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公开(公告)号:KR1020170060003A
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:KR1020177007295
申请日:2015-09-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/67173 , C08J7/18 , D06M14/18 , G03D5/003 , G03F7/0002 , G03F7/40 , H01J37/32082 , H01J37/3255 , H01L21/02043 , H01L21/027 , H01L21/31 , H01L21/67167 , H01L21/67178 , H01L21/6719 , H01L29/511 , H01L29/66545 , H05H1/46
Abstract: 본발명의기판처리방법은, 친수성폴리머와소수성폴리머를포함하는블록공중합체를이용하여기판을처리하는기판처리방법으로서, 기판상에레지스트막에의해정해진레지스트패턴을형성하는레지스트패턴형성공정(S3)과, 레지스트패턴의표면에당해레지스트패턴의변형을억제하기위한박막을형성하는박막형성공정(S4)과, 박막형성후의기판에대하여블록공중합체를도포하는블록공중합체도포공정(S5)과, 블록공중합체를친수성폴리머와소수성폴리머로상분리시키는폴리머분리공정(S6)을가지고있다.
Abstract translation: 本发明中,亲水性聚合物和通过使用包括疏水性聚合物的嵌段共聚物处理基板的基板处理方法的一种基板处理方法,所述抗蚀剂图案形成在基板上形成由抗蚀剂膜所限定的抗蚀剂图案的步骤(S3 ),的表面上的块的抗蚀剂用于抑制涂覆有嵌段共聚物相对于所述基板的薄膜形成共聚物涂覆步骤(S5之后的抗蚀剂图案的变形形成薄膜的图案和薄膜形成工序(S4))和 以及用于将嵌段共聚物相分离成亲水聚合物和疏水聚合物的聚合物分离步骤(S6)。