아연 공기 전지, 아연 공기 전지용 음극 및 그 제조 방법
    1.
    发明公开
    아연 공기 전지, 아연 공기 전지용 음극 및 그 제조 방법 有权
    ZINC空气池,ZINC空气细胞阳极及其制备方法

    公开(公告)号:KR1020150041696A

    公开(公告)日:2015-04-17

    申请号:KR1020130119777

    申请日:2013-10-08

    CPC classification number: H01M4/42 H01M4/134 H01M4/48 H01M4/485 H01M12/06

    Abstract: 본발명은아연공기전지, 아연공기전지용음극및 그제조방법에관한것이다. 보다자세하게는, 높은수소과전압을갖는금속산화물이코팅된아연복합체인아연공기전지용음극활물질을제조함으로써아연공기전지음극에서의부반응인수소발생및 이에따른아연부식을억제할수 있는장점을갖는, 아연공기전지, 아연공기전지용음극및 그제조방법에관한것이다.

    Abstract translation: 本发明涉及锌空气电池,锌空气电池用阳极及其制备方法。 根据本发明,通过制备阴极活性材料,其是涂覆有高氢过电压的金属氧化物的锌络合物,在锌空气电池的阴极中产生氢作为副反应,并引起锌的腐蚀 从而可以抑制。

    우주 및 고고도용 태양전지 효율향상을 위한 형광 양자점 파장 변환기 및 그 제작 방법
    2.
    发明公开
    우주 및 고고도용 태양전지 효율향상을 위한 형광 양자점 파장 변환기 및 그 제작 방법 无效
    荧光量子点波长转换器用于提高太阳能电池的空间和高空效率及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020170110256A

    公开(公告)日:2017-10-11

    申请号:KR1020160034377

    申请日:2016-03-23

    Abstract: 본발명은태양전지에관한것으로서, 더상세하게는형광양자점을 III-V족기반다중접합태양전지셀에적용하여우주및 고고도태양광스펙트럼하에서광전변환효율을향상시키는형광양자점파장변환기및 그제작방법에대한것이다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种太阳能电池,并且通过将荧光量子点上的-V-基于III组的多结太阳能电池更具体地涉及的荧光量子点波长转换器,以增强下空间和高海拔选择起重光谱的光电转换效率和它的制造方法 是的。

    그래핀을 완충층으로 사용한 게르마늄 단결정 박막의 제조 방법
    3.
    发明授权
    그래핀을 완충층으로 사용한 게르마늄 단결정 박막의 제조 방법 有权
    石墨烯缓冲层优质锗膜的方法

    公开(公告)号:KR101683127B1

    公开(公告)日:2016-12-06

    申请号:KR1020150024028

    申请日:2015-02-17

    CPC classification number: Y02E10/50 Y02P70/521

    Abstract: 본발명은그래핀을사용하여성장한고품질단결정게르마늄박막의제조방법에관한것이다. 본발명에따른단결정게르마늄박막성장법은저압화학기상증착(LP-CVD) 방법을기반으로, 실리콘옥사이드기판위에형성된그래핀을완충층으로하여게르마늄박막을성장시키는것이다. 실리콘옥사이드기판위에그래핀을전사시키는단계, 저온에서게르마늄박막성장하는단계, 게르마늄박막의결정성을향상시키는열처리단계및 고온에서게르마늄박막을성장하는단계를통하여고품질의게르마늄단결정박막을얻을수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及使用石墨烯生长的高品质单晶锗薄膜及其制造方法。 根据本发明的单晶锗薄膜生长方法通过使用形成在氧化硅衬底上的石墨烯作为基于低压化学气相沉积(LP-CVD)方法的缓冲层来生长锗薄膜。 本发明包括以下步骤:将石墨烯转移到氧化硅衬底上; 在低温下生长锗薄膜; 进行热处理以提高锗薄膜的结晶度; 并在高温下生长锗薄膜以获得高质量的锗单晶薄膜。

