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公开(公告)号：KR1020120022810A
公开(公告)日：2012-03-12
申请号：KR1020117025030
申请日：2010-04-15
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
CPC classification number: H05K3/389 , H05K3/385 , H05K2201/2063 , H05K2203/0315
Abstract: 본 발명은 다층 인쇄 회로 기판의 제조 공정 및 이로써 형성된 아티클, 특히 IC 기판에 관한 것이다. 본 발명의 공정은 개별 공정 단계에서 무기 실리케이트 및 오르가노실란 본딩 혼합물을 이용하여 유전체 재료 및 구리의 층들 사이에 접착성을 제공한다. 상기 공정은 다층 인쇄 회로 기판 및 IC 기판의 내습성은 물론, 기계적 및 열적 스트레스 저항성을 향상시키고, 접착 강도를 개선한다.
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公开(公告)号：KR101546999B1
公开(公告)日：2015-08-25
申请号：KR1020117023654
申请日：2010-03-30
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
CPC classification number: H05K3/205 , H05K2203/124
Abstract: 회로의도전체라인들이유전체기판포면에대한양호한접착을갖는유전체기판상에고 밀도회로를제조할수 있도록, 다음의방법단계들: a) 두개의측면들을갖는보조기판을제공하는단계로서, 상기측면들중 적어도하나는도전성표면을갖는, 상기두개의측면들을갖는보조기판을제공하는단계; b) 적어도하나의도전성표면중 적어도하나의도전성표면을적어도하나의릴리즈층 형성화합물로처리하는단계로서, 상기릴리즈층 형성화합물은적어도하나의티올기를갖는헤테로사이클릭화합물인, 상기적어도하나의릴리즈층 형성화합물로처리하는단계; c) 적어도하나의릴리즈층 형성화합물로처리된적어도하나의도전성표면의적어도하나상에패턴화된레지스트코팅을형성하는단계로서, 패턴화된레지스트코팅은적어도하나의레지스트개구를가져서도전성표면을노출시키는, 패턴화된레지스트코팅을형성하는단계; d) 노출된도전성표면상에금속을전착하여적어도하나의레지스트개구에도전성패턴을형성하는단계; e) 보조기판의각각의측면상에각각의유전체재료층을형성하여유전체재료에각 도전성패턴을형성하는단계; 및 f) 각각의임베딩된도전성패턴을포함하는각 유전체재료와보조기판을서로분리시키는단계를포함하는방법이제공된다.
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公开(公告)号：KR1020160028529A
公开(公告)日：2016-03-11
申请号：KR1020167005708
申请日：2010-04-15
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
IPC: H05K3/38
CPC classification number: H05K3/389 , H05K3/385 , H05K2201/2063 , H05K2203/0315
Abstract: 본발명은다층인쇄회로기판의제조공정및 이로써형성된아티클, 특히 IC 기판에관한것이다. 본발명의공정은개별공정단계에서무기실리케이트및 오르가노실란본딩혼합물을이용하여유전체재료및 구리의층들사이에접착성을제공한다. 상기공정은다층인쇄회로기판및 IC 기판의내습성은물론, 기계적및 열적스트레스저항성을향상시키고, 접착강도를개선한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130075729A
公开(公告)日：2013-07-05
申请号：KR1020127027382
申请日：2010-05-26
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
Abstract: 인쇄 회로판의 제조 과정에서 구리 또는 구리 합금의 마이크로 에칭을 위한 조성물 및 상기 조성물을 적용하는 방법을 개시한다. 상기 조성물은 구리 염, 할로겐화물 이온 공급원, 완충계 및 에칭 리파이너인 벤조티아졸 화합물을 포함한다. 본 발명의 조성물 및 방법은 특히
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公开(公告)号：KR101803999B1
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：KR1020137012049
申请日：2011-10-24
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
CPC classification number: H05K3/383 , C23F1/18 , H05K3/00 , H05K2203/124
Abstract: 본발명은플라스틱기판과단단한결합이형성되게하는, 구리표면을예비처리하기위한예비처리용액및 구리표면의예비처리방법에관한것이다. 상기용액은 a) 과산화수소, b) 1 종이상의산, 및 c) 1 종이상의질소-함유, 5-원, 헤테로시클릭화합물, 및 d) 추가적으로화학식 (I) 의하나이상의잔기와질소원자들중 하나이상에연결된, 락탐, 비-4차지방아미드, 아미드및 폴리아미드를포함또는그들로이루어진군으로부터선택되는 1 종이상의질소함유, 접착력-증진화합물을 포함하나, 단성분 c) 를위해선택되는질소-함유, 5-원, 헤테로시클릭화합물은화학식 (I) 의잔기와질소원자들중 어떤것에서도연결되지않는다:[식중, n 은 1 내지약 100 의정수이고, R은수소또는탄소수 1 내지 6 의탄화수소잔기이며, R는수소또는탄소수 1 내지 6 의탄화수소잔기이고, -(CHR-CHR-O)- 부분에서의각 R및 R는다른 -(CHR-CHR-O)- 부분에서의각 R및 R와독립적으로선택될수 있음].
