公开(公告)号：KR1020090041913A

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：KR1020070107692

申请日：2007-10-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조형철 ,  이영동 ,  진경환 ,  이형구 ,  박종록 ,  최희영

IPC: H01L21/02

Abstract: An air inflow detection device of a vacuum chamber and a method thereof are provided to detect an air inflow in a vacuum chamber although plasma is not generated in a vacuum room. An inflow detection room(210) of an air inflow detection chamber(200) is connected to a vacuum chamber(10). A reference gas and an air generate plasma in the air inflow detection room by a plasma source(300). An optical emission analyzer(250) is installed in one side of the air inflow detection chamber. The optical emission analyzer detects a light intensity having wavelength related to the reference gas and a light intensity having wavelength related to the air among lights generating the plasma. A control part(400) determines an air inflow by using the detected light intensity.

Abstract translation: 提供真空室的空气流入检测装置及其方法，以便在真空室中不产生等离子体来检测真空室中的空气流入。 空气流入检测室（200）的流入检测室（210）与真空室（10）连接。 参考气体和空气通过等离子体源（300）在空气流入检测室中产生等离子体。 光发射分析器（250）安装在空气流入检测室的一侧。 光发射分析仪在产生等离子体的光中检测具有与参考气体相关的波长的光强度和具有与空气相关的波长的光强度。 控制部件（400）通过使用检测到的光强度来确定空气流入。

公开(公告)号：KR1020060040177A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：KR1020040089411

申请日：2004-11-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박종록 ,  최진혁 ,  조형철 ,  이근석

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/67011 ,  H01L21/67098

Abstract: 본 발명은 냉각을 위하여 냉각장치를 갖춘 반도체 제조용 공정챔버에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 제조용 공정챔버는 상부에 고주파가 인가되는 안테나가 배치되는 공정챔버와, 공정챔버 상측에 설치되어 안테나와 공정챔버를 구획하는 윈도우와, 윈도우의 상측에 배치되어 윈도우를 냉각하는 냉각장치를 구비한 것으로, 냉각장치는 윈도우 중앙부를 냉각하는 제 1 냉각플레이트와 윈도우의 외곽부를 냉각하는 제 2 냉각플레이트를 포함하여 제 1 냉각플레이트와 제 2 냉각플레이트에 의해 윈도우 중앙부와 윈도우 외곽부가 고른 온도분포를 갖도록 냉각될 수 있게 되는 작용효과가 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于半导体制造的处理室，其具有用于冷却的冷却装置。

公开(公告)号：KR100541435B1

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：KR1020030029122

申请日：2003-05-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최인호 ,  안병선 ,  박종록

IPC: H01L21/68

Abstract: 본 발명은 구동수단을 통해 반도체 웨이퍼(wafer)가 장착되는 척(chuck)을 선택적으로 상하직선운동시킬 수 있도록 한 웨이퍼 지지장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 웨이퍼 지지장치는, 칼럼(column)(20)과; 칼럼(20)의 상부에 결합되어, 웨이퍼(32)를 지지하는 척(chuck)(30)과; 칼럼(20)과 연결되어, 칼럼(20)을 상하직선운동 가능하게 하는 직선운동부재(40)와; 칼럼(20)의 외측에 결합되어, 칼럼(20)의 상하직선운동을 지지하는 직선운동가이드(LM-Guide)(50a,50b)와; 직선운동부재(40)를 구동시키는 구동수단(60)을 포함하여 구성된다. 이에 따라, 칼럼의 상하직선운동시 발생되는 피칭(pitching) 및 요잉(yawing) 방향의 유동을 효율적으로 방지할 수 있다.
웨이퍼, 칼럼, 척, 직선운동가이드, 피칭, 요잉

公开(公告)号：KR1020160066340A

公开(公告)日：2016-06-10

申请号：KR1020140170590

申请日：2014-12-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이수호 ,  박성규 ,  박종록 ,  최진혁 ,  한문형 ,  한상철

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/683 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32633 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/46 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32733 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683 ,  H05H1/46

Abstract: 챔버, 상기챔버의상부에위치하는플라즈마생성부, 상기챔버의중간에위치하고기판을지지하는서셉터, 상기플라즈마생성부에서생성된플라즈마를통과시켜상기서셉터로공급하는가스분배플레이트, 및상기챔버의하부에위치하여상기서셉터를회전시키는회전부를포함하는기판처리장치가설명된다.