    2차 전지의 잔여 용량 및 에러 상태 표시 장치
    4.
    发明公开
    2차 전지의 잔여 용량 및 에러 상태 표시 장치 无效
    用于显示二次电池电池充电状态和错误状态的装置

    公开(公告)号:KR1020150051457A

    公开(公告)日:2015-05-13

    申请号:KR1020130132941

    申请日:2013-11-04

    CPC classification number: H01M10/48 H01M4/00 H01M10/04

    Abstract: 본발명은 2차전지의잔여용량및 에러상태표시장치에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른 2차전지의잔여용량및 에러상태표시장치는, 2차전지패키지의디스플레이부에출력되는레벨게이지를포함하며, 상기레벨게이지는, BMS(battery management system)에서수집된 2차전지의잔여용량을기초로상기 2차전지가정상상태이면상기잔여용량을표시하고, 상기 2차전지가비정상상태이면에러상태를표시하는것을특징으로한다.

    Abstract translation: 本发明涉及用于显示二次电池的剩余容量和错误状态的装置。 根据本发明的实施例的用于显示二次电池的剩余容量和错误状态的装置包括输出到二次电池组的显示单元的电平计。 液位计显示二次电池处于正常状态时的剩余容量,并根据从电池管理系统(BMS)收集的二次电池的剩余容量显示二次电池处于异常状态时的错误状态, 。

    헤테로 고리 화합물을 포함하는 리튬 이차 전지용 전극 활물질 및 이를 포함하는 리튬 이차 전지
    5.
    发明授权
    헤테로 고리 화합물을 포함하는 리튬 이차 전지용 전극 활물질 및 이를 포함하는 리튬 이차 전지 有权
    的电极活性材料的锂二次电池和锂二次电池,其是相同的,包括该杂环化合物

    公开(公告)号:KR101517870B1

    公开(公告)日:2015-05-11

    申请号:KR1020130118435

    申请日:2013-10-04

    Abstract: 본 발명은 헤테로 고리 화합물을 사용하는 리튬 이차 전지용 전극 활물질 및 이를 포함하는 리튬 이차 전지에 관한 것으로서, 보다 자세하게는 질소(N), 산소(O) 및 황(S)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소를 포함하는 6원자 고리 또는 5원자 고리 헤테로 고리 화합물을 양극 또는 음극 활물질로 사용하고, 상기 헤테로 고리 화합물은 질소와 이중 결합을 이루는 2 쌍의 탄소가 단일 결합으로 연결되어 있는 작용기를 포함함으로써, 산화-환원 활성을 갖는 리튬 이차 전지용 전극 활물질 및 이를 포함하는 리튬 이차 전지에 관한 것이다.

    Abstract translation: 1种本发明的从锂二次电池中,电极活性材料中选择,并涉及一种锂二次电池,包括相同的,由更特别是氮(N),氧(O)和使用的杂环化合物的硫(S)的基团 在6元环中使用的杂环化合物或含有至少一种元素作为正电极或负电极活性材料的5元环的杂环化合物,并且是,通过包括具有两对碳的构成氮和双键连接至单个键的官能团 氧化物, - 涉及一种可再充电锂电池,包括锂二次电池,所述电极活性材料和该具有还原活性。

    계면 정합 특성이 개선된 열전소자 및 그 제조방법
    6.
    发明授权
    계면 정합 특성이 개선된 열전소자 및 그 제조방법 有权
    具有高界面匹配的热电装置及其制造方法

    公开(公告)号:KR101368400B1

    公开(公告)日:2014-02-28

    申请号:KR1020120104764

    申请日:2012-09-20

    CPC classification number: H01L35/18 H01L35/20 H01L35/34

    Abstract: A thermoelectric device according to the embodiment of the present invention comprises a thermoelectric semiconductor including CoSb3; a first metal plate which is laminated in the thermoelectric semiconductor and includes platinum (Pt) or platinum (Pt) alloy; a second metal plate which is laminated in the first metal plate and includes titanium (Ti) metal or titanium (Ti) alloy; a silver (Ag)-copper (Cu) based alloy plate which is laminated in the second plate and includes silver (Ag) and copper (Cu); and a copper molybdenum (CuMo) electrode which is laminated in the silver (Ag)-copper (Cu) based alloy plate and includes copper and molybdenum. [Reference numerals] (AA,BB) Pressure

