具有衬底层的原始压电复合薄膜内，通过离子注入法将离子注入到衬底层的表面区域，使得离子破坏衬底层表面处的晶格结构，造成一定的损伤进而形成损伤层，之后再对包含损伤层在内的原始压电复合薄膜进行低温退火处理，获得目标压电复合薄膜。本发明的方案可以在制备好整体的原始压电复合薄膜之后，通过离子注入法形成损伤层，再利用损伤层捕获衬底层与低声阻层之间的电荷，避免采用当前常用的方法，使得后形成低声阻层时对先生成的损伤层造成影响，本发明的方案能够保证损伤层捕获电荷的能力。
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公开(公告)号：CN111755588B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202010555085.5
申请日：2020-06-17
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
IPC: H10N30/80 , H10N30/072 , H03H3/02 , H03H9/56
Abstract: 本申请公开了一种复合单晶压电基板及其制备方法，所述复合单晶压电基板包括依次叠加的衬底层、损伤层、二氧化硅层和单晶压电层，其中，所述损伤层包覆于所述衬底层内部，并且，损伤层‑二氧化硅层的界面与衬底层‑二氧化硅层的界面共面，所述结构损伤由激光刻蚀形成，能够捕获载流子，从而削弱甚至消除信号损耗，本申请提供的方法首先在衬底层上利用热氧化的方法制备二氧化硅层，再通过激光刻蚀的方法在衬底层‑二氧化硅层界面处制备损伤层，并使所述损伤层完全位于衬底层中，将热氧化步骤设置于制备损伤层之前，能够有效避免热氧化工艺对损伤层中损伤的恢复，从而保证损伤层具有较高的捕获载流子的能力。
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公开(公告)号：CN111965858B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202010866165.2
申请日：2020-08-25
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
Abstract: 本申请提供一种电光晶体薄膜及其制备方法，及电光调制器，其中，所述电光晶体薄膜从下到上依次包括：硅衬底层、二氧化硅层、硅基槽波导层、包覆隔离层和功能薄膜层；所述包覆隔离层的折射率低于所述功能薄膜层的折射率，所述包覆隔离层做平坦化处理，且可与所述功能薄膜层键合。本申请提供的电光晶体薄膜中，采用包覆隔离层代替现有技术中的粘接剂层，包覆隔离层能够进行平坦化处理，使得靠近功能薄膜层一侧的表面粗糙度减小，能够减少漫反射，从而减少光传输损耗。进一步地，以硅基槽波导层作为导光的光路，通过改变硅基槽波导层中成对脊型波导的厚度、宽度以及间距可以灵活的改变硅基槽波导层的有效折射率，从而实现较好的限制光的效果。
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公开(公告)号：CN116859628A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310975076.5
申请日：2023-08-04
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种低直流漂移薄膜及其制备方法，用于制备包括第二缓冲层的低直流漂移薄膜，第二缓冲层包括呈周期性间隔排布的第一缓冲部和第二缓冲部，且第一缓冲部的电阻率大于第二缓冲部的电阻率，或第一缓冲部的电阻率小于第二缓冲部的电阻率。第二缓冲层的电阻率在表面上以高阻率和低阻率相间的周期性形式分布，进而可以调节第二缓冲层在不同方向上的电阻率，从而可以减小第二缓冲层的纵向电阻，以引入有利的负直流漂移，能够部分抵消不利的正直流漂移，同时不会导致第二缓冲层的横向电阻发生明显下降，因此不会引入显著增加的直流漂移量，从而抑制直流漂移现象。
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公开(公告)号：CN116682876A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310759478.1
申请日：2023-06-26
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
IPC: H01L31/0392 , H01L31/18 , H01L33/00 , H01L33/16
Abstract: 本申请实施例提供了一种复合薄膜及其制备方法，包括：依次层叠的衬底层、隔离层和有源层；其中，衬底层的材质为多晶材料，和/或非晶材料。首先，相较于现有技术的复合薄膜中硅材质的衬底层，本申请制备复合薄膜的过程中无需进行硅材质提纯、硅衬底多步清洗以及多晶硅生长工艺制作缺陷层等步骤，大大简化了复合薄膜的制备过程；其次，多晶材料或者非晶材料的衬底层中存在空位缺陷，其可以捕获载流子，从而能够避免复合薄膜中产生寄生导电效应，降低损耗；再者，多晶或者非晶材料的价格远低于硅材料的价格，约为其1/3；因此，具有多晶材料或非晶材料衬底层的复合薄膜，可以在保证性能的前提下，大大降低成本。
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公开(公告)号：CN111965854B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202010887317.7
申请日：2020-08-28
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
IPC: G02F1/03
Abstract: 本申请实施例提供一种电光晶体薄膜及其制备方法，及电光调制器，其中，电光晶体薄膜从下到上依次包括：硅衬底层、二氧化硅层、硅波导层、包覆隔离层、测量反射层、隔离层和功能薄膜层；硅波导层嵌入包覆隔离层中；测量反射层为低微波损耗且可见光波段反射率高的金属或者非金属，用于对隔离层和功能薄膜层的厚度及均匀性进行监控。隔离层做平坦化处理，且可与功能薄膜层键合。采用前述的方案，通过在结构中设置测量反射层，使所述隔离层的厚度可控，减少其厚度偏差，使其表面更平整，均匀性更好，以此来减少键合耦合损耗，使得在制备成电光调制器光信号能在功能薄膜层和硅波导层之间得到很好的耦合，使得制备的器件带宽宽、损耗低，器件一致性好。
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公开(公告)号：CN114381808B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202111610461.7
申请日：2021-12-27
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
Abstract: 本申请公开微波加热制备复合薄膜的方法、复合薄膜及电子元器件，包括：对单晶晶圆执行离子注入处理，采用的注入离子为极性离子，获得包含余质层、极性注入层和薄膜层三层结构的单晶晶圆注入片；在与所述单晶晶圆预匹配的非同质衬底晶圆的其中一面制作绝缘层得到衬底晶圆；将所述单晶晶圆注入片与所述衬底晶圆的绝缘层键合，得到键合界面含有极性分子的键合体；对所述键合体使用微波发生器执行预设工艺参数的加热处理，直至所述极性注入层与所述薄膜层分离，得到剥离所述余质层后的单晶压电复合薄膜；所述预设工艺参数包括：加热所述键合体至预设温度，并保持预设时长。采用上述制备方法，避免复合薄膜某一层或整体断裂，降低复合薄膜的生产成本。
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