公开(公告)号：KR1020170122199A

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：KR1020177024151

申请日：2016-02-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라마츠마코토 ,  도미타다다토시 ,  겐지마히사시 ,  유겐 ,  기타노다카히로 ,  니시다카노리

IPC: G03F7/00 ,  H01L21/027 ,  C08F297/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B81C1/00031 ,  B81C1/00428 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y40/00 ,  C08F297/00 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67742

Abstract: 친수성폴리머(411)와소수성폴리머(412)를포함하는블록공중합체를이용한기판처리방법은폴리머분리공정을포함하고, 블록공중합체에서의친수성폴리머의분자량의비율은, 폴리머분리공정후에친수성폴리머(411)가평면에서보아육방최밀구조에대응하는위치에배열되도록 20%∼40%로조정되고, 폴리머분리공정에서는, 소수성의도포막에의한원형상의각 패턴(404) 상에원기둥형의제1 친수성폴리머(411a)를각각상분리시키며, 각제1 친수성폴리머(411a) 사이에, 원기둥형의제2 친수성폴리머(411b)를상분리시키고, 제1 친수성폴리머(411a)와제2 친수성폴리머(411b)가평면에서보아육방최밀구조에대응하는위치에배열되도록, 원형상의패턴(404)의직경이정해져있다.

Abstract translation: 亲水性聚合物411和使用包括疏水性聚合物（412）的嵌段共聚物的基板处理方法的分子量的比包含聚合物分离步骤，该亲水聚合物eseoui嵌段共聚物中，亲水性聚合物（411，聚合物分离过程之后 ）被调整为20-40％，以便被布置在对应于所述六角形的最高密度结构的位置，如从侧面Gapyung，聚合物分离步骤，在圆上的各个图案404中的第一亲水圆柱形观察由于疏水图覆盖膜 聚合物（411A），分别的sikimyeo相分离，gakje一种亲水性聚合物（411A），所述圆筒形的第二亲水性聚合物的相分离（411B）和所述第一亲水性聚合物之间（411A）沃赫在Gapyung表面第二亲水性聚合物（411B） 圆形图案404的直径被确定为布置在对应于六边形最近结构的位置处。

公开(公告)号：KR1020170060003A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：KR1020177007295

申请日：2015-09-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라마츠마코토 ,  토미타타다토시 ,  겐지마히사시 ,  요우겐 ,  키타노타카히로

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/31 ,  C23C14/10 ,  C23C14/34 ,  C23C16/14 ,  C23C16/34 ,  G03F7/40 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/67173 ,  C08J7/18 ,  D06M14/18 ,  G03D5/003 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/40 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3255 ,  H01L21/02043 ,  H01L21/027 ,  H01L21/31 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/6719 ,  H01L29/511 ,  H01L29/66545 ,  H05H1/46

Abstract: 본발명의기판처리방법은, 친수성폴리머와소수성폴리머를포함하는블록공중합체를이용하여기판을처리하는기판처리방법으로서, 기판상에레지스트막에의해정해진레지스트패턴을형성하는레지스트패턴형성공정(S3)과, 레지스트패턴의표면에당해레지스트패턴의변형을억제하기위한박막을형성하는박막형성공정(S4)과, 박막형성후의기판에대하여블록공중합체를도포하는블록공중합체도포공정(S5)과, 블록공중합체를친수성폴리머와소수성폴리머로상분리시키는폴리머분리공정(S6)을가지고있다.

Abstract translation: 本发明中，亲水性聚合物和通过使用包括疏水性聚合物的嵌段共聚物处理基板的基板处理方法的一种基板处理方法，所述抗蚀剂图案形成在基板上形成由抗蚀剂膜所限定的抗蚀剂图案的步骤（S3 ），的表面上的块的抗蚀剂用于抑制涂覆有嵌段共聚物相对于所述基板的薄膜形成共聚物涂覆步骤（S5之后的抗蚀剂图案的变形形成薄膜的图案和薄膜形成工序（S4））和 以及用于将嵌段共聚物相分离成亲水聚合物和疏水聚合物的聚合物分离步骤（S6）。