양자점 발광 소자 및 이의 제조 방법
    1.
    发明公开
    양자점 발광 소자 및 이의 제조 방법 有权
    量子发光二极管及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020110127897A

    公开(公告)日:2011-11-28

    申请号:KR1020100047397

    申请日:2010-05-20

    Abstract: PURPOSE: A quantum dot light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to reduce manufacturing costs by forming a quantum light emitting layer and a charge transport layer by a solution process. CONSTITUTION: An anode(210) is formed in the top of a substrate. A quantum light-emitting layer(230) is formed on the anode and a charge transport particle and a quantum dot are mixed. A cathode is formed on the quantum light-emitting layer. A charge transport particle is an oxide nano particle. The diameter of a quantum dot is 2nm to 20nm. An electron-transport layer(240a) is composed an N-type semiconductor nano particle and is formed on the quantum light-emitting layer.

    Abstract translation: 目的:提供量子点发光器件及其制造方法,通过溶液法形成量子发光层和电荷输送层来降低制造成本。 构成:在衬底的顶部形成阳极(210)。 在阳极上形成量子发光层(230),电荷输送粒子和量子点混合。 在量子发光层上形成阴极。 电荷输送粒子是氧化物纳米粒子。 量子点的直径为2nm至20nm。 电子传输层(240a)由N型半导体纳米颗粒组成,并形成在量子发光层上。

    IGZO를 포함하는 역구조 유기 태양전지 및 그의 제조 방법
    3.
    发明公开
    IGZO를 포함하는 역구조 유기 태양전지 및 그의 제조 방법 审中-实审
    具有IGZO的反射有机太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020150002055A

    公开(公告)日:2015-01-07

    申请号:KR1020130075359

    申请日:2013-06-28

    CPC classification number: Y02E10/549 H01L51/42

    Abstract: 본 발명은 IGZO를 이용한 역구조 유기 태양전지 및 그 제조 방법을 제공한다. 역구조 유기 태양전지는 기판 상에 순차 적층된 제1 전극, 전자 추출층, 광활성층, 정공 추출층 및 제2 전극을 포함하고, 상기 전자 추출층은 인듐(In), 갈륨(Ga)을 도핑한 산화아연 선구체 용액을 졸젤 방법(sol-gel) 에 의해 형성한 금속 산화물 박막(IGZO) 인 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 전력변환효율이 우수한 역구조 유기 태양전지를 제작할 수 있다.

    Abstract translation: 本发明提供一种使用IGZO的倒置有机太阳能电池及其制造方法。 倒置的有机太阳能电池包括依次层叠在基板上的第一电极,电子提取层,光活性层,空穴提取层和第二电极。 电子提取层是通过使用通过溶胶 - 凝胶法掺杂In和Ga的氧化锌前体溶液形成的氧化银薄膜(IGZO)。 根据本发明,制造的是具有高功率转换效率的倒置有机太阳能电池。

    엑시톤 차단층을 이용한 유기 태양전지 및 그의 제조 방법
    5.
    发明公开
    엑시톤 차단층을 이용한 유기 태양전지 및 그의 제조 방법 审中-实审
    有机阻塞层的有机太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020150002071A

    公开(公告)日:2015-01-07

    申请号:KR1020130075396

    申请日:2013-06-28

    CPC classification number: Y02E10/549 H01L51/42 H01L51/44

    Abstract: The present invention relates to an organic solar cell to introduce an exciton blocking layer on both a hole extraction layer and an electron extraction layer and, more particularly, to an organic solar cell which is composed of hole and electron exciton blocking layers on two metal layers and a light absorption layer which is formed by a bulk heterojunction. Charges generated by light are smoothly moved by smoothing transporting the charges by simultaneously introducing a hole transport layer and an electron transport layer for an exciton blocking layer with a high charge transport property. If materials with a large energy level difference are used, the light conversion efficiency of the solar cell is improved by blocking a leakage current.

