公开(公告)号：KR100878467B1

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：KR1020060050598

申请日：2006-06-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김명운 ,  한문형

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32165 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32183

Abstract: 본 발명은 반도체 기판 처리장치에 관한 것으로, 서로 다른 형태의 균일도를 생성하는 상,하부 전극에 동일한 주파수의 RF 전력을 공급하고, RF 전력의 파워 비율을 조절하여 반도체 기판의 처리 균일도를 개선하는데 그 목적이 있다.
이를 위해 본 발명은, 반도체 기판이 수용되는 진공 챔버; 상기 진공 챔버 내에 배치된 상부 및 하부 전극; 상기 상부 및 하부 전극에 연결되어 고주파 RF 전력을 공급하는 고주파수 전력공급기; 상기 하부 전극에 추가로 연결되어 저주파 RF 전력을 공급하는 저주파수 전력공급기; 및 상기 상부 및 하부 전극에 공급되는 RF 전력의 파워 비율을 조절하는 제어부;를 포함하는 것이다.

公开(公告)号：KR1020100007518A

公开(公告)日：2010-01-22

申请号：KR1020080068174

申请日：2008-07-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 성덕용 ,  한문형 ,  안드레이 ,  박휴림 ,  조남영 ,  권태용 ,  석승현 ,  강동우 ,  이창윤 ,  이동하

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/515 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32091

Abstract: PURPOSE: A deposition device and a method for depositing a thin film using the same are provided to deposit the thin film with high film formation uniformity and deposition rate by supplying the high frequency power and the low frequency power with a pulse type to a plasma electrode. CONSTITUTION: A deposition apparatus includes a gas flow pipe(110), a plasma electrode(140), a substrate support, a plasma connection terminal, a first voltage applier(151), and a second voltage applier(152). The substrate support is used as an opposite electrode of a plasma electrode. A substrate(135) is mounted on the substrate support. The plasma connection terminal is connected to the plasma electrode. The first voltage applier is connected to the plasma connection terminal. The first voltage applier applies the voltage in a continuous mode. The second voltage applier is connected to the plasma connection terminal. The second voltage applier applies the voltage in a pulse mode.

Abstract translation: 目的：提供一种沉积装置和使用其沉积薄膜的方法，以通过向等离子体电极提供脉冲型的高频功率和低频功率来沉积具有高成膜均匀性和沉积速率的薄膜 。 构成：沉积装置包括气体流通管（110），等离子体电极（140），基板支架，等离子体连接端子，第一电压施加器（151）和第二电压施加器（152）。 衬底支撑体用作等离子体电极的相对电极。 衬底（135）安装在衬底支撑件上。 等离子体连接端子连接到等离子体电极。 第一电压施加器连接到等离子体连接端子。 第一电压施加器以连续模式施加电压。 第二电压施加器连接到等离子体连接端子。 第二个施压器以脉冲模式施加电压。

公开(公告)号：KR1020090081471A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：KR1020080007344

申请日：2008-01-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김기현 ,  임기빈 ,  최훈상 ,  한문형

IPC: H01L21/203

CPC classification number: H01L21/30 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45578

Abstract: A device and a method for depositing an atomic layer are provided to perform the deposition on a plurality of semiconductor substrates at the same time, thereby improving throughput. A device for depositing an atomic layer comprises a reaction chamber(10), a heater(20) and a plurality of injectors(30a, 30b). The reaction chamber has an independent space. The heater supports a plurality of constant-distance semiconductor substrates(12) within the reaction chamber. The heater heats the semiconductor substrates. The injectors are individually switched according to the semiconductor substrates supported by the heater. The injectors spray a reaction gas on the semiconductor substrates.