Abstract translation: 提供了均匀地处理基板的基板处理装置。 基板处理装置包括：室; 位于所述室的上部的等离子体产生单元; 位于室的中间并支撑衬底的感受器; 在等离子体产生单元中产生等离子体的气体分配板，并将其供给到基座; 以及位于所述室的下部以旋转所述基座的旋转单元。

公开(公告)号：KR100854995B1

公开(公告)日：2008-08-28

申请号：KR1020050017420

申请日：2005-03-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안드레이우샤코프 ,  최진혁 ,  박종록

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/509 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45565 ,  H01J37/3244

Abstract: 본 발명은 공정챔버 내부에 공급되는 공급가스의 분포가 균일해 질 수 있도록 하는 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착 장치에 관한 것이다. 이를 위해 본 발명은 노즐 본체와, 노즐 본체의 내부에 상하 방향으로 형성되는 가스공급유로와, 노즐 본체 하면에 부착되는 노즐 커버와, 공정챔버 내의 반도체 기판 쪽으로 균일하게 공정가스를 공급할 수 있도록 상기 노즐 커버에 형성되는 복수의 가스유입구를 포함하는 상부 가스공급노즐을 구비한다. 특히 본 발명의 여러 실시예는 공정가스의 균일한 분배를 위한 다양한 형태의 노즐 구조를 개시한다. 이와 같은 구성에 의해 본 발명은 반도체 기판(W) 상에서 막 증착 공정 등과 같은 가공공정이 균일하게 이루어질 수 있도록 하는 효과가 있다.
HDP CVD, 상부 노즐, 가스 분배, 반도체 제조

公开(公告)号：KR100689848B1

公开(公告)日：2007-03-08

申请号：KR1020050066915

申请日：2005-07-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전상진 ,  박종록 ,  사승엽 ,  양희전 ,  이근석

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3266

Abstract: 본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 처리대상 기판이 위치하며 플라즈마가 형성되는 반응 공간을 가지는 공정챔버와; 상기 반응공간 외부에 위치하는 복수의 폴과, 상기 복수의 폴을 사이에 두고 상기 반응공간과 마주하며 상기 복수의 폴을 상호연결하는 연결부를 포함하는 페라이트 코어(ferrite core)와; 상기 복수의 폴에 감겨져 있는 코일과; 상기 코일에 고주파 전원을 인가하는 전원부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여 플라즈마 발생효율이 높은 기판처리장치가 제공된다.

Abstract translation: 基板处理装置技术领域本发明涉及一种基板处理装置，其包括：处理室，其具有反应空间，待处理基板位于该反应空间中并形成等离子体; 铁氧体磁芯包括多个定位在反应空间外部的棘爪和连接部分，所述连接部分面对反应空间，多个棘爪插入其间并且互连多个棘爪; 缠绕在多个棘爪上的线圈; 以及用于向线圈施加高频功率的功率单元。 由此，提供了具有高等离子体产生效率的基板处理设备。

公开(公告)号：KR1020080101968A

公开(公告)日：2008-11-24

申请号：KR1020070048173

申请日：2007-05-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이영동 ,  조형철 ,  박종록 ,  석승현 ,  안드레이우샤코프

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205

Abstract: A gas monitoring apparatus used in a semiconductor manufacturing progress is provided to reduce the size of the apparatus by cooling the monitoring chamber without the separate chiller. The plasma generating device(120) comprises the monitoring chamber(110) where the view port is installed at one side; the microwave generating unit(120a) having the antenna generating the microwave; the plasma generation part(120b) producing the plasma through the energy generated from the microwave generating unit in the monitoring chamber. A gas monitoring device comprises the spectrometer producing the electric signal about the optical spectrum by receiving the light irradiated from the vie port; the controller analyzing the data about the spectrums obtained from the spectrometer.

