公开(公告)号：CN119654451A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202380046769.4

申请日：2023-10-02

Applicant: 株式会社新柯隆

Inventor： 稻濑阳介 ,  斋藤优 ,  远藤光人 ,  宫崎俊也

IPC: C30B29/30 ,  C30B23/08 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34

Abstract: 为了在具有LiNbO3单晶或LiTaO3单晶的表面的基板(2)的上述表面形成同质外延薄膜，通过高频溅射法使与上述单晶相同的组合物沉积在具有LiNbO3单晶或LiTaO3单晶的表面的基板的上述表面。制造装置(1)具有腔室(11)和向配置于上述腔室的内部的靶材(121)供给高频电力的高频电源，溅射电极(12)配置为上述靶材的面法线(PL1)相对于位于成膜位置的基板偏移配置且上述靶材的面法线(PL1)相对于上述基板的面法线(PL2)倾斜15°～75°。

公开(公告)号：CN116568854A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202180057905.0

申请日：2021-10-19

Applicant: 株式会社新柯隆

Inventor： 五十岚诚 ,  斋藤优 ,  野中裕弥

IPC: C23C14/24

Abstract: 提供一种运转率高的成膜装置。其具备：成膜室(2)，该成膜室(2)至少设置有成膜材料M和被成膜物(S)，能够设定为规定的成膜气氛；炉膛内衬(23)，该炉膛内衬(23)设置于上述成膜室(2)的内部，容纳上述成膜材料M；加热源(24)，该加热源(24)设置于上述成膜室(2)的内部，对容纳在上述炉膛内衬(23)的成膜材料(M)进行加热；和材料供给室(3)，该材料供给室(3)具有填充用于供给至上述炉膛内衬(23)的成膜材料(M)的材料填充部(35)，通过具有闸阀(37)的连通路径(36)与上述成膜室(2)连接，能够设定为规定的压力气氛。在供给成膜材料(M)的情况下，在将成膜室(2)设定为成膜气氛的状态下，将上述材料供给室(3)的内部设定为上述规定的压力气氛后，打开上述闸阀(37)，通过上述连通路径(36)将填充在上述材料填充部(35)的成膜材料(M)供给至上述炉膛内衬(23)。