公开(公告)号：KR101422332B1

公开(公告)日：2014-07-22

申请号：KR1020120021061

申请日：2012-02-29

Applicant: 가부시끼가이샤 도시바 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사또요헤이 ,  오꾸찌히사시 ,  도미따히로시 ,  하야시히데까즈 ,  기따지마유끼꼬 ,  도시마다까유끼 ,  이와시따미쯔아끼 ,  미쯔오까가즈유끼 ,  요우겐 ,  오노히로끼 ,  오리이다께히꼬

IPC: H01L21/302

CPC classification number: F26B3/02

Abstract: 본 실시 형태에 따르면, 반도체 기판의 초임계 건조 방법은 약액(chemical solution)으로 반도체 기판을 세정하는 단계와, 상기 세정 후에, 순수(pure water)로 상기 반도체 기판을 린스하는 단계와, 상기 린스 후에, 상기 반도체 기판의 표면에 알코올을 공급함으로써, 상기 반도체 기판의 표면을 덮는 액체를 상기 순수로부터 상기 알코올로 치환하는 단계와, 챔버 내에 표면이 상기 알코올로 젖은 상기 반도체 기판을 도입하는 단계와, 상기 챔버 내에 불활성 가스를 공급함으로써, 상기 챔버로부터 산소를 배출하는 단계와, 상기 산소의 배출 후에, 상기 챔버 내의 온도를 상기 알코올의 임계 온도 이상으로 승온시킴으로써, 상기 알코올을 초임계 상태로 하는 단계와, 상기 챔버 내의 압력을 낮추고 상기 알코올을 초임계 상태에서 기체 상태로 변화시킴으로써, � �기 알코올을 상기 챔버로부터 배출하는 단계를 포함한다. 챔버는 SUS를 포함한다. 챔버의 내벽은 전해 연마 처리가 실시된다.

公开(公告)号：KR1020170060003A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：KR1020177007295

申请日：2015-09-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라마츠마코토 ,  토미타타다토시 ,  겐지마히사시 ,  요우겐 ,  키타노타카히로

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/31 ,  C23C14/10 ,  C23C14/34 ,  C23C16/14 ,  C23C16/34 ,  G03F7/40 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/67173 ,  C08J7/18 ,  D06M14/18 ,  G03D5/003 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/40 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3255 ,  H01L21/02043 ,  H01L21/027 ,  H01L21/31 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/6719 ,  H01L29/511 ,  H01L29/66545 ,  H05H1/46

Abstract: 본발명의기판처리방법은, 친수성폴리머와소수성폴리머를포함하는블록공중합체를이용하여기판을처리하는기판처리방법으로서, 기판상에레지스트막에의해정해진레지스트패턴을형성하는레지스트패턴형성공정(S3)과, 레지스트패턴의표면에당해레지스트패턴의변형을억제하기위한박막을형성하는박막형성공정(S4)과, 박막형성후의기판에대하여블록공중합체를도포하는블록공중합체도포공정(S5)과, 블록공중합체를친수성폴리머와소수성폴리머로상분리시키는폴리머분리공정(S6)을가지고있다.

Abstract translation: 本发明中，亲水性聚合物和通过使用包括疏水性聚合物的嵌段共聚物处理基板的基板处理方法的一种基板处理方法，所述抗蚀剂图案形成在基板上形成由抗蚀剂膜所限定的抗蚀剂图案的步骤（S3 ），的表面上的块的抗蚀剂用于抑制涂覆有嵌段共聚物相对于所述基板的薄膜形成共聚物涂覆步骤（S5之后的抗蚀剂图案的变形形成薄膜的图案和薄膜形成工序（S4））和 以及用于将嵌段共聚物相分离成亲水聚合物和疏水聚合物的聚合物分离步骤（S6）。

公开(公告)号：KR1020160125950A

公开(公告)日：2016-11-01

申请号：KR1020167019960

申请日：2015-01-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도바나도시카츠 ,  요우겐 ,  오카다소이치로

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/6831

Abstract: 피처리체를처리하는방법은, 플라즈마처리장치의정전척에피처리체를정전흡착하는공정(ST1)으로서, 피처리체가기판상에유기폴리머층및 레지스트마스크를갖는공정(ST1)과, 제 1 가스의플라즈마로레지스트마스크를거쳐서유기폴리머층을에칭하는공정(ST2)과, 제 2 가스의플라즈마를생성하면서정전척으로부터피처리체를탈착하는공정(ST3)과, 레지스트마스크를박리하는공정(ST4)을포함한다. 제 2 가스는산소가스또는아르곤가스보다원자량이작은희가스와산소가스의혼합가스이다.

