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公开(公告)号：CN118311792A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410235874.9
申请日：2024-03-01
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种用于高性能电光调制器的复合薄膜及其制备方法，通过本发明制备方法可以制备出用于高性能电光调制器的复合薄膜，复合薄膜依次包括单晶薄膜层、隔离层、缺陷层和衬底层。通过本发明能够制备出具有缺陷层以及高厚7～25μm隔离层的高性能电光调制器的复合薄膜，解决了厚隔离层制备困难的问题，不仅缩短了制备的生产周期，保证隔离层的质量，还能使缺陷层的晶体形貌、尺寸不因为制备高厚度隔离层需要的工艺要求变化，保持原来的性能和结构。
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公开(公告)号：CN112234012A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011154997.8
申请日：2020-10-26
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
IPC: H01L21/68 , H01L21/683 , H01L41/312
Abstract: 本申请提供了一种不同尺寸晶圆键合定位装置，键合体及其制备方法，其中所述定位装置包括：用于定位第一晶圆的第一定位盘和用于定位第二晶圆的第二定位盘；所述第一定位盘和第二定位盘为空心圆环，所述第二定位盘内环直径大于所述第一定位盘的内环直径；所述第一定位盘与所述第二定位盘叠层且同轴设置；所述第一定位盘和第二定位盘设置有平边结构或定位柱，所述平边结构用于与第一晶圆或第二晶圆的平边吻合，所述定位柱用于与第一晶圆或第二晶圆的V槽边吻合。采用前述的方案，利用同轴设置第一定位盘和第二定位盘可以准确的定位第一晶圆及第二晶圆，实现第一晶圆和第二晶圆的对齐，提高压键合体的质量。
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公开(公告)号：CN118173432A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410141196.X
申请日：2024-01-31
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/3205 , H01L21/20 , B32B9/04 , B32B33/00
Abstract: 本申请提供一种低翘曲的复合薄膜及其制备方法，所述复合薄膜从下至上依次包括支撑层、衬底层和有源层，所述支撑层的材质为金属材料；所述制备方法包括：准备衬底晶圆和供体晶圆；将衬底晶圆与供体晶圆键合得到复合薄膜；对复合薄膜的衬底层进行化学机械抛光，降低衬底层的粗糙度，获得光滑平坦的衬底层；在衬底层上镀一层支撑层。通过复合薄膜的衬底层进行磁控溅射，镀上一层坚硬的金属层作为支撑，以降低晶圆在后续工艺中发生的变形程度，达到降低翘曲的目的。
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公开(公告)号：CN117116759A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311146720.4
申请日：2023-09-07
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
IPC: H01L21/324 , H01L21/306 , H01L21/3105 , H01L21/311 , H01L21/762
Abstract: 本发明公开了一种衬底外延层表面寄生电导效应的方法，包括以下步骤：在衬底基体上沉积吸杂层，无氧气氛下退火得到衬底基体/吸杂层；对吸杂层进行腐蚀，得到无杂质衬底层。利用这种方法得到的衬底外延层制备复合薄膜的方法为：薄膜基体通过离子注入形成薄膜层、注入层和余质层，将薄膜层和无杂质衬底层的工艺面键合得键合体，对键合体热处理，剥离余质层，得到复合薄膜。本发明通过在衬底层上制备吸杂层，在无氧气氛下退火对衬底层所含杂质以及游离的电荷进行吸附，然后再腐蚀掉吸杂层的方法，使得衬底外延层表面的表面寄生电导效应得到有效抑制，保证衬底层在后续制备复合薄膜或器件时不会产生表面寄生电导效应。
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公开(公告)号：CN116721912A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310625482.9
申请日：2023-05-30
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/3115
Abstract: 本申请提供了一种含电荷阻隔层的复合基底、复合薄膜及其制备方法，属于半导体元件制备领域。通过对衬底基板的工艺面进行界面热扩散掺杂或离子注入掺杂制得电荷阻隔层，然后在掺杂后的衬底基板上制备缺陷层，缺陷层采用在衬底基板上沉积制备或者采用腐蚀法腐蚀衬底基板或采用注入法注入衬底基板产生注入损伤，形成缺陷层；再在缺陷层上采用沉积法或氧化法制备隔离层，形成复合基底；将薄膜基体注入片与复合基底的隔离层进行键合形成键合体，并进行热处理形成复合薄膜。本发明的复合基底、复合薄膜增加了用于阻止缺陷层中的电荷下溢的电荷阻隔层，能够大幅度提高衬底层和缺陷层界面间的阻抗，防止影响其在电子元器件制备中的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115951509B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310231132.4