Abstract translation: 提供一种用于沉积原子层的装置和方法，以同时在多个半导体衬底上进行沉积，从而提高生产量。 用于沉积原子层的装置包括反应室（10），加热器（20）和多个喷射器（30a，30b）。 反应室具有独立的空间。 加热器在反应室内支撑多个恒定距离半导体衬底（12）。 加热器加热半导体衬底。 注射器根据由加热器支撑的半导体衬底单独切换。 喷射器在半导体衬底上喷射反应气体。

公开(公告)号：KR100524472B1

公开(公告)日：2005-10-31

申请号：KR1020030049308

申请日：2003-07-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 양희전 ,  한문형 ,  정해용

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L22/20

Abstract: 본 발명은 반도체공정장치 및 공정진단방법에 관한 것으로서 보다 상세하게는 반도체 공정 개시 전에 일괄적으로 반도체공정을 진단할 수 있는 반도체공정장치 및 공정진단방법에 관한 것이다. 본 발명은 다수의 하부모듈을 갖는 시스템의 작동을 포함하는 반도체 공정을 관리하는 공정진단방법에 있어서, 상기 반도체 공정을 개시하기 이전에 진단대상을 사용자가 선택할 수 있는 단계와, 상기 반도체 공정을 개시하기 이전에 상기 다수의 하부모듈 중 상기 진단대상으로 선택된 하부모듈의 상태를 진단하는 단계와, 상기 시스템의 공정조건을 체크하는 단계와, 상기 하부모듈과 상기 공정조건의 상태를 사용자에게 알려주는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 공정진단방법 및 이를 수행할 수 있는 반도체공정장치이다. 이에 의해 반도체 제조공정 중의 시스템 고장의 예방 및 모듈별 운영자의 관리가 불필요한 중앙집중적인 시스템 관리가 가능하며 반도체 제조 수율을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020160066340A

公开(公告)日：2016-06-10

申请号：KR1020140170590

申请日：2014-12-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이수호 ,  박성규 ,  박종록 ,  최진혁 ,  한문형 ,  한상철

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/683 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32633 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/46 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32733 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683 ,  H05H1/46

Abstract: 챔버, 상기챔버의상부에위치하는플라즈마생성부, 상기챔버의중간에위치하고기판을지지하는서셉터, 상기플라즈마생성부에서생성된플라즈마를통과시켜상기서셉터로공급하는가스분배플레이트, 및상기챔버의하부에위치하여상기서셉터를회전시키는회전부를포함하는기판처리장치가설명된다.

Abstract translation: 提供了均匀地处理基板的基板处理装置。 基板处理装置包括：室; 位于所述室的上部的等离子体产生单元; 位于室的中间并支撑衬底的感受器; 在等离子体产生单元中产生等离子体的气体分配板，并将其供给到基座; 以及位于所述室的下部以旋转所述基座的旋转单元。

公开(公告)号：KR101431197B1

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：KR1020080007344

申请日：2008-01-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김기현 ,  임기빈 ,  최훈상 ,  한문형

IPC: H01L21/203

CPC classification number: H01L21/30 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45578

Abstract: 본 발명은 생산성을 증대 또는 극대화할 수 있는 원자층 증착설비 및 그의 원자층 증착방법을 개시한다. 그의 설비는, 외부로부터 독립된 공간을 제공하는 반응 챔버; 상기 반응 챔버 내에서 복수개의 반도체 기판을 일정 간격으로 지지하면서 상기 복수개의 반도체 기판을 가열시키도록 형성된 히터; 및 상기 히터에 의해 지지되는 복수개의 반도체 기판에 대하여 개별적으로 스위핑되면서 상기 복수개의 반도체 기판 상에 반응 가스를 분사하는 복수개의 인젝터를 포함하여 이루어진다.
반도체 기판, 챔버(chamber), 인젝터(inject), 벨로우즈(bellows), 스위핑(sweeping)

公开(公告)号：KR1020170129515A

公开(公告)日：2017-11-27

申请号：KR1020160060328

申请日：2016-05-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한상철 ,  김도형 ,  홍태기 ,  최진혁 ,  한문형

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L27/10852 ,  C23C16/24 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/28525 ,  H01L27/10814 ,  H01L28/90 ,  H01L28/91

Abstract: 반도체장치의제조방법이제공된다. 상기반도체장치의제조방법은, 트렌치가형성된기판을제공하되, 상기트렌치의바닥면은제1 물질을포함하고, 상기트렌치의측벽면은상기제1 물질과다른제2 물질을포함하고, 증착물질과도핑물질을포함하는가스를플라즈마이온화하고, 상기플라즈마이온화된증착물질과상기플라즈마이온화된도핑물질을상기트렌치내로제공하고, 상기트렌치의바닥면에바이어스전압을인가하여상기플라즈마이온화된증착물질과상기플라즈마이온화된도핑물질을상기트렌치내에증착하는것을포함한다.

