公开(公告)号：CN119654451A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202380046769.4

申请日：2023-10-02

Applicant: 株式会社新柯隆

Inventor： 稻濑阳介 ,  斋藤优 ,  远藤光人 ,  宫崎俊也

IPC: C30B29/30 ,  C30B23/08 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34

Abstract: 为了在具有LiNbO3单晶或LiTaO3单晶的表面的基板(2)的上述表面形成同质外延薄膜，通过高频溅射法使与上述单晶相同的组合物沉积在具有LiNbO3单晶或LiTaO3单晶的表面的基板的上述表面。制造装置(1)具有腔室(11)和向配置于上述腔室的内部的靶材(121)供给高频电力的高频电源，溅射电极(12)配置为上述靶材的面法线(PL1)相对于位于成膜位置的基板偏移配置且上述靶材的面法线(PL1)相对于上述基板的面法线(PL2)倾斜15°～75°。

公开(公告)号：CN111593309A

公开(公告)日：2020-08-28

申请号：CN201910129730.4

申请日：2019-02-21

Applicant: 株式会社新柯隆

Inventor： 长江亦周 ,  稻濑阳介 ,  菅原卓哉

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06

Abstract: 本申请公开一种溅射成膜装置，包括：具有排气机构的真空容器；基板保持单元，其能保持多个基板；位于所述真空容器内部并且在空间上相互分离的溅射区域和反应区域；所述溅射区域被配置为通过溅射靶材在基板上形成溅射物质；所述反应区域被配置为导入两种以上的反应气体并在该反应区域生成等离子体；所述反应区域通过等离子体中的离子与所述溅射物质相互作用形成含有至少四种元素的化合物薄膜。该溅射成膜装置便于形成期望材料的薄膜，并在形成四种元素以上的化合物薄膜时，并不受化合物材料的限制，同时成膜效率较快，具有非常良好的应用价值。