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公开(公告)号：KR102097682B1
公开(公告)日：2020-04-06
申请号：KR1020180123274
申请日：2018-10-16
Applicant: 국방과학연구소
IPC: B63G8/00 , B63G8/22 , H01M8/04082 , H01M8/04313 , H01M8/04955
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公开(公告)号：KR101653156B1
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：KR1020150056604
申请日：2015-04-22
Applicant: 국방과학연구소
IPC: H01L31/18 , H01L31/0392 , H01L31/0224 , H02S10/40 , B64C39/02
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은태양전지패널및 그제작방법에관한것으로서, 본발명의목적은다중접합박막으로이루어져곡면형의물체에구비하기용이하며, 제조과정에서잔류응력이형성되도록하여실제사용시에추가적인인장응력이발생하지않도록함으로써얇은두께에비해파손위험을낮출수 있는, 잔류응력이있는다중접합박막을이용한곡면형태양전지패널및 그제작방법을제공함에있다.
Abstract translation: 太阳能电池面板及其制造方法技术领域本发明涉及太阳能电池面板及其制造方法。 根据本发明，提供了使用具有残余应力的多结薄膜的弯曲型太阳能电池面板及其制造方法。 太阳能电池面板由多结薄膜制成，容易具有弯曲型物体。 在制造过程中形成残余应力，以在实际使用太阳能电池板时防止额外的拉伸应力，从而尽管厚度薄而降低了损伤风险。
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公开(公告)号：KR102200778B1
公开(公告)日：2021-01-11
申请号：KR1020190077062
申请日：2019-06-27
Applicant: 국방과학연구소
IPC: H01M8/0232 , H01M8/0239 , H01M8/0267 , H01M8/0247 , H01M8/0258 , H01M8/2465 , H01M8/248 , B63G8/08
Abstract: 수중전원용고성능연료전지스택이개시된다. 상기수중전원용고성능연료전지스택은, 막전극접합체의양면에배치되는제 1 및제 2 가스확산층(GDL: Gas Diffusion Layer), 상기제 1 및제 2 가스확산층의표면상에각각배치되는캐소드및 애노드분리판, 상기캐소드및 애노드분리판의표면상에각각배치되는캐소드및 애노드더미분리판, 및상기캐소드및 애노드더미분리판의표면상에각각배치되는제 1 및제 2 엔드플레이트를포함하는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR1020210001248A
公开(公告)日：2021-01-06
申请号：KR1020190077062
申请日：2019-06-27
Applicant: 국방과학연구소
IPC: H01M8/0232 , H01M8/0239 , H01M8/0267 , H01M8/0247 , H01M8/0258 , H01M8/2465 , H01M8/248 , B63G8/08
Abstract: 수중전원용고성능연료전지스택이개시된다. 상기수중전원용고성능연료전지스택은, 막전극접합체의양면에배치되는제 1 및제 2 가스확산층(GDL: Gas Diffusion Layer), 상기제 1 및제 2 가스확산층의표면상에각각배치되는캐소드및 애노드분리판, 상기캐소드및 애노드분리판의표면상에각각배치되는캐소드및 애노드더미분리판, 및상기캐소드및 애노드더미분리판의표면상에각각배치되는제 1 및제 2 엔드플레이트를포함하는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR101760209B1
公开(公告)日：2017-07-20
申请号：KR1020160034877
申请日：2016-03-23
Applicant: 국방과학연구소
IPC: G01K7/01 , H02S50/10 , H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/50 , G01K7/01 , H01L31/042 , H02S50/10
Abstract: 제안기술은태양전지셀을이용한온도측정방법에관한것으로, 더욱상세하게는표준이되는임의의태양전지셀의개방전압값을이용하여측정하고자하는태양전지의표면및 주변의실제온도를계측하는태양전지셀을이용한온도측정방법에관한발명이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种使用太阳能电池的温度测量方法，并且更具体地涉及一种测量太阳能电池的温度的方法，该方法使用开口式太阳能电池来测量待测量的太阳能电池的表面温度， 本发明涉及使用电池单元的温度测量方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101635970B1
公开(公告)日：2016-07-04
申请号：KR1020150024029
申请日：2015-02-17
Applicant: 국방과학연구소
IPC: H01L31/0392 , H01L21/285 , H01L31/18 , H01L31/0256
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/0392 , H01L21/28556 , H01L31/0256 , H01L31/18 , Y02E10/54