    Abstract translation: 本发明涉及一种在空穴提取层和电子提取层上引入激子阻挡层的有机太阳能电池,更具体地说,涉及由两个金属层上的空穴和电子激子阻挡层组成的有机太阳能电池 以及通过本体异质结形成的光吸收层。 通过同时引入具有高电荷传输性的激子阻挡层的空穴传输层和电子传输层,通过平滑传输电荷来平滑地移动由光产生的电荷。 如果使用具有大能量差的材料,则通过阻止泄漏电流来提高太阳能电池的光转换效率。

    반도체 나노입자를 포함하는 광흡수층의 제작방법 및 이 광흡수층을 포함하는 반도체 소자의 제작방법
    6.
    发明授权
    반도체 나노입자를 포함하는 광흡수층의 제작방법 및 이 광흡수층을 포함하는 반도체 소자의 제작방법 有权
    制造含有半导体纳米颗粒的吸收层的方法和制造含有相同吸收层的半导体器件的方法

    公开(公告)号:KR101478448B1

    公开(公告)日:2015-01-02

    申请号:KR1020130076427

    申请日:2013-07-01

    CPC classification number: H01L51/426 B82Y40/00 Y02E10/549 Y02P70/521

    Abstract: 본 발명은 광흡수층 제작방법 및 이 광흡수층을 포함하는 반도체 소자의 제작방법에 관한 것으로, 일 실시예에 따르면, 기판 위에 반도체 나노입자 용액을 도포하여 나노입자 박막을 형성하는 단계; 나노입자간의 결합을 유도하기 위해, 형성된 상기 나노입자 박막을 적어도 1회 이상 열처리하는 단계; 및 상기 나노입자 박막에 광흡수재 용액을 도포하여 광흡수층을 형성하는 단계;를 포함하는 광흡수층의 제작 방법 및 이 광흡수층을 포함하는 반도체 소자의 제작 방법을 개시한다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种制造光吸收层的方法和一种制造包括光吸收层的半导体器件的方法。 根据本发明的一个实施方案,制备光吸收层的方法包括以下步骤:通过将半导体纳米颗粒溶液施加到基底上形成纳米颗粒薄膜; 至少一次热处理纳米颗粒薄膜以诱导纳米颗粒之间的耦合; 以及通过将光吸收溶液施加到所述纳米颗粒薄膜上而形成光吸收层。

    적외선 광정류기가 포함된 양자점 소자 제조 방법
    7.
    发明公开
    적외선 광정류기가 포함된 양자점 소자 제조 방법 无效
    具有红外光电二极管的量子发光二极管的制造

    公开(公告)号:KR1020120106476A

    公开(公告)日:2012-09-26

    申请号:KR1020110024608

    申请日:2011-03-18

    CPC classification number: H01L51/502 B82Y20/00 H01L27/30 H01L27/323

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a quantum dot element is provided to simplify the structure of a touch pad by inserting a quantum dot or an organic semiconductor absorbing infrared rays in around red, green, and blue pixels. CONSTITUTION: A display using a quantum dot light emitting diode comprises an organic compound or an inorganic semiconductor pixel(13). The organic compound or the inorganic semiconductor pixel absorbs infrared rays in around a luminous pixel. A quantum dot pixel absorbing the infrared ray is formed with a stamp method. An organic semiconductor absorbing the infrared rays is formed with one or more methods selected in a group consisting of a vapor deposit method, a screen printing method, an inkjet printing method, and a M-contact printing method.

    Abstract translation: 目的:提供量子点元件制造方法,通过将量子点或吸收红外线的有机半导体插入红色,绿色和蓝色像素中来简化触摸板的结构。 构成:使用量子点发光二极管的显示器包括有机化合物或无机半导体像素(13)。 有机化合物或无机半导体像素吸收发光像素周围的红外线。 用印模法形成吸收红外线的量子点像素。 吸收红外线的有机半导体通过选自气相沉积法,丝网印刷法,喷墨印刷法和M接触印刷法中的一种或多种方法形成。

    콜로이드 반도체 나노입자의 다층 박막 형성법
    8.
    发明公开
    콜로이드 반도체 나노입자의 다층 박막 형성법 无效
    多层膜半导体纳米粒子的制备

