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公开(公告)号：CN119948629A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202480004153.5
申请日：2024-03-04
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种降低开关元件的导通损耗的半导体模块。半导体模块（10）具有：端子壳体（11），其在第一短边部（11a）配置有第一输入端子和第二输入端子（11a1、11a2），在第二长边部（11d）配置有第二控制端子（11d1）、第二辅助端子（11d2）；第一绝缘电路基板（13a），其配置在端子壳体（11）的第二短边部（11b）侧；以及第二绝缘电路基板（13b），其配置在第一短边部（11a）侧。在第二绝缘电路基板（13b）的正面设置有在端子壳体（11）的长度方向上延伸的第五金属图案（15b2）。半导体模块（10）还具有第一布线部件（16a），其一端与第五金属图案（15b）上的在上述长度方向上比第二绝缘电路基板（13b）的长度的一半的位置更远离第一短边部（11a）的位置连接，另一端与第二辅助端子（11d2）连接。
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公开(公告)号：CN119948626A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202380067454.8
申请日：2023-03-01
Applicant: 株式会社力森诺科
Abstract: [解决手段]层叠体依次具备第1树脂层、第1导电层、绝缘层、第2导电层和第2树脂层，上述第1树脂层具有收容部，第1导电层配置于上述第1树脂层的上述收容部内。导电层叠体依次具备第1导电层、绝缘层和第2导电层，在第1导电层与绝缘层之间以及绝缘层与第2导电层之间分别具备粘接层。
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公开(公告)号：CN114556534B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN201980101294.8
申请日：2019-10-17
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 目的在于提供提高了引线部与半导体元件之间的接合可靠性的半导体装置。半导体装置包含半导体元件及引线部。半导体元件搭载于在绝缘基板设置的电路图案。引线部具有板状的形状，经由第1接合材料而与半导体元件接合。引线部包含引线主体及接合部件。引线主体包含与半导体元件的搭载位置对应地设置的开口部。接合部件在开口部内设置于半导体元件之上。接合部件的下表面通过第1接合材料而与半导体元件接合，并且，接合部件的外周部通过第2接合材料而与开口部的内周接合。
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公开(公告)号：CN110707060B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN201910276289.2
申请日：2019-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L25/065 , H01L25/18 , H01L23/31 , H10B80/00
Abstract: 一种半导体芯片包括：半导体基板、贯通电极、中间焊盘、上焊盘和重布线。半导体基板包括作为有源表面的第一表面和与第一表面相对的第二表面。贯通电极穿透半导体基板并且在半导体基板的中心部分中设置成沿第一方向的至少一列。中间焊盘在第二表面的边缘部分中设置成沿第一方向的至少一列。上焊盘设置在第二表面上并连接到贯通电极。重布线设置在第二表面上并将中间焊盘连接到上焊盘。
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公开(公告)号：CN119836691A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202380063046.5
申请日：2023-08-03
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L25/065 , H01L23/538 , H01L23/498 , H01L23/66 , H01L23/15 , H01L25/18 , H10B80/00
Abstract: 微电子组件的实施例包括：玻璃的中介层结构；包括有机电介质材料的衬底，所述衬底耦合到所述中介层结构的第一侧；以及多个IC管芯。所述多个IC管芯中的第一IC管芯通过第一互连件耦合到所述衬底，所述多个IC管芯中的第二IC管芯嵌入所述衬底的有机电介质材料中，所述第二IC管芯通过第二互连件耦合到所述第一IC管芯，所述第二IC管芯通过第三互连件耦合到所述中介层结构的第一侧，并且所述多个IC管芯中的第三IC管芯通过第四互连件耦合到所述中介层结构的第二侧，所述中介层结构的第二侧与所述中介层结构的第一侧相对。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119816945A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202380062937.9
