公开(公告)号：CN114807874A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210309573.7

申请日：2015-03-13

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 池田祐希 ,  荒川笃俊

IPC: C23C14/34

Abstract: 本发明涉及磁性材料溅射靶。一种溅射靶，其为具有含有Fe的金属基质相、和形成粒子并分散存在的非磁性相的溅射靶，其特征在于，非磁性相含有0.1～40摩尔％的C，所述溅射靶的X射线衍射的单峰之中强度最高的衍射峰的积分宽度为0.8以下。本发明提供一种非磁性材料粒子分散型溅射靶，其通过抑制溅射时的初始粉粒的产生从而减少预烧时间，并且在溅射时可得到稳定的放电。

公开(公告)号：CN111792919A

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN202010534063.0

申请日：2014-03-04

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 高见英生 ,  中村祐一郎 ,  荒川笃俊 ,  荻野真一

IPC: C04B35/04 ,  C04B35/46 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明涉及MgO-TiO烧结体靶及其制造方法。一种MgO-TiO烧结体，其含有25～90摩尔％TiO，其余包含MgO和不可避免的杂质。本发明的课题在于提供一种成膜速度快、且能够进行粉粒产生少的直流(DC)溅射的高密度靶及其制造方法。

公开(公告)号：CN106029943A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201580009968.3

申请日：2015-06-16

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 荒川笃俊 ,  森下优斗

IPC: C23C14/34 ,  C22C5/04 ,  C22C19/07 ,  C22C32/00 ,  G11B5/851

CPC classification number: C22C5/04 ,  C22C19/07 ,  C22C32/00 ,  C23C14/34 ,  G11B5/851

Abstract: 一种溅射靶，其为含有以Co或Fe作为主要成分的合金以及包含Mn和B的氧化物的溅射靶，其特征在于，上述溅射靶的组成满足9原子％≤Mn+B+O≤56原子％、B≤Mn(原子％)、Mn+B≤O(原子％)的条件，能够抑制成为溅射时的粉粒产生的原因的由非磁性材料引起的异常放电。

公开(公告)号：CN106029943B

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201580009968.3

申请日：2015-06-16

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 荒川笃俊 ,  森下优斗

IPC: C23C14/34 ,  C22C5/04 ,  C22C19/07 ,  C22C32/00 ,  G11B5/851

CPC classification number: C22C5/04 ,  C22C19/07 ,  C22C32/00 ,  C23C14/34 ,  G11B5/851

Abstract: 一种溅射靶，其为含有以Co或Fe作为主要成分的合金以及包含Mn和B的氧化物的溅射靶，其特征在于，上述溅射靶的组成满足9原子％≤Mn+B+O≤56原子％、B≤Mn(原子％)、Mn+B≤O(原子％)的条件，能够抑制成为溅射时的粉粒产生的原因的由非磁性材料引起的异常放电。

公开(公告)号：CN106795620A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201580008580.1

申请日：2015-03-13

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 池田祐希 ,  荒川笃俊

IPC: C23C14/34 ,  G11B5/851

CPC classification number: G11B5/851 ,  C23C14/14 ,  C23C14/3414

Abstract: 一种溅射靶，其为具有含有Fe的金属基质相、和形成粒子并分散存在的非磁性相的溅射靶，其特征在于，非磁性相含有0.1～40摩尔％的C，所述溅射靶的X射线衍射的单峰之中强度最高的衍射峰的积分宽度为0.8以下。本发明提供一种非磁性材料粒子分散型溅射靶，其通过抑制溅射时的初始粉粒的产生从而减少预烧时间，并且在溅射时可得到稳定的放电。