    公开(公告)号:KR1020120106426A

    公开(公告)日:2012-09-26

    申请号:KR1020110024530

    申请日:2011-03-18

    CPC classification number: H01L21/0274 G03F7/0002

    Abstract: PURPOSE: A method for forming multilayer thin firm of a colloid semiconductor nanoparticle is provided to laminate a semiconductor nanoparticle by reforming the surface of the semiconductor nanoparticle. CONSTITUTION: Nano particles(11) in which the surface is reformed are formed in a stamp(10). The nano particles formed in the stamp contact an element and gravitation between the nano particles is strengthened. A thin film is transferred. The nano particles are one or more species selected from a group consisting of a metal oxide or an II-VI group material, an III-V group material, an IV-IV group material, and an IV-VI group material.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于形成胶体半导体纳米颗粒的多层薄固体的方法,通过重整半导体纳米颗粒的表面来层压半导体纳米颗粒。 构成:将表面重整的纳米颗粒(11)形成在印模(10)中。 形成在印模中的纳米颗粒与元素之间的接触和纳米颗粒之间的重力被加强。 转移薄膜。 纳米颗粒是选自金属氧化物或II-VI族材料,III-V族材料,IV-IV族材料和IV-VI族材料的一种或多种。

    전기적 어닐링을 통해 전기적 특성을 향상시킨 유기태양전지 및 그 제조 방법
    9.
    发明公开
    전기적 어닐링을 통해 전기적 특성을 향상시킨 유기태양전지 및 그 제조 방법 无效
    具有改善电气特性的有机太阳能电池使用电气退火及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020120106479A

    公开(公告)日:2012-09-26

    申请号:KR1020110024613

    申请日:2011-03-18

    CPC classification number: Y02E10/549 H01L51/42 H01L31/04

    Abstract: PURPOSE: An organic solar cell and a manufacturing method thereof are provided to improve efficiency by adding forward voltage to both electrodes of the organic solar cell and turning on the electricity for predetermined time. CONSTITUTION: A diode is formed by sequentially arranging a substrate, an anode, a hole implant layer(12), a photoactive layer, a electron injection layer, and a cathode or sequentially arranging the substrate, the cathode, the electron injection layer, the photoactive layer, the hole implant layer, and the anode. The anode and the cathode are formed by ITO and AZO or metal, alloy, conductivity polymer, carbon nano-tube, and graphene. A photoactive layer(13) uses an organic compound of 30nm-300nm or inorganic synthesized material.

    Abstract translation: 目的:提供一种有机太阳能电池及其制造方法,通过向有机太阳能电池的两个电极添加正向电压并在预定时间内接通电力来提高效率。 构成:通过顺序地布置衬底,阳极,空穴注入层(12),光活性层,电子注入层和阴极或顺序地布置衬底,阴极,电子注入层, 光活性层,空穴注入层和阳极。 阳极和阴极由ITO和AZO或金属,合金,导电性聚合物,碳纳米管和石墨烯形成。 光敏层(13)使用30nm-300nm的有机化合物或无机合成材料。

    양자점 발광 소자 및 이를 이용한 디스플레이
    10.
    发明公开
    양자점 발광 소자 및 이를 이용한 디스플레이 有权
    量子点光发射二极管器件和使用它的显示器

    公开(公告)号:KR1020110129121A

    公开(公告)日:2011-12-01

    申请号:KR1020100048569

    申请日:2010-05-25

    CPC classification number: H01L51/502 H01L27/3244 H01L51/5004 H01L51/5036

    Abstract: PURPOSE: A quantum dot light emitting diode device and a display using the same are provided to prevent a hole-transport layer from being solved in a solution by forming the hole-transport layer after a liquid solution process for forming the quantum dot light emitting diode. CONSTITUTION: In a quantum dot light emitting diode device and a display using the same, a cathode(310) is formed on a substrate(300). A quantum dot light-emitting layer(330) is formed on the cathode. An anode(350) is formed on the quantum dot light-emitting layer. An electron-transport layer(320) is formed between the cathode and the quantum dot light-emitting layer. A hole-transport layer(340) is formed between the quantum dot light-emitting layer and the anode.

    Abstract translation: 目的:提供量子点式发光二极管装置及使用其的显示器,以防止在用于形成量子点发光二极管的液体溶液处理之后通过形成空穴传输层而在溶液中溶解空穴传输层 。 构成:在量子点式发光二极管装置及使用其的显示器中,在基板(300)上形成阴极(310)。 在阴极上形成量子点发光层(330)。 在量子点发光层上形成阳极(350)。 在阴极和量子点发光层之间形成电子传输层(320)。 在量子点发光层和阳极之间形成空穴传输层(340)。

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