公开(公告)号：KR101683127B1

公开(公告)日：2016-12-06

申请号：KR1020150024028

申请日：2015-02-17

Applicant: 국방과학연구소

Inventor： 여재성 ,  이은혜 ,  정동익 ,  최헌진 ,  박윤호 ,  김성욱 ,  이재준

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0256

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 본발명은그래핀을사용하여성장한고품질단결정게르마늄박막의제조방법에관한것이다. 본발명에따른단결정게르마늄박막성장법은저압화학기상증착(LP-CVD) 방법을기반으로, 실리콘옥사이드기판위에형성된그래핀을완충층으로하여게르마늄박막을성장시키는것이다. 실리콘옥사이드기판위에그래핀을전사시키는단계, 저온에서게르마늄박막성장하는단계, 게르마늄박막의결정성을향상시키는열처리단계및 고온에서게르마늄박막을성장하는단계를통하여고품질의게르마늄단결정박막을얻을수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及使用石墨烯生长的高品质单晶锗薄膜及其制造方法。 根据本发明的单晶锗薄膜生长方法通过使用形成在氧化硅衬底上的石墨烯作为基于低压化学气相沉积（LP-CVD）方法的缓冲层来生长锗薄膜。 本发明包括以下步骤：将石墨烯转移到氧化硅衬底上; 在低温下生长锗薄膜; 进行热处理以提高锗薄膜的结晶度; 并在高温下生长锗薄膜以获得高质量的锗单晶薄膜。

公开(公告)号：KR101635970B1

公开(公告)日：2016-07-04

申请号：KR1020150024029

申请日：2015-02-17

Applicant: 국방과학연구소

Inventor： 이은혜 ,  정동익 ,  여재성 ,  최헌진 ,  박윤호 ,  김성욱 ,  이재준

IPC: H01L31/0392 ,  H01L21/285 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0256

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/0392 ,  H01L21/28556 ,  H01L31/0256 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/54

Abstract: 본발명은전사공정이용이한실리콘옥사이드층이형성된실리콘기판위에성장한고품질게르마늄단결정박막성장기술에관한것으로, 본발명에따른게르마늄단결정박막성장법은저압화학기상증착법 (LP-CVD)를이용하여, 실리콘옥사이드위에게르마늄박막을성장시키는단계공정이며, 구체적으로실리콘옥사이드층위에저온에서게르마늄박막을성장시키는단계, 열처리를통해게르마늄박막의결정성을향상시키는단계, 고온에서게르마늄박막을성장시키는단계및 에칭단계를통하여고품질의게르마늄단결정박막을얻을수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及用于生长在包含易于施加转印工艺的氧化硅层的硅衬底上的高质量锗单晶薄膜的技术。 根据本发明，锗单晶薄膜的制造方法是通过使用低压化学气相沉积（LP-CVD）在氧化硅上生长锗薄膜的方法。 具体地说，锗单晶薄膜的制造方法具有如下步骤：在低温下生长氧化硅层上的锗薄膜; 通过热处理改善锗薄膜的结晶性; 在高温下生长锗薄膜; 并通过蚀刻获得高质量的锗单晶薄膜。

公开(公告)号：KR1020160101451A

公开(公告)日：2016-08-25

申请号：KR1020150024028

申请日：2015-02-17

Applicant: 국방과학연구소

Inventor： 여재성 ,  이은혜 ,  정동익 ,  최헌진 ,  박윤호 ,  김성욱 ,  이재준

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0256

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0256 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/54

Abstract: 본발명은그래핀을사용하여성장한고품질단결정게르마늄박막및 제조방법에관한것이다. 본발명에따른단결정게르마늄박막성장법은저압화학기상증착(LP-CVD) 방법을기반으로, 실리콘옥사이드기판위에형성된그래핀을완충층으로하여게르마늄박막을성장시키는것이다. 실리콘옥사이드기판위에그래핀을전사시키는단계, 저온에서게르마늄박막성장하는단계, 게르마늄박막의결정성을향상시키는열처리단계및 고온에서게르마늄박막을성장하는단계를통하여고품질의게르마늄단결정박막을얻을수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及使用石墨烯生长的高品质单晶锗薄膜及其制造方法。 根据本发明的单晶锗薄膜生长方法通过使用形成在氧化硅衬底上的石墨烯作为基于低压化学气相沉积（LP-CVD）方法的缓冲层来生长锗薄膜。 本发明包括以下步骤：将石墨烯转移到氧化硅衬底上; 在低温下生长锗薄膜; 进行热处理以提高锗薄膜的结晶度; 并在高温下生长锗薄膜以获得高质量的锗单晶薄膜。