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公开(公告)号：KR101628434B1
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：KR1020127027382
申请日：2010-05-26
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
Abstract: 인쇄회로판의제조과정에서구리또는구리합금의마이크로에칭을위한조성물및 상기조성물을적용하는방법을개시한다. 상기조성물은구리염, 할로겐화물이온공급원, 완충계및 에칭리파이너인벤조티아졸화합물을포함한다. 본발명의조성물및 방법은특히
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公开(公告)号：KR1020130139283A
公开(公告)日：2013-12-20
申请号：KR1020137012049
申请日：2011-10-24
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
CPC classification number: H05K3/383 , C23F1/18 , H05K3/00 , H05K2203/124
Abstract: 본 발명은 플라스틱 기판과 단단한 결합이 형성되게 하는, 구리 표면을 예비처리하기 위한 예비처리 용액 및 구리 표면의 예비 처리 방법에 관한 것이다. 상기 용액은
a) 과산화수소,
b) 1 종 이상의 산, 및
c) 1 종 이상의 질소-함유, 5-원, 헤테로시클릭 화합물, 및
d) 추가적으로 화학식 (I) 의 하나 이상의 잔기와 질소 원자들 중 하나 이상에 연결된, 락탐, 비-4차 지방 아미드, 아미드 및 폴리아미드를 포함 또는 그들로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 종 이상의 질소 함유, 접착력-증진 화합물
을 포함하나, 단 성분 c) 를 위해 선택되는 질소-함유, 5-원, 헤테로시클릭 화합물은 화학식 (I) 의 잔기와 질소 원자들 중 어떤 것에서도 연결되지 않는다:
[식 중,
n 은 1 내지 약 100 의 정수이고,
R
1 은 수소 또는 탄소수 1 내지 6 의 탄화수소 잔기이며,
R
2 는 수소 또는 탄소수 1 내지 6 의 탄화수소 잔기이고,
-(CHR
1 -CHR
2 -O)- 부분에서의 각 R
1 및 R
2 는 다른 -(CHR
1 -CHR
2 -O)- 부분에서의 각 R
1 및 R
2 와 독립적으로 선택될 수 있음].Abstract translation: 本发明涉及一种用于预处理铜表面的预处理溶液，以及用于预处理铜表面以允许用塑料基材形成紧密粘合的方法。 所述溶液包括：a）过氧化氢，b）至少一种酸，和c）至少一种含氮五元杂环化合物，和d）另外含有至少一种含氮粘附促进化合物，其选自 其包含或由其组成的内酰胺，非季脂肪胺，酰胺和聚酰胺，其在一个或多个氮原子上连接有至少一个式（I）的残基，其中n是1至约100的整数 ，R 1为氢或具有1至约6个碳原子的烃残基，R 2为氢或具有1至约6个碳原子的烃基，并且a - （CHR 1 -CHR 2 - O） - 部分可以独立于另一个 - （CHR 1 -CHR 2 -O） - 部分中的每个R 1和R 2选择，条件是选自组分c）的含氮五元杂环化合物 在其任何氮原子上不与式（I）的残基连接。
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公开(公告)号：KR1020120005458A
公开(公告)日：2012-01-16
申请号：KR1020117023654
申请日：2010-03-30
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
CPC classification number: H05K3/205 , H05K2203/124 , H05K3/20 , H05K3/38
Abstract: 회로의 도전체 라인들이 유전체 기판 포면에 대한 양호한 접착을 갖는 유전체 기판상에 고 밀도 회로를 제조할 수 있도록, 다음의 방법 단계들: a) 두개의 측면들을 갖는 보조 기판을 제공하는 단계로서, 상기 측면들 중 적어도 하나는 도전성 표면을 갖는, 상기 두개의 측면들을 갖는 보조 기판을 제공하는 단계; b) 적어도 하나의 도전성 표면 중 적어도 하나의 도전성 표면을 적어도 하나의 릴리즈 층 형성 화합물로 처리하는 단계로서, 상기 릴리즈 층 형성 화합물은 적어도 하나의 티올기를 갖는 헤테로사이클릭 화합물인, 상기 적어도 하나의 릴리즈 층 형성 화합물로 처리하는 단계; c) 적어도 하나의 릴리즈 층 형성 화합물로 처리된 적어도 하나의 도전성 표면의 적어도 하나상에 패턴화된 레지스트 코팅을 형성하는 단계로서, 패턴화된 레지스트 코팅은 적어도 하나의 레지스트 개구를 가져서 도전성 표면을 노출시키는, 패턴화된 레지스트 코팅을 형성하는 단계; d) 노출된 도전성 표면상에 금속을 전착하여 적어도 하나의 레지스트 개구에 도전성 패턴을 형성하는 단계; e) 보조 기판의 각각의 측면상에 각각의 유전체 재료 층을 형성하여 유전체 재료에 각 도전성 패턴을 형성하는 단계; 및 f) 각각의 임베딩된 도전성 패턴을 포함하는 각 유전체 재료와 보조 기판을 서로 분리시키는 단계를 포함하는 방법이 제공된다.
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