    Abstract translation: 根据本发明的实施方式的热电装置包括:包含CoSb 3的热电半导体; 叠层在热电半导体中并包含铂(Pt)或铂(Pt)合金的第一金属板; 第二金属板,其层压在第一金属板中并且包括钛(Ti)金属或钛(Ti)合金; 银(Ag) - 铜(Cu)基合金板,层压在第二板中,包括银(Ag)和铜(Cu); 以及层叠在银(Ag) - 铜(Cu)系合金板中并包含铜和钼的铜钼(CuMo)电极。 (附图标记)(AA,BB)压力

    그래핀을 완충층으로 사용한 게르마늄 단결정 박막의 제조 방법
    9.
    发明公开
    그래핀을 완충층으로 사용한 게르마늄 단결정 박막의 제조 방법 有权
    石墨缓冲层的高品质锗膜及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020160101451A

    公开(公告)日:2016-08-25

    申请号:KR1020150024028

    申请日:2015-02-17

    Abstract: 본발명은그래핀을사용하여성장한고품질단결정게르마늄박막및 제조방법에관한것이다. 본발명에따른단결정게르마늄박막성장법은저압화학기상증착(LP-CVD) 방법을기반으로, 실리콘옥사이드기판위에형성된그래핀을완충층으로하여게르마늄박막을성장시키는것이다. 실리콘옥사이드기판위에그래핀을전사시키는단계, 저온에서게르마늄박막성장하는단계, 게르마늄박막의결정성을향상시키는열처리단계및 고온에서게르마늄박막을성장하는단계를통하여고품질의게르마늄단결정박막을얻을수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及使用石墨烯生长的高品质单晶锗薄膜及其制造方法。 根据本发明的单晶锗薄膜生长方法通过使用形成在氧化硅衬底上的石墨烯作为基于低压化学气相沉积(LP-CVD)方法的缓冲层来生长锗薄膜。 本发明包括以下步骤:将石墨烯转移到氧化硅衬底上; 在低温下生长锗薄膜; 进行热处理以提高锗薄膜的结晶度; 并在高温下生长锗薄膜以获得高质量的锗单晶薄膜。

    이터븀이 도핑된 P타입 철-안티몬계 열전재료 및 그 제조방법
    10.
    发明授权
    이터븀이 도핑된 P타입 철-안티몬계 열전재료 및 그 제조방법 有权
    带有YB的P型FE-SB热电材料及其制造方法

    公开(公告)号:KR101316720B1

    公开(公告)日:2013-10-10

    申请号:KR1020120104130

    申请日:2012-09-19

    CPC classification number: H01L35/18 B22F3/12 C22C12/00 C22C19/00 H01L35/34

    Abstract: PURPOSE: A P-type Fe-Sb thermoelectric material doped with Yb and a manufacturing method thereof are provided to improve a performance index by substituting Sn for a part of Sb. CONSTITUTION: Co is added to a Fe-Sb compound. Yb is added to the Fe-Sb compound with Co. A thermoelectric composition starting material is made. The thermoelectric composition starting material is melted. A thermoelectric composition is synthesized by thermally processing the melted thermoelectric composition starting material.

    Abstract translation: 目的:提供掺杂Yb的P型Fe-Sb热电材料及其制造方法,以通过用Sn代替一部分Sb来提高性能指标。 构成:将Co添加到Fe-Sb化合物中。 将Yb加入到具有Co的Fe-Sb化合物中。制备热电组合物原料。 将热电组合物原料熔化。 通过热处理熔融的热电组合物原料来合成热电组合物。

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