Abstract translation: 提供了一种制造半导体器件的方法。 一种半导体器件的制造方法，但提供在其上形成的沟槽的衬底，所述沟槽的所述底表面包括第一材料，以及所述沟槽的侧壁包括第一材料和与第一材料不同，沉积材料 等离子体电离含有平材料过度的气体，等离子提供到所述沟槽中的离子化的沉积材料和等离子体离子化掺杂材料，和施加偏置电压的等离子体离子化所述沟槽的所述底表面，沉积材料和 并将等离子体离子掺杂材料沉积在沟槽中。

公开(公告)号：KR1020090022557A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：KR1020070088021

申请日：2007-08-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김기현 ,  성덕용 ,  한문형

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/402 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/52

Abstract: An apparatus for HDP-CVD and a method for forming an insulating layer using the same are provided to increases the fabrication efficiency by easily filling up the gap between the semiconductor devices. A high density plasma chemical vapor deposition apparatus comprises gas feed assemblies(20,30,40). The gas feed assembly has gas injection valves and valve control parts. The gas injection valve easily controls the gas injected into a chamber(10) and on/off operation according to the size of gap between the semiconductor devices. The valve control part controls the gas injection valve. The valve control part injects the gas into the chamber using the gas injection valve.

Abstract translation: 提供一种用于HDP-CVD的装置和使用该装置形成绝缘层的方法，以通过容易地填充半导体器件之间的间隙来提高制造效率。 高密度等离子体化学气相沉积设备包括气体供给组件（20,30,40）。 气体供给组件具有气体注入阀和阀门控制部件。 气体注入阀根据半导体器件之间的间隙尺寸容易地控制注入到腔室（10）中的气体和开/关操作。 阀控制部控制气体喷射阀。 阀控制部分使用气体注入阀将气体喷射到室中。

公开(公告)号：KR1020090002597A

公开(公告)日：2009-01-09

申请号：KR1020070066087

申请日：2007-07-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최진혁 ,  한문형 ,  김기현

IPC: C23C16/50

Abstract: A thin film-forming apparatus using remote plasma is provided to prevent defects from forming semiconductor thin films by preventing impurities from flowing in a reaction chamber. A thin film-forming apparatus(1) using remote plasma comprises a remote plasma generation part(100), a plasma storage part, and an impure radical purging part(160). The remote plasma generation part generates radical-included plasma. The plasma storage part stores the plasma generated in the remote plasma generation part. The impure radical purging part removes impure radicals from the radical-included plasma discharged from the plasma storage part.

Abstract translation: 提供使用远程等离子体的薄膜形成装置，以防止杂质在反应室中流动而形成半导体薄膜的缺陷。 使用远程等离子体的薄膜形成装置（1）包括远程等离子体产生部分（100），等离子体存储部分和不纯的清除部分（160）。 远程等离子体产生部分产生包含自由基的等离子体。 等离子体存储部存储在远程等离子体产生部中产生的等离子体。 不纯的自由基清除部分从从等离子体存储部分排出的自由基包含的等离子体中去除不纯的自由基。

公开(公告)号：KR1019980073251A

公开(公告)日：1998-11-05

申请号：KR1019970008422

申请日：1997-03-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김동철 ,  한문형

IPC: H01L21/66

Abstract: 본 발명에 의한 캘리브레이션 시스템 및 그 제어방법은, 유량 조절용 디바이스와 접속되도록 A/D 및 D/A용 컨버터가 구비된 컴퓨터를 배치한 후, 이를 이용하여 상기 디바이스로부터 측정된 현재값과 컴퓨터 내부에 자체 세팅된 기준값(예컨대, 정량치±0.5%)을 비교하도록하여, 현재값이 기준값 범위 내에 포함되면 현상태가 캘리브레이션된 것으로 간주하여 작업을 종료하고, 그렇지 않은 경우에는 컴퓨터에서 보상값을 결정하여 이 보상값에 해당되는 데이터를 상기 컨버터를 통해 컴퓨터에서 디바이스로 입력시켜 주는 방식으로 캘리브레이션 작업이 자동 제어되도록 하므로써, 캘리브레이션 작업의 정밀도 향상 및 시간 단축으로 인한 시스템의 품질 향상을 달성할 수 있게 된다.