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公开(公告)号：CN104160479B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201380013532.2
申请日：2013-02-01
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
Abstract: 提供了一种用于制造半导体结构的解决方案。该半导体结构包括使用一组外延生长周期生长在基板上的多个半导体层。在每个外延生长周期期间，生长具有拉伸应力或压缩应力中的一个的第一半导体层，然后直接在第一半导体层上生长具有拉伸应力或压缩应力中的另一个的第二半导体层。一组生长条件中的一个或多个、一层或两层的厚度、和/或层之间的晶格失配，可以被配置成在层之间的界面的最小百分比内产生目标级别的压缩和/或拉伸应力。
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公开(公告)号：CN105006505B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201510179524.6
申请日：2015-04-15
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明涉及具有应力管理的半导体异质结构。提供了一种异质结构，包括：衬底；和在所述衬底上外延生长的族III氮化物层，其中，所述族III氮化物层包括：第一族III氮化物材料和具有第一厚度的多个子层；和第二族III氮化物材料和具有第二厚度的多个薄子层，以及其中，所述多个子层与所述多个薄子层交替，其中，所述第一族III氮化物材料包括至少0.05的镓的摩尔分数，其中，所述第一族III氮化物材料中的镓的摩尔分数与所述第一族III氮化物材料中镓的摩尔分数有至少0.05的差异，且其中，所述第二厚度是所述第一厚度的最多百分之五。
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公开(公告)号：CN104979440B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201510170384.6
申请日：2015-04-10
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
Abstract: 提供了配置用于其上的半导体层的外延生长的复合衬底。复合衬底包括由具有不同热膨胀系数的不同材料制成的多个衬底层。半导体层的材料的热膨胀系数可以在衬底层材料的热系数之间。复合衬底可以具有配置为减小在针对使用异质结构制造的器件的工作温度和/或室内温度下的半导体层内的拉伸应力量的复合热膨胀系数。
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公开(公告)号：CN105263531B
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201480016435.3
申请日：2014-03-18
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
Abstract: 用于给可流动产品，诸如液体、混悬剂、霜剂、胶体、乳剂、粉末等等，以及与其相关的配件和产品，诸如容器、帽、刷子、敷抹器等等，消毒的解决方案。在实施例中，紫外线防渗帽被配置为封住对应于可流动产品的容积。至少一个紫外线辐射源可以被安装在帽上并且被配置为产生用于给被封区域消毒的紫外线辐射。紫外线辐射源可被配置为只有在容积被紫外线防渗帽封住时才产生紫外线辐射。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105765742A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201480054847.6
申请日：2014-10-02
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
IPC: H01L33/30
CPC classification number: H01L33/12 , H01L33/007 , H01L33/145 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L2933/0016 , H01L2933/0083 , H01L2933/0091
Abstract: 描述了一种包括阳极氧化铝层的半导体结构。所述阳极氧化铝层可位于半导体层和另一个材料层之间。所述阳极氧化铝层可包括延伸到所述半导体层的相邻表面的多个孔。所述材料层可渗入至少一些所述多个孔并与所述半导体层直接接触。在说明性的实施方案中，所述材料层为传导材料，并且所述阳极氧化铝位于p型接触部处。
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公开(公告)号：CN104736261A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201380053723.1
申请日：2013-08-28
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
CPC classification number: A61L2/10 , A61L2202/14 , A61L2202/21 , F25D17/042 , F25D27/005 , F25D2317/0417
Abstract: 紫外辐射被指向区域中。位于该区域中的物品和/或该区域的一个或多个条件在一段时间上被监视。基于该监视，通过调整由紫外辐射源生成的紫外辐射的方向、强度、模式和/或频谱功率来控制紫外辐射源。对紫外辐射源的调整可以对应于包括存储期限保存操作配置、消毒操作配置和乙烯分解操作配置的多个可选择的操作配置中之一，每种操作配置可以包括对应的目标波长范围和/或目标强度范围。
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公开(公告)号：CN111955811B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202010896308.4
申请日：2015-10-15
Applicant: 首尔伟傲世有限公司 , 传感器电子技术股份有限公司
IPC: A41D13/00 , A41D13/002 , A61L2/10 , A61L2/24 , A61L9/20
Abstract: 提供了一种防护服。所述防护服包括：针对使用者的可穿戴的衣服，所述可穿戴的衣服由能够经受紫外辐射的材料制成；空气输入管和空气输出管；紫外杀菌组件，合并在所述可穿戴的衣服中并且连接到空气输入管，其中，紫外杀菌组件包括：入口，来自周围环境的空气进入入口；过滤单元和紫外杀菌源，过滤单元包括用于去除周围环境空气的颗粒的空气过滤单元；其中，紫外杀菌源被构造为在空气移动穿过紫外杀菌组件时，对空气进行灭菌，并且其中，紫外杀菌组件还包括导光结构，所述导光结构发射扩散的紫外光。
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公开(公告)号：CN104838509B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201380055363.9
申请日：2013-10-22
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
Abstract: 提供了一种用于封装诸如发光二极管的双端子装置的解决方案。在一个实施例中，一种封装双端子装置的方法包括：图案化金属片以包括多个开口；接合至少一个双端子装置至金属片，其中第一开口对应于至少一个双端子装置的第一接触与第二接触之间的距离；以及在至少一个双端子装置每个周围切割金属片，其中金属片形成了至第一接触的第一电极以及至第二接触的第二电极。
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公开(公告)号：CN105518878B
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201480048504.9
申请日：2014-09-03
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
IPC: H01L33/06
CPC classification number: H01L31/035272 , H01L33/04 , H01L33/32
Abstract: 提供了光电子器件的改进的异质结构。该异质结构包括有源区域、电子阻挡层和p型接触层。p型接触层和电子阻挡层可以用p型掺杂剂掺杂。电子阻挡层的掺杂剂浓度可以是p型接触层的掺杂剂浓度的最多百分之十。还对设计这种异质结构的方法进行了描述。
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