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公开(公告)号:CN119654451A
公开(公告)日:2025-03-18
申请号:CN202380046769.4
申请日:2023-10-02
Applicant: 株式会社新柯隆
Abstract: 为了在具有LiNbO3单晶或LiTaO3单晶的表面的基板(2)的上述表面形成同质外延薄膜,通过高频溅射法使与上述单晶相同的组合物沉积在具有LiNbO3单晶或LiTaO3单晶的表面的基板的上述表面。制造装置(1)具有腔室(11)和向配置于上述腔室的内部的靶材(121)供给高频电力的高频电源,溅射电极(12)配置为上述靶材的面法线(PL1)相对于位于成膜位置的基板偏移配置且上述靶材的面法线(PL1)相对于上述基板的面法线(PL2)倾斜15°~75°。
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公开(公告)号:CN113337809A
公开(公告)日:2021-09-03
申请号:CN202010092653.2
申请日:2020-02-14
Applicant: 株式会社新柯隆
IPC: C23C16/50 , C23C16/455 , G02B1/10 , G02B1/11
Abstract: 本申请公开一种低折射率薄膜形成装置,包括:用于容纳基板的真空成膜室;用于向所述真空成膜室导入气体的导入机构;用于在所述真空成膜室中形成等离子体的等离子源;所述等离子源能在所述基板上利用所述气体进行等离子体化学气相沉积成膜。本申请所公开的薄膜形成装置能够制造大面积的实用化的且成本的低折射率的薄膜。
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