-
公开(公告)号：CN114582693B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202011380087.1
申请日：2020-11-30
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本发明公开了一种等离子体处理装置及其末端执行器、边缘环及方法。所述等离子体处理装置的反应腔内设有用来承载晶圆的基座；环绕基座外侧设置的边缘环，设有容纳部用来与末端执行器相配合；所述末端执行器包括运载晶圆的晶圆承载部和运载所述边缘环的边缘环承载部；所述末端执行器穿过反应腔腔壁的开口进出所述反应腔。本发明中所述等离子体处理装置的末端执行器能够同时运载晶圆和边缘环进出反应腔，也能够单独运载晶圆进出反应腔进行传片，或单独运载边缘环进出反应腔进行边缘环更换。本发明实现了在不打开反应腔的情况下更换边缘环，显著地提高了设备工作效率，节省了大量的人力和时间，有效地降低了设备的使用成本。
-
公开(公告)号：CN112687602B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN201910996040.9
申请日：2019-10-18
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本申请提供一种静电吸盘，包括底座和和底座上设置的圆盘结构，圆盘结构的上表面用于固定晶圆。其中，底座中形成有第一通孔，第一通孔中形成有分流部件，分流部件将第一通孔分为多个子通孔，分流部件和第一通孔的侧壁之间形成有填充层；圆盘结构中形成有轴向贯穿圆盘结构的第二通孔，第一通孔的尺径大于第二通孔的尺径，第一通孔和第二通孔连通。冷却气体可以通过第一通孔中的多个子通孔流向第二通孔，从而与圆盘结构上固定的晶圆接触来调节晶圆温度，而填充层可以填充分流部件和底座之间的侧壁间隙，减小了冷却气体的放电空间，降低了冷却气体被击穿的可能性，提高静电吸盘的使用寿命。
-
公开(公告)号：CN112768332B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN201911071144.5
申请日：2019-11-05
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/50
Abstract: 本发明公开了一种气体输送系统及半导体处理装置，包括气体调节装置，气体调节装置的输入端接入处理气体；多个支路气体管路，每一支路气体管路均包括依次连接的支路开关阀、缓冲器、第一气动阀及质量流量控制器，支路开关阀的输入端与气体调节装置的输出端相连，质量流量控制器的输出端连接相应的反应腔。将多个支路气体管路共用同一气体调节装置，能够减少气体输送系统的组成部件而使其结构简单、占用面积小，且降低半导体处理装置的成本；每一支路气体管路中均设置有一缓冲器，起到稳定所在支路气体管路的传输气体的压力的作用，还消除其他支路气体管路在突然关闭或突然开启时造成的传输气体的压力不稳的影响，提高半导体处理装置性能。
-
公开(公告)号：CN114446748B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202011191143.7
申请日：2020-10-30
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种等离子体处理装置及其工作方法，该等离子体处理装置包含：真空反应腔，其由反应腔腔体和腔体端盖包围而成；下电极组件，设置在所述真空反应腔内；可移动上电极组件，与所述下电极组件相对设置，所述可移动上电极组件和下电极组件之间为等离子体环境；所述反应腔腔体设置有若干个观测窗，所述观测窗外部设置有若干个可移动监测仪，所述可移动监测仪用于监测所述可移动上电极组件与所述下电极组件之间的夹角和同心度。其优点是：将观测窗与可移动监测仪相结合，其结构简单，观测方便，便于工作人员的日常维护与使用，更进一步保证了晶圆刻蚀的效果。
-
公开(公告)号：CN114001858B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202010740454.8
申请日：2020-07-28
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体加工技术领域，具体公开了一种电容式薄膜真空计，包括壳体和极板，壳体具有端口，壳体内部的空腔设置一膜片，膜片包括与端口相对的第一表面和与极板相对的第二表面，第一表面具有致密的膜层，膜层含氟元素。本发明通过在真空计中的膜片上增加一层致密膜层，阻挡反应腔内的氟自由基渗透到膜片中，避免膜片发生性能改变，从而避免由于膜片性能改变造成的零点漂移，保证了真空计的测量精度，解决了现有真空计中氟自由基渗透造成的零点漂移的问题。进一步地，提供了一种等离子体反应装置，这种装置压力便于控制和监控，以及膜层的制备方法，制备得到的膜层具有高致密的性质。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114188206B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202010967087.5
