公开(公告)号：US20060110842A1

公开(公告)日：2006-05-25

申请号：US10996234

申请日：2004-11-23

Applicant: Yuh-Hwa Chang ,  Fei-Yun Chen ,  Jiann-Tyng Tzeng ,  Cheng-Yu Chu ,  Chun-Kai Peng ,  Chih-Chieh Yeh ,  Chih-Heng Po ,  Dah-Chuen Ho

Inventor： Yuh-Hwa Chang ,  Fei-Yun Chen ,  Jiann-Tyng Tzeng ,  Cheng-Yu Chu ,  Chun-Kai Peng ,  Chih-Chieh Yeh ,  Chih-Heng Po ,  Dah-Chuen Ho

IPC: H01L21/00 ,  H01L31/0203

CPC classification number: B81C1/00253 ,  B81C2201/0178 ,  B81C2201/053

Abstract: The disclosure relates to a method and apparatus for preventing extrusion or spiking of a metal atom from a metallization layer to other layers of a silicon wafer. In one embodiment, the method includes forming a silicon-on-ship device with a MEMS component on the substrate. The MEMS component may include one or more metal or metallic alloys. To prevent spiking from the MEMS component, the sides thereof can be coated with one ore more spacer or barrier layers. In one embodiment, oxygen plasma and thermal oxidation methods are used to deposit spacers. In another embodiment, an oxide layer is deposited over the wafer, covering the substrate and the MEMS component. Selective etching or anisotropic etching can be used to remove the oxide layer from certain regions of the MEMS and the substrate while covering the sidewalls. An amorphous silicon layer can then be deposited to cover the MEMS device.

Abstract translation: 本公开涉及一种用于防止金属原子从金属化层挤出或尖峰到硅晶片其它层的方法和装置。 在一个实施例中，该方法包括在衬底上形成具有MEMS部件的在船上的硅装置。 MEMS组件可以包括一种或多种金属或金属合金。 为了防止从MEMS部件尖尖，其侧面可以涂覆一个或多个间隔物或阻挡层。 在一个实施例中，使用氧等离子体和热氧化方法来沉积间隔物。 在另一个实施例中，氧化物层沉积在晶片上，覆盖衬底和MEMS部件。 可以使用选择性蚀刻或各向异性蚀刻从覆盖侧壁的MEMS和衬底的某些区域去除氧化物层。 然后可以沉积非晶硅层以覆盖MEMS器件。