公开(公告)号：US20020158334A1

公开(公告)日：2002-10-31

申请号：US09845881

申请日：2001-04-30

Applicant: Intel Corporation

Inventor： Quat T. Vu ,  Tuy T. Ton ,  Steven Towle

IPC: H01L023/02

CPC classification number: H01L23/16 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/2413 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/00

Abstract: A microelectronic device includes a microelectronic die having an interfacial metal layer deposited over an active surface thereof to perform a signal distribution function within the device. The microelectronic die is fixed within a package core to form a die/core assembly. One or more metallization layers may then be built up over the die/core assembly as part of a packaging scheme. The interfacial metal layer can be applied either before or after the die is fixed within the package core. In one approach, the interfacial layer is applied during wafer-level processing.

Abstract translation: 微电子器件包括具有沉积在其有效表面上的界面金属层的微电子管芯，以在器件内执行信号分配功能。 微电子管芯固定在封装芯内以形成芯/芯组件。 然后可以将一个或多个金属化层作为包装方案的一部分在模具/芯组件上形成。 界面金属层可以在芯片固定在封装芯内之前或之后施加。 在一种方法中，在晶片级处理期间施加界面层。