公开(公告)号：KR101338178B1

公开(公告)日：2013-12-09

申请号：KR1020130092063

申请日：2013-08-02

Applicant: 국방과학연구소

Inventor： 이건하 ,  황철규 ,  정성학 ,  이재준 ,  양원혁

IPC: F42B10/20 ,  F42B10/64 ,  F42B15/00

CPC classification number: F41F3/052 ,  F41F1/00

Abstract: The present invention relates to restriction release apparatus of a portable guided missile. Disclosed is the restriction release apparatus including a cooling gas container assembly, which provides gas used for cooling an explorer; a branch block, which distributes the gas to the explorer; and a restriction release device of a portable guided missile, which releases the restriction of the portable guided missile by using the pressure of the gas provided from the branch block.

Abstract translation: 本发明涉及便携式导弹的限制解除装置。 公开了一种包括提供用于冷却探险者的气体的冷却气体容器组件的限制释放装置; 一个分支块，将气体分配给探险者; 以及便携式导弹的限制释放装置，其通过使用从分支块提供的气体的压力来释放便携式导弹的限制。

公开(公告)号：KR101683127B1

公开(公告)日：2016-12-06

申请号：KR1020150024028

申请日：2015-02-17

Applicant: 국방과학연구소

Inventor： 여재성 ,  이은혜 ,  정동익 ,  최헌진 ,  박윤호 ,  김성욱 ,  이재준

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0256

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 본발명은그래핀을사용하여성장한고품질단결정게르마늄박막의제조방법에관한것이다. 본발명에따른단결정게르마늄박막성장법은저압화학기상증착(LP-CVD) 방법을기반으로, 실리콘옥사이드기판위에형성된그래핀을완충층으로하여게르마늄박막을성장시키는것이다. 실리콘옥사이드기판위에그래핀을전사시키는단계, 저온에서게르마늄박막성장하는단계, 게르마늄박막의결정성을향상시키는열처리단계및 고온에서게르마늄박막을성장하는단계를통하여고품질의게르마늄단결정박막을얻을수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及使用石墨烯生长的高品质单晶锗薄膜及其制造方法。 根据本发明的单晶锗薄膜生长方法通过使用形成在氧化硅衬底上的石墨烯作为基于低压化学气相沉积（LP-CVD）方法的缓冲层来生长锗薄膜。 本发明包括以下步骤：将石墨烯转移到氧化硅衬底上; 在低温下生长锗薄膜; 进行热处理以提高锗薄膜的结晶度; 并在高温下生长锗薄膜以获得高质量的锗单晶薄膜。

公开(公告)号：KR1020160101451A

公开(公告)日：2016-08-25

申请号：KR1020150024028

申请日：2015-02-17

Applicant: 국방과학연구소

Inventor： 여재성 ,  이은혜 ,  정동익 ,  최헌진 ,  박윤호 ,  김성욱 ,  이재준

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0256

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0256 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/54

Abstract: 본발명은그래핀을사용하여성장한고품질단결정게르마늄박막및 제조방법에관한것이다. 본발명에따른단결정게르마늄박막성장법은저압화학기상증착(LP-CVD) 방법을기반으로, 실리콘옥사이드기판위에형성된그래핀을완충층으로하여게르마늄박막을성장시키는것이다. 실리콘옥사이드기판위에그래핀을전사시키는단계, 저온에서게르마늄박막성장하는단계, 게르마늄박막의결정성을향상시키는열처리단계및 고온에서게르마늄박막을성장하는단계를통하여고품질의게르마늄단결정박막을얻을수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及使用石墨烯生长的高品质单晶锗薄膜及其制造方法。 根据本发明的单晶锗薄膜生长方法通过使用形成在氧化硅衬底上的石墨烯作为基于低压化学气相沉积（LP-CVD）方法的缓冲层来生长锗薄膜。 本发明包括以下步骤：将石墨烯转移到氧化硅衬底上; 在低温下生长锗薄膜; 进行热处理以提高锗薄膜的结晶度; 并在高温下生长锗薄膜以获得高质量的锗单晶薄膜。

公开(公告)号：KR101345669B1

公开(公告)日：2013-12-30

申请号：KR1020130105469

申请日：2013-09-03

Applicant: 국방과학연구소

Inventor： 정성학 ,  황철규 ,  김용일 ,  이재준 ,  박진현

IPC: F42B10/14 ,  F42B12/00 ,  F42B15/01

CPC classification number: F42B10/14 ,  B64C3/56

Abstract: Provided in the present invention is a device for unfolding and fixing the wings of a portable guided missile installed on the airframes of the portable guided missile to fold or unfold the wing of the guided missile. The device for unfolding and fixing the wings of the portable guided missile comprises: a hinge axis formed intersecting one end part of the wing to be the rotating axis of the wing; a spring coupled to the hinge axis to apply a rotational force in a wing unfolding direction; a fixed pin installed adjacent to the hinge axis in the wing and having one end coupled to a compression spring elastically deformed in a longitudinal direction; and a clevis having a first surface fixed at the airframes and a second surface extended in a direction crossing the first surface, coupled to the hinge axis, providing a sliding path by making the other end of the fixing pin in contact, and forming a recess interlocked with the other end of the fixing pin on one end of the path.

Abstract translation: 在本发明中提供了一种用于展开和固定安装在便携式导弹的机身上的便携式导弹的机翼折叠或展开导弹翼的装置。 用于展开和固定便携式导弹的机翼的装置包括：铰接轴线，其形成为与机翼的一个端部相交以作为机翼的旋转轴线; 耦合到铰链轴线的弹簧以在翼展开方向上施加旋转力; 固定销安装在所述翼中的所述铰链轴线附近，并且其一端联接到沿纵向方向弹性变形的压缩弹簧; 以及具有固定在所述机架上的第一表面的U形夹和在与所述铰链轴线交叉的与所述第一表面交叉的方向上延伸的第二表面，通过使所述固定销的另一端接触而形成滑动路径，并且形成凹部 与路径一端的固定销的另一端互锁。

公开(公告)号：KR101635970B1

公开(公告)日：2016-07-04

申请号：KR1020150024029

申请日：2015-02-17

Applicant: 국방과학연구소

Inventor： 이은혜 ,  정동익 ,  여재성 ,  최헌진 ,  박윤호 ,  김성욱 ,  이재준

IPC: H01L31/0392 ,  H01L21/285 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0256

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/0392 ,  H01L21/28556 ,  H01L31/0256 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/54

Abstract: 본발명은전사공정이용이한실리콘옥사이드층이형성된실리콘기판위에성장한고품질게르마늄단결정박막성장기술에관한것으로, 본발명에따른게르마늄단결정박막성장법은저압화학기상증착법 (LP-CVD)를이용하여, 실리콘옥사이드위에게르마늄박막을성장시키는단계공정이며, 구체적으로실리콘옥사이드층위에저온에서게르마늄박막을성장시키는단계, 열처리를통해게르마늄박막의결정성을향상시키는단계, 고온에서게르마늄박막을성장시키는단계및 에칭단계를통하여고품질의게르마늄단결정박막을얻을수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及用于生长在包含易于施加转印工艺的氧化硅层的硅衬底上的高质量锗单晶薄膜的技术。 根据本发明，锗单晶薄膜的制造方法是通过使用低压化学气相沉积（LP-CVD）在氧化硅上生长锗薄膜的方法。 具体地说，锗单晶薄膜的制造方法具有如下步骤：在低温下生长氧化硅层上的锗薄膜; 通过热处理改善锗薄膜的结晶性; 在高温下生长锗薄膜; 并通过蚀刻获得高质量的锗单晶薄膜。