Abstract: 본발명은전사공정이용이한실리콘옥사이드층이형성된실리콘기판위에성장한고품질게르마늄단결정박막성장기술에관한것으로, 본발명에따른게르마늄단결정박막성장법은저압화학기상증착법 (LP-CVD)를이용하여, 실리콘옥사이드위에게르마늄박막을성장시키는단계공정이며, 구체적으로실리콘옥사이드층위에저온에서게르마늄박막을성장시키는단계, 열처리를통해게르마늄박막의결정성을향상시키는단계, 고온에서게르마늄박막을성장시키는단계및 에칭단계를통하여고품질의게르마늄단결정박막을얻을수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及用于生长在包含易于施加转印工艺的氧化硅层的硅衬底上的高质量锗单晶薄膜的技术。 根据本发明，锗单晶薄膜的制造方法是通过使用低压化学气相沉积（LP-CVD）在氧化硅上生长锗薄膜的方法。 具体地说，锗单晶薄膜的制造方法具有如下步骤：在低温下生长氧化硅层上的锗薄膜; 通过热处理改善锗薄膜的结晶性; 在高温下生长锗薄膜; 并通过蚀刻获得高质量的锗单晶薄膜。
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公开(公告)号：KR101850396B1
公开(公告)日：2018-04-19
申请号：KR1020170023669
申请日：2017-02-22
Applicant: 국방과학연구소
Abstract: 본발명은불활성기체분위기전액상체금속전지및 그제작방법에관한것이다. 본발명은개방된상부, 원통을이루는측벽및 원통의하부를이루는하면으로이루어지고, 전도성물질로이루어지는하부몸체, 상기하면과접촉하도록, 상기하부몸체내부에적층되는양극재료층, 상기양극재료층 위에적층되는전해질재료층, 상기전해질재료층 위에적층되는음극재료층, 상기음극재료층에접촉하는음극전류집전체봉, 상기음극전류집전체봉을에워싸는알루미나절연봉 및상기음극전류집전체를지지하도록이루어지고, 기체주입구및 기체배출구를포함하는상부몸체를포함하고, 상기상부및 하부몸체는서로절연된상태로결합되는것을특징으로하는전액상체금속전지를제공한다. 본발명에따른전액상체금속전지는고온에서양극, 전해질, 음극이액상일때 작동하는전지로, 나트륨-황전지와같은기존고상전지와달리전극입자크랙과같은손상가능성이없어장기간운용가능하다.
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公开(公告)号：KR1020170110256A
公开(公告)日：2017-10-11
申请号：KR1020160034377
申请日：2016-03-23
Applicant: 국방과학연구소
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/18 , C09K11/88
Abstract: 본발명은태양전지에관한것으로서, 더상세하게는형광양자점을 III-V족기반다중접합태양전지셀에적용하여우주및 고고도태양광스펙트럼하에서광전변환효율을향상시키는형광양자점파장변환기및 그제작방법에대한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种太阳能电池，并且通过将荧光量子点上的-V-基于III组的多结太阳能电池更具体地涉及的荧光量子点波长转换器，以增强下空间和高海拔选择起重光谱的光电转换效率和它的制造方法 是的。
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公开(公告)号：KR101683127B1
公开(公告)日：2016-12-06
申请号：KR1020150024028
申请日：2015-02-17
Applicant: 국방과학연구소
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0392 , H01L31/18 , H01L31/0256
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 본발명은그래핀을사용하여성장한고품질단결정게르마늄박막의제조방법에관한것이다. 본발명에따른단결정게르마늄박막성장법은저압화학기상증착(LP-CVD) 방법을기반으로, 실리콘옥사이드기판위에형성된그래핀을완충층으로하여게르마늄박막을성장시키는것이다. 실리콘옥사이드기판위에그래핀을전사시키는단계, 저온에서게르마늄박막성장하는단계, 게르마늄박막의결정성을향상시키는열처리단계및 고온에서게르마늄박막을성장하는단계를통하여고품질의게르마늄단결정박막을얻을수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及使用石墨烯生长的高品质单晶锗薄膜及其制造方法。 根据本发明的单晶锗薄膜生长方法通过使用形成在氧化硅衬底上的石墨烯作为基于低压化学气相沉积（LP-CVD）方法的缓冲层来生长锗薄膜。 本发明包括以下步骤：将石墨烯转移到氧化硅衬底上; 在低温下生长锗薄膜; 进行热处理以提高锗薄膜的结晶度; 并在高温下生长锗薄膜以获得高质量的锗单晶薄膜。
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公开(公告)号：KR101666845B1
公开(公告)日：2016-10-24
申请号：KR1020150093102
申请日：2015-06-30
Applicant: 국방과학연구소
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0216 , H01L31/048 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은태양전지에관한것으로서, 더상세하게는주름진다중접합박막을이용한고효율태양전지패널및 그제작방법에관한것이다. 본발명에따르면, 전사공정중 구조적인변화를유발함으로써태양전지의단위면적당효율을향상하는큰 효과가있다.
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