申请日：2023-03-13
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
IPC: G02F1/03
Abstract: 提供了一种电光晶体薄膜、制备方法及电子元件，涉及半导体元件技术领域，其中，电光晶体薄膜的制备方法包括：对衬底层进行刻蚀处理，刻蚀后的衬底层表面形成凹槽和相较于凹槽凸起的光波导结构；在凹槽内制备填充层；在光波导结构和填充层共同形成的表面依次制备隔离层、功能层，以形成复合薄膜；去除填充层，形成电光晶体薄膜。本申请中通过在衬底层上刻蚀光波导结构后制备填充层，并形成复合薄膜后，再将填充层去除，从而保证了在衬底层的刻蚀深度合适，形成高度合适的光波导结构。
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公开(公告)号：CN116065127B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202310041547.5
申请日：2023-01-11
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
Abstract: 本申请实施例提供一种复合薄膜及其制备方法，所述复合薄膜包括衬底基板、第一隔离层、第二隔离层和功能薄膜层，所述第一隔离层、所述第二隔离层和所述功能薄膜层自下而上依次层叠设置于所述衬底基板的表面，且所述第一隔离层和所述第二隔离层的材质相同，所述第二隔离层的直径小于所述第一隔离层的直径。本申请会使得第一隔离层与第二隔离层之间的键合力更强，使衬底基板与功能基板所形成的键合体具有更好的键合效果，进而使得从键合体中剥离形成的复合薄膜具有更好的结构强度和稳定性。
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公开(公告)号：CN112234013B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202011155785.1
申请日：2020-10-26
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
IPC: H01L21/68 , H01L21/683 , H10N30/072
Abstract: 本申请公开一种不同尺寸晶圆键合定位装置，键合体及其制备方法，其中定位装置包括：定位第一晶圆的第一定位机构和定位第二晶圆的第二定位机构；第一定位机构或第二定位机构包含定位晶圆平边的平边定位柱和定位晶圆圆边的圆边定位柱，圆边定位柱分别设置于平边定位柱中心线的两侧；或者，第一定位机构或者第二定位机构包含定位晶圆V槽边的V槽边定位柱和定位晶圆圆边的圆边定位柱，其中V槽边定位柱与晶圆V槽边吻合，圆边定位柱分别设置于V槽边定位柱中心线的两侧。采用前述的方案，利用定位装置实现第一晶圆和第二晶圆的对齐，使晶圆键合体能够完全利用到第一晶圆的特性，提高键合体的质量。
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公开(公告)号：CN118295157A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410235765.7
申请日：2024-03-01
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
IPC: G02F1/03
Abstract: 本申请提供一种用于电光调制器的复合薄膜的制备方法及复合薄膜，所述方法包括：准备硅晶圆、衬底晶圆和供体晶圆；对硅晶圆上下表面分别进行热氧化处理得到前驱体；将前驱体的上下表面分别与衬底晶圆的缺陷层进行键合得到键合体；在键合体的硅中间层处进行切割分离，并进行前处理得到目标晶圆；将目标晶圆和供体晶圆键合，进行后处理后得到复合薄膜；复合薄膜从下至上依次为衬底层、缺陷层、隔离层以及功能薄膜层。本申请提供的方法解决了厚隔离层制备困难的问题，缩短制备的生产周期，保证隔离层的质量不下降，而且还能使缺陷层的晶体形貌、尺寸保持原来的性能和结构不变化。
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公开(公告)号：CN116613059A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310625387.9
申请日：2023-05-30
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/3115
Abstract: 本申请提供了一种含电荷捕获层的复合基底、复合薄膜及其制备方法，属于半导体元件制备领域。通过在衬底基板上制备缺陷层，对缺陷层进行离子注入掺杂或界面热扩散掺杂，然后对掺杂处理后的缺陷层进行部分氧化后，掺杂有离子的缺陷层的部分被氧化为电荷捕获层，未掺杂有离子的缺陷层的部分被氧化为隔离层，形成复合基底；并基于离子注入法对薄膜基体的工艺面进行注入离子得到薄膜基体注入片，将薄膜基体注入片与复合基底的电荷捕获层进行键合形成键合体，对键合体进行热处理，使键合体的薄膜层转移至复合基底上形成复合薄膜。本发明的复合薄膜在隔离层和薄膜层之间增加了用于捕获界面电荷的电荷捕获层，可降低电荷对后续器件造成的影响。
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