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发明公开
同质外延薄膜、其制造方法和制造装置审中-实审

公开(公告)号：CN119654451A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202380046769.4

申请日：2023-10-02

Applicant: 株式会社新柯隆

Inventor： 稻濑阳介 , 斋藤优 , 远藤光人 , 宫崎俊也

IPC: C30B29/30 , C30B23/08 , C23C14/08 , C23C14/34

Abstract: 为了在具有LiNbO3单晶或LiTaO3单晶的表面的基板(2)的上述表面形成同质外延薄膜，通过高频溅射法使与上述单晶相同的组合物沉积在具有LiNbO3单晶或LiTaO3单晶的表面的基板的上述表面。制造装置(1)具有腔室(11)和向配置于上述腔室的内部的靶材(121)供给高频电力的高频电源，溅射电极(12)配置为上述靶材的面法线(PL1)相对于位于成膜位置的基板偏移配置且上述靶材的面法线(PL1)相对于上述基板的面法线(PL2)倾斜15°～75°。

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