Abstract translation: 这种处理物品的方法包括以下步骤：在等离子体处理装置中静电附着到静电卡盘上的步骤（ST1），其中在基板上具有有机聚合物层和抗蚀剂掩模的被处理物品被静电附着在静电卡盘上; 通过第一气体的等离子体通过抗蚀剂掩模蚀刻有机聚合物层的步骤（ST2）; 产生作为第二气体的等离子体的被处理物品与静电卡盘分离的工序（ST3） 和去除抗蚀剂掩模的步骤（ST4）。 第二气体是氧气或氧气和惰性气体的混合物，其具有较低的原子量，然后是氩气。

公开(公告)号：KR101568469B1

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：KR1020130082873

申请日：2013-07-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하야시히데카즈 ,  사토요헤이 ,  오쿠치히사히 ,  도미타히로시 ,  미츠오카가즈유키 ,  요우겐 ,  오노히로키 ,  오리이다케히코 ,  도시마다카유키

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02101 ,  B08B7/0021 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67109

Abstract: 본발명은, 기판을처리용기에반입할때까지의건조방지용불소함유유기용제의휘발및 처리용기내에있어서의불소함유유기용제의분해를억제할수 있는기판처리방법등을제공하는것을목적으로한다. 표면이제1 불소함유유기용제에의해덮인기판(W)을처리용기(31) 내에반입하고, 이처리용기(31)에, 비점이제1 불소함유유기용제보다낮은제2 불소함유유기용제를원료로하는고압유체를공급한다. 그리고처리용기(31) 내에상기제1 불소함유유기용제와제2 불소함유유기용제의혼합물의고압유체분위기를형성하여, 기판의표면을덮는제1 불소함유유기용제를제거하고, 처리용기(31) 내의유체를고압유체또는기체의상태로배출하여건조시킨기판(W)을얻는다.

公开(公告)号：KR1020140011269A

公开(公告)日：2014-01-28

申请号：KR1020130082873

申请日：2013-07-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하야시히데카즈 ,  사토요헤이 ,  오쿠치히사히 ,  도미타히로시 ,  미츠오카가즈유키 ,  요우겐 ,  오노히로키 ,  오리이다케히코 ,  도시마다카유키

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02101 ,  B08B7/0021 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67109

Abstract: The purpose of the present invention is to provide a substrate processing method etc. capable of suppressing the volatilization of a fluorine-containing organic solvent for dry prevention until a substrate is carried into a processing container, and the decomposition of the fluorine-containing organic solvent within the processing container. A substrate (W) in which the surface is covered by a first fluorine-containing organic solvent is carried into a processing container (31). A high pressure fluid made of a second fluorine-containing organic solvent in which the boiling point is lower than the first fluorine-containing organic solvent is provided to the processing container (31). A high pressure fluid condition of a compound of the first and second fluorine-containing organic solvents is formed within the processing container (31). The first fluorine-containing organic solvent which covers the surface of the substrate is removed. A dried substrate (W) is obtained by discharging the fluid within the processing container (31) as the state of the high pressure fluid or gas. [Reference numerals] (321) Feeding unit; (5) Control unit

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种能够抑制用于干燥的含氟有机溶剂的挥发直到基材被运送到处理容器中的基板处理方法等，并且含氟有机溶剂的分解 在处理容器内。 表面被第一含氟有机溶剂覆盖的基板（W）被携带到处理容器（31）中。 将由沸点低于第一含氟有机溶剂的第二含氟有机溶剂制成的高压流体提供给处理容器（31）。 第一和第二含氟有机溶剂的化合物的高压流体状态形成在处理容器（31）内。 除去覆盖基材表面的第一含氟有机溶剂。 通过将处理容器（31）内的流体作为高压流体或气体的状态排出来获得干燥的基材（W）。 （附图标记）（321）进给单元; （5）控制单元

公开(公告)号：KR1020120113181A

公开(公告)日：2012-10-12

申请号：KR1020120021061

申请日：2012-02-29

Applicant: 가부시끼가이샤 도시바 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사또요헤이 ,  오꾸찌히사시 ,  도미따히로시 ,  하야시히데까즈 ,  기따지마유끼꼬 ,  도시마다까유끼 ,  이와시따미쯔아끼 ,  미쯔오까가즈유끼 ,  요우겐 ,  오노히로끼 ,  오리이다께히꼬

IPC: H01L21/302

CPC classification number: F26B3/02

Abstract: PURPOSE: A supercritical drying method of a semiconductor substrate and a supercritical drying apparatus of the semiconductor substrate are provided to prevent metal materials from being etched on the semiconductor substrate in a supercritical drying process by purging oxygen in a chamber using inert gas before the heating of Isopropyl alcohol. CONSTITUTION: A chamber(11) is made of SUS(steel use stainless). A heater(12) controls a temperature of a chamber. A stage(13) is installed in the chamber to maintain a semiconductor substrate(W). Valves(15,17) are respectively formed in pipes(14,16). An electrolytic polishing process is performed on the surface of the chamber.

Abstract translation: 目的：提供半导体衬底的超临界干燥方法和半导体衬底的超临界干燥装置，以防止在超临界干燥工艺中在半导体衬底上蚀刻金属材料，通过在加热之前使用惰性气体吹扫室中的氧气 异丙醇。 构成：室（11）由SUS（不锈钢）制成。 加热器（12）控制室的温度。 在腔室内安装一个台阶（13）以保持半导体衬底（W）。 阀（15,17）分别形成在管道（14,16）中。 在室的表面上进行电解抛光处理。