一种制造相变化记忆体的方法，包含：形成一结构，包含：底电极；介电层，位于底电极上方；隔离层，位于介电层上方，并具有开口贯穿隔离层；以及多晶硅层，位于开口内；形成第一孔洞及第二孔洞分别贯穿多晶硅层及介电层，第二孔洞位于第一孔洞的下方；形成保护层于第一孔洞及第二孔洞内及多晶硅层上方；进行化学机械研磨制程，或者进行干蚀刻制程及化学机械研磨制程，以移除保护层的一部分、隔离层及多晶硅层，并暴露介电层，以及留下第二孔洞内的保护层；移除第二孔洞内的保护层，以暴露第二孔洞；以及沉积加热材料至第二孔洞内。此方法可避开使用氢氧化四甲基铵溶液造成的危险，又可避免介电层中的孔洞损伤，使孔洞具有良好的尺寸稳定性。