申请日：2023-08-22
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 构成一相的上下臂电路的半导体装置具备经由焊料(104)连接的接头部(80、81)。与半导体元件的主电极电连接的多个焊料分别含有Cu及Sn。各焊料的连接对象分别具有Ni层。焊料(104)含有Cu及Sn，接头部(80、81)具有Ni层(801、811)。焊料(104)的粒径比以集电极电极为连接对象的焊料的粒径小。
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公开(公告)号：CN110335864B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN201910599763.5
申请日：2019-07-04
Applicant: 深圳市奕通功率电子有限公司
Inventor： 徐文辉
IPC: H01L25/18 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供一种功率模组，包括：若干功率模块、第一及第二电容电极导电层、滤波电容、吸收电容。功率模块包括绝缘基板、设置在绝缘基板上的第一及第二桥臂导电层、设置在第一桥臂导电层上的多个第一桥臂功率芯片、设置在第二桥臂导电层上的多个第二桥臂功率芯片、设置在绝缘基板上的第一桥臂电极导电层、设置在第一桥臂电极导电层上的第一电极导电条、设置在第二桥臂导电层上的第二电极导电条、设置在绝缘基板上的输出电极导电层、设置在输出电极导电层上的输出电极导电条；多个第一桥臂功率芯片分别与第一桥臂电极导电层电连接，所述第一桥臂导电层与输出电极导电层电连接，多个第二桥臂功率芯片分别与输出电极导电层电连接。
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公开(公告)号：CN119725101A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411945109.2
申请日：2024-12-27
Applicant: 徐州致能半导体有限公司 , 广东致能半导体有限公司
Abstract: 本申请公开了一种共源共栅器件封装结构及其制备方法，涉及半导体器件封装技术领域，本申请的共源共栅器件封装结构的制备方法，包括：提供载板并在载板上设置键合膜；在键合膜上设置开关元件和化合物半导体器件；采用塑封材料封装开关元件和化合物半导体器件形成封装件；在封装件上形成电路互联层，电路互联层连接开关元件和化合物半导体器件；去除载板和键合膜形成连接体；将连接体放置于框架内，并连接电路互联层和框架上的接线点形成共源共栅器件。本申请提供的共源共栅封装结构及其制备方法，能够提高共源共栅器件封装结构的封装效率。
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公开(公告)号：CN119677315A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202311198003.6
申请日：2023-09-15
Applicant: 合肥维信诺科技有限公司 , 昆山国显光电有限公司
Abstract: 本申请提供一种显示面板、显示面板的制造方法及电子设备，所述显示面板包括：阵列基板；位于所述阵列基板一侧的第一电极层，所述第一电极层包括多个间隔设置的第一电极；位于所述阵列基板一侧的隔断结构，所述隔断结构包括暴露出所述第一电极的像素开口；位于所述像素开口内层叠设置的发光层、第二电极层及第一封装层；位于所述第一封装层及所述隔断结构远离所述阵列基板一侧的滤光层；所述隔断结构在所述阵列基板上的正投影位于所述滤光层在所述阵列基板上的正投影内。通过设置可以覆盖隔断结构的滤光层，由所述滤光层阻挡外界照射向所述隔断结构的光线，从而可以减少隔断结构或隔断结构上其他膜层的反光效果，提高用户视觉体验。
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公开(公告)号：CN119547203A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202380052684.7
申请日：2023-07-14
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 在将散热器接合于绝缘电路基板的情况等形成多层接合体的情况下，在低温下接合而抑制翘曲。一种多层接合体，具备：陶瓷基板；第一铝板，与陶瓷基板的一个面接合，且包含铝或铝合金；第一中间金属层，与第一铝板的与陶瓷基板相反的一侧的面接合，且包含铜、镍、银及金中的任一种；第一铜烧结层，与第一中间金属层的与第一铝板相反的一侧的面接合；及第一金属部件，与第一铜烧结层的与第一中间金属层相反的一侧的面接合，且包含铝、铝合金、铜及铜合金中的任一种。
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