公开(公告)号：US09224794B2

公开(公告)日：2015-12-29

申请号：US13868273

申请日：2013-04-23

Applicant: Intel Corporation

Inventor： Steven Keating ,  Nick Lindert ,  Nadia Rahhal-Orabi ,  Brian Doyle ,  Satyarth Suri ,  Swaminathan Sivakumar ,  Lana Jong ,  Lin Sha

IPC: H01L29/92 ,  H01L49/02 ,  H01G4/012 ,  H01G4/33 ,  H01L23/522 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01G4/012 ,  H01G4/33 ,  H01L23/5223 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/90 ,  H01L28/91 ,  H01L28/92 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: A method of patterning a metal (141, 341, 841) on a vertical sidewall (132, 332, 832) of an excavated feature (130, 330, 830) includes placing a material (350) in the excavated feature such that a portion (435) of the metal is exposed in the excavated feature above the material, etching the exposed portion of the metal away from the vertical sidewall using a first wet etch chemistry, and removing the material from the excavated feature by etching it away using a second wet etch chemistry. The described method may be used to produce a MIM capacitor (800) suitable for an eDRAM device.

Abstract translation: 在挖掘特征（130,330,830）的垂直侧壁（132,332,832）上图案化金属（141,341,841）的方法包括将材料（350）放置在挖掘的特征中，使得部分 （435）暴露在材料上方的挖掘特征中，使用第一湿蚀刻化学法将金属的暴露部分从垂直侧壁上蚀刻出来，并且通过使用第二湿蚀刻化学法将其去除，从挖掘的特征中去除材料 湿蚀刻化学。 所描述的方法可以用于产生适合于eDRAM设备的MIM电容器（800）。