一种晶硅组合面抑制产生晶硅外延和纳米孪晶的方法，属于太阳能电池领域。通过设计一种晶硅组合平面，在制备硅异质结(SHJ)太阳电池的过程中可以有效地抑制晶硅/非晶硅(c‑Si/a‑Si)界面处晶硅外延和纳米孪晶的形成与生长。通过利用Lammps软件对不同晶硅组合面组成的c‑Si/a‑Si界面模型进行分子动力学模拟以对本发明所设计的不同晶硅组合面对界面形貌的影响，并与以纯(111)面组成的界面分子动力学模拟结果对比，研究结果表明(111)/(011)这种组合面可以有效抑制c‑Si外延和纳米孪晶的形成与生长，改善了c‑Si/a‑Si界面质量。该方法有希望指导SHJ太阳电池的未来研究方向。