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公开(公告)号：CN104034920A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410079550.7
申请日：2014-03-06
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: G01P21/00 , G01P15/125
CPC classification number: G01P21/00 , G01P15/125
Abstract: 本发明涉及监视加速计的系统及方法。提供了监视MEMS加速计（100）的操作的系统及方法。在这些实施例中，具有正向通路（114）的控制回路（112）耦合至MEMS加速计换能器（110），并提供了测试信号发生器（124）和测试信号检测器（126）。测试信号发生器（124）被配置为生成测试信号并且在MEMS加速计换能器（110）的操作期间将该测试信号施加于控制回路（112）的正向通路（114）。测试信号检测器（126）被配置为从该控制回路接收输出信号并检测该测试信号在输出信号中的效果。最后，测试信号检测器还被配置为生成指示该感测设备的操作的监视输出，以提供对MEMS加速计的操作的连续监视。
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公开(公告)号：CN104052401A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410095374.6
申请日：2014-03-14
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H03B5/04
CPC classification number: H03L3/00 , H03B5/30 , H03B2200/0094
Abstract: MEMS谐振器系统包括MEMS谐振器、启动电路、反馈电路、振荡器以及开关。所述MEMS谐振器系统被配置为提供有频率和周期的脉冲的启动信号，以便传送给所述MEMS谐振器的能量在短时间被优化，这就缩短了振荡器的启动时间。当所述MEMS谐振器的振荡已实现的时候，所述MEMS谐振器系统被配置为断开所述启动信号，并且在反馈电路中切换以将所述MEMS谐振器维持在振荡状态。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107032289A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201610925667.1
申请日：2016-10-24
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: G01P15/125 , B81B3/0078 , B81B2201/025 , B81B2201/0264 , G01L9/0042 , G01L9/0073 , G01L19/0092 , B81B7/0009 , B81B7/02 , B81C1/00198 , G01C19/00 , G01L1/148 , G01P15/08 , G01P2015/0862
Abstract: 本公开涉及具有集成多个刺激感测能力的MEMS传感器装置。传感器装置包括：装置结构；和顶盖，所述顶盖与所述装置结构耦合，以产生空腔，所述传感器装置的组件位于所述空腔内。所述装置结构包括衬底和与所述衬底的表面间隔开的可移动元件。端口延伸穿过位于所述可移动元件下面的所述衬底。传感元件与所述可移动元件间隔开，并从所述端口移离。所述可移动元件和所述传感元件形成惯性传感器，以感测当所述可移动元件相对于所述传感元件移动时的运动刺激。另外的传感元件连同隔膜一起跨越所述端口。所述可移动元件和所述另外的传感元件形成压力传感器，以感测当所述另外的传感元件连同所述隔膜一起相对于所述可移动元件移动时来自外部环境的压力刺激。
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公开(公告)号：CN103964367A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410033777.8
申请日：2014-01-24
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: B81B7/02
CPC classification number: H02N1/006 , B81B2201/0235 , B81B2203/058 , B81C1/00976
Abstract: 本发明涉及抗静摩擦的MEMS器件及其操作方法。MEMS器件（20）包括通过有弹簧常数（104）的弹簧构件(34)悬挂在衬底（22）之上的可移动元件（20）。弹簧软化电压（58）在上电模式期间（100）被施加于面对可移动元件（20）的电极（24、26）以减小弹簧构件(34)的刚度，并且从而增加可移动元件（32）对输入刺激（46）的灵敏度。一旦检测到静摩擦条件（112），弹簧软化电压（58）被有效地移除以从静摩擦条件（112）恢复可移动元件（32）。较高的机械弹簧常数（104）在未上电模式（96）期间产生有较大恢复力（122）的硬弹簧（34）以从静摩擦条件（112）恢复。反馈电压（56）可以被施加于面对可移动元件（32）的反馈电极（28、30）以提供电阻尼。
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公开(公告)号：CN103964367B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410033777.8
申请日：2014-01-24
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: B81B7/02
CPC classification number: H02N1/006 , B81B2201/0235 , B81B2203/058 , B81C1/00976
Abstract: 本发明涉及抗静摩擦的MEMS器件及其操作方法。MEMS器件（20）包括通过有弹簧常数（104）的弹簧构件(34)悬挂在衬底（22）之上的可移动元件（20）。弹簧软化电压（58）在上电模式期间100）被施加于面对可移动元件（20）的电极（24、26）以减小弹簧构件(34)的刚度，并且从而增加可移动元件（32）对输入刺激（46）的灵敏度。一旦检测到静摩擦条件（112），弹簧软化电压（58）被有效地移除以从静摩擦条件（112）恢复可移动元件（32）。较高的机械弹簧常数（104）在未上电模式（96）期间产生有较大恢复力（122）的硬弹簧34）以从静摩擦条件（112）恢复。反馈电压（56）可以被施加于面对可移动元件（32）的反馈电极28、30）以提供电阻尼。
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公开(公告)号：CN102401706B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201110240721.6
申请日：2011-08-22
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: B81C1/00309 , B81B2201/0264 , G01L9/0073 , Y10T29/49126
Abstract: 一种微机电系统(MEMS)压力传感器件(20、62)及其制造方法。该器件包括其中形成有腔(32、68)的衬底结构(22、64)和其中形成有基准元件(36)的衬底结构(24)。感测元件(44)置于衬底结构(22、24)之间并且与基准元件(36)隔开。感测元件(44)经由腔(68)和基准元件(36)中形成的多个开口(38)中的一个而暴露于外部环境(48)。感测元件(44)能够响应于来自环境(48)的压力激励(54)而相对于基准元件(36)移动。制造方法(76)涉及形成(78)具有腔(32、68)的衬底结构(22、64)、制造(84)包括感测元件(44)的衬底结构(24)、耦接(92)衬底结构和随后在衬底结构(24)中形成(96)基准元件(36)。
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公开(公告)号：CN102401706A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110240721.6
申请日：2011-08-22
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: B81C1/00309 , B81B2201/0264 , G01L9/0073 , Y10T29/49126
Abstract: 一种微机电系统(MEMS)压力传感器件(20、62)及其制造方法。该器件包括其中形成有腔(32、68)的衬底结构(22、64)和其中形成有基准元件(36)的衬底结构(24)。感测元件(44)置于衬底结构(22、24)之间并且与基准元件(36)隔开。感测元件(44)经由腔(68)和基准元件(36)中形成的多个开口(38)中的一个而暴露于外部环境(48)。感测元件(44)能够响应于来自环境(48)的压力激励(54)而相对于基准元件(36)移动。制造方法(76)涉及形成(78)具有腔(32、68)的衬底结构(22、64)、制造(84)包括感测元件(44)的衬底结构(24)、耦接(92)衬底结构和随后在衬底结构(24)中形成(96)基准元件(36)。
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