Abstract translation: 提供了用于半导体制造过程中的气体监测装置，通过在没有单独的冷却器的情况下冷却监测室来减小装置的尺寸。 等离子体产生装置（120）包括监测室（110），其中观察端口安装在一侧; 具有产生微波的天线的微波发生单元（120a） 等离子体产生部分（120b）通过监视室中的微波产生单元产生的能量产生等离子体。 一种气体监测装置，包括：光谱仪，通过接收从该端口照射的光产生关于光谱的电信号; 控制器分析从光谱仪获得的光谱数据。

公开(公告)号：KR100600583B1

公开(公告)日：2006-07-18

申请号：KR1020040089411

申请日：2004-11-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박종록 ,  최진혁 ,  조형철 ,  이근석

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 냉각을 위하여 냉각장치를 갖춘 반도체 제조용 공정챔버에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 제조용 공정챔버는 상부에 고주파가 인가되는 안테나가 배치되는 공정챔버와, 공정챔버 상측에 설치되어 안테나와 공정챔버를 구획하는 윈도우와, 윈도우의 상측에 배치되어 윈도우를 냉각하는 냉각장치를 구비한 것으로, 냉각장치는 윈도우 중앙부를 냉각하는 제 1 냉각플레이트와 윈도우의 외곽부를 냉각하는 제 2 냉각플레이트를 포함하여 제 1 냉각플레이트와 제 2 냉각플레이트에 의해 윈도우 중앙부와 윈도우 외곽부가 고른 온도분포를 갖도록 냉각될 수 있게 되는 작용효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020050010266A

公开(公告)日：2005-01-27

申请号：KR1020030049306

申请日：2003-07-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최인호 ,  박종록

IPC: H01L21/68

Abstract: PURPOSE: An electrostatic chuck is provided to improve temperature distribution between a center portion and an edge portion in a wafer by using a cooling water channel. CONSTITUTION: An electrostatic chuck includes a base plate, a first dielectric layer and a protrusive rib. The base plate(20) includes a cooling channel(21). The cooling channel is uniformly formed in the base plate. The first dielectric layer(30) is formed on the base plate. The protrusive rib(31) is protruded upward along an edge of the first dielectric layer to form a wafer storing portion. The first dielectric layer and the protrusive rib are made of ceramic.

Abstract translation: 目的：提供一种静电卡盘，以通过使用冷却水通道来改善晶片中心部分和边缘部分之间的温度分布。 构成：静电卡盘包括基板，第一电介质层和突出肋。 基板（20）包括冷却通道（21）。 冷却通道均匀地形成在基板中。 第一电介质层（30）形成在基板上。 突出肋（31）沿着第一介电层的边缘向上突出以形成晶片存储部分。 第一电介质层和突出肋由陶瓷制成。

公开(公告)号：KR1020060096713A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：KR1020050017420

申请日：2005-03-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안드레이우샤코프 ,  최진혁 ,  박종록

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/509 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45565 ,  H01J37/3244

Abstract: 본 발명은 공정챔버 내부에 공급되는 공급가스의 분포가 균일해 질 수 있도록 하는 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착 장치에 관한 것이다. 이를 위해 본 발명은 노즐 본체와, 노즐 본체의 내부에 상하 방향으로 형성되는 가스공급유로와, 노즐 본체 하면에 부착되는 노즐 커버와, 공정챔버 내의 반도체 기판 쪽으로 균일하게 공정가스를 공급할 수 있도록 상기 노즐 커버에 형성되는 복수의 가스유입구를 포함하는 상부 가스공급노즐을 구비한다. 특히 본 발명의 여러 실시예는 공정가스의 균일한 분배를 위한 다양한 형태의 노즐 구조를 개시한다. 이와 같은 구성에 의해 본 발명은 반도체 기판(W) 상에서 막 증착 공정 등과 같은 가공공정이 균일하게 이루어질 수 있도록 하는 효과가 있다.
HDP CVD, 상부 노즐, 가스 분배, 반도체 제조