申请日：2020-09-15
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种等离子体处理装置及其上电极组件的调节方法，该装置包含：真空反应腔，其由反应腔腔体和设有通孔的腔体端盖包围而成；下电极组件，与通孔中心对称；上电极组件，贯穿腔体端盖的通孔，上电极组件的边缘与通孔的侧壁之间设有间距；若干个加热组件，用于加热上电极组件，使上电极组件受热膨胀直至上电极组件边缘周向与通孔的侧壁接触；若干个支撑组件，用于实现上电极组件和腔体端盖的分离和固定，当加热组件处于加热状态时，上电极组件和腔体端盖可发生相互位移。其优点是：该装置将加热组件、支撑组件等相结合，利用热胀冷缩的原理，实现上电极组件的对中调节，不需要另外安装其他复杂的结构，结构简单，调节方便。
-
公开(公告)号：CN113013010B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN201911327071.1
申请日：2019-12-20
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 波纹管结构、调整垂直度的方法及其等离子体处理装置。本发明涉及一种波纹管结构及其调整波纹管轴的垂直度的方法。波纹管结构包括波纹管轴、波纹管本体及调整块。波纹管本体套设波纹管轴。调整块可调整套设位置地套设波纹管轴，用于改变波纹管轴的垂直度。本发明通过调整块套设并调整波纹管轴，以达到使波纹管轴具有更好的垂直度的功效。
-
公开(公告)号：CN111383890B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN201811613040.8
申请日：2018-12-27
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种进气管路连接装置及含其的用于等离子体刻蚀的进气单元，该进气管路连接装置包括管状本体及设置在所述管状本体内的耐腐蚀密封件；所述刻蚀气体管线与所述气体管路接头分别从所述管状本体的两端伸入并进行对接，且对接处由所述耐腐蚀密封件进行环绕并密封；所述管状本体的两端分别与所述刻蚀气体管线与所述气体管路接头通过焊接固定。采用本发明后，水汽进入刻蚀气体管线中所接触到的是耐腐蚀密封件，不会接触到焊接在进气管路连接装置外部两侧的焊缝，因而避免了原有刻蚀气体管线焊缝的腐蚀，延长了刻蚀气体管线的使用寿命，有效避免由于刻蚀气体管线腐蚀造成的晶片金属污染，提高了产品的质量。
-
公开(公告)号：CN111383882B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN201811606414.3
申请日：2018-12-27
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种等离子体处理装置及用于该处理装置的基片支座，所述基片支座包含：基座，依次设置在基座上的加热层和静电吸盘，以及设置在加热层和静电吸盘之间的导热层；静电吸盘用于夹持基片；加热层用于对置于所述静电吸盘上的基片进行温控；导热层包括分布在加热层上的若干个沟槽，以及灌封在沟槽内的导热金属流体，导热金属的热导率大于50W/mK；导热金属流体在所述沟槽内流动，使得基片支座具有均一的温度。本发明的导热金属在沟槽内向温度偏低的区域流动，充分实现区域内的热对流交换；使得各区域内的局部基片温度更加均匀一致，进而提高基片良品率。
-
公开(公告)号：CN112447472B
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN201910796561.X
申请日：2019-08-27
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体反应装置，包含由壳体、顶板和衬套包围形成的反应腔。在该等离子体反应装置的衬套内壁顶部开设第一环槽，所述第一环槽的侧壁和底面设置在衬套上，第一环槽的顶部由顶板封隔；在第一环槽内设置一个气流通道环，设置在顶板上与气流通道环位置对应的边缘气体注入通道和/或反应气体注入器向反应腔内注入等离子反应气体。通过与气流通道环连接的动力装置驱动该气流通道环重复地上下运动，改变注入反应腔内气体的流动方式，加速注入气体扩散，实现了反应腔内气体的均一性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
127
records
(took 0.056 seconds)
