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公开(公告)号：KR1020140091689A
公开(公告)日：2014-07-22
申请号：KR1020147011962
申请日：2012-11-08
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
IPC: C23F1/18 , C23F1/46 , C23F1/44 , H05K3/06 , H01L21/3213
CPC classification number: C23F1/18 , C23F1/44 , C23F1/46 , C25D5/34 , H01L21/32134 , H05K3/067 , H05K3/108 , H05K2203/0789
Abstract: 본 발명은 수성 조성물 및 구리 및 구리 합금의 에칭 방법에 관한 것이다. 상기 수성 조성물은 Fe
3
+ 이온, 산 및 N-알콕실화 폴리아미드를 포함한다. 상기 수성 조성물은 인쇄 회로 기판, IC 기판 등의 제조에서 미세 구조물을 제조하는데 있어서 특히 유용하다.-
公开(公告)号：KR1020120005458A
公开(公告)日：2012-01-16
申请号：KR1020117023654
申请日：2010-03-30
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
CPC classification number: H05K3/205 , H05K2203/124 , H05K3/20 , H05K3/38
Abstract: 회로의 도전체 라인들이 유전체 기판 포면에 대한 양호한 접착을 갖는 유전체 기판상에 고 밀도 회로를 제조할 수 있도록, 다음의 방법 단계들: a) 두개의 측면들을 갖는 보조 기판을 제공하는 단계로서, 상기 측면들 중 적어도 하나는 도전성 표면을 갖는, 상기 두개의 측면들을 갖는 보조 기판을 제공하는 단계; b) 적어도 하나의 도전성 표면 중 적어도 하나의 도전성 표면을 적어도 하나의 릴리즈 층 형성 화합물로 처리하는 단계로서, 상기 릴리즈 층 형성 화합물은 적어도 하나의 티올기를 갖는 헤테로사이클릭 화합물인, 상기 적어도 하나의 릴리즈 층 형성 화합물로 처리하는 단계; c) 적어도 하나의 릴리즈 층 형성 화합물로 처리된 적어도 하나의 도전성 표면의 적어도 하나상에 패턴화된 레지스트 코팅을 형성하는 단계로서, 패턴화된 레지스트 코팅은 적어도 하나의 레지스트 개구를 가져서 도전성 표면을 노출시키는, 패턴화된 레지스트 코팅을 형성하는 단계; d) 노출된 도전성 표면상에 금속을 전착하여 적어도 하나의 레지스트 개구에 도전성 패턴을 형성하는 단계; e) 보조 기판의 각각의 측면상에 각각의 유전체 재료 층을 형성하여 유전체 재료에 각 도전성 패턴을 형성하는 단계; 및 f) 각각의 임베딩된 도전성 패턴을 포함하는 각 유전체 재료와 보조 기판을 서로 분리시키는 단계를 포함하는 방법이 제공된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101614169B1
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：KR1020107019893
申请日：2009-02-27
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
IPC: C09J201/02 , C09J179/00 , C09J175/00 , H05K3/38
CPC classification number: H05K3/389 , C23C22/02 , C23C22/52 , C23F11/12 , C23F11/128 , C23F11/149 , C23F11/16 , C23F11/165 , C23F11/173 , H05K3/064 , H05K3/108 , H05K3/282 , H05K2203/12 , H05K2203/122 , H05K2203/124
Abstract: 매우얇은구리기재가손상되지않도록하면서, 상기구리기재에대한레지스트코팅물, 더욱특히감광성레지스트코팅물의양호한접착성을달성하기위해, i) 하나이상의티올부분을포함하는헤테로시클릭화합물및 ii) 하기화학식을갖는 4급암모늄중합체를포함하는군으로부터선택되는하나이상의접착제를포함하는, 구리기재처리용비에칭무레지스트조성물을제공한다:[식중, R, R,R, Y 및 X는청구항에정의된바와같음].
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公开(公告)号：KR101546999B1
公开(公告)日：2015-08-25
申请号：KR1020117023654
申请日：2010-03-30
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
CPC classification number: H05K3/205 , H05K2203/124
Abstract: 회로의도전체라인들이유전체기판포면에대한양호한접착을갖는유전체기판상에고 밀도회로를제조할수 있도록, 다음의방법단계들: a) 두개의측면들을갖는보조기판을제공하는단계로서, 상기측면들중 적어도하나는도전성표면을갖는, 상기두개의측면들을갖는보조기판을제공하는단계; b) 적어도하나의도전성표면중 적어도하나의도전성표면을적어도하나의릴리즈층 형성화합물로처리하는단계로서, 상기릴리즈층 형성화합물은적어도하나의티올기를갖는헤테로사이클릭화합물인, 상기적어도하나의릴리즈층 형성화합물로처리하는단계; c) 적어도하나의릴리즈층 형성화합물로처리된적어도하나의도전성표면의적어도하나상에패턴화된레지스트코팅을형성하는단계로서, 패턴화된레지스트코팅은적어도하나의레지스트개구를가져서도전성표면을노출시키는, 패턴화된레지스트코팅을형성하는단계; d) 노출된도전성표면상에금속을전착하여적어도하나의레지스트개구에도전성패턴을형성하는단계; e) 보조기판의각각의측면상에각각의유전체재료층을형성하여유전체재료에각 도전성패턴을형성하는단계; 및 f) 각각의임베딩된도전성패턴을포함하는각 유전체재료와보조기판을서로분리시키는단계를포함하는방법이제공된다.
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公开(公告)号：KR102139843B1
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：KR1020157021872
申请日：2013-07-29
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
IPC: C23F1/18 , C23F1/02 , C23F1/46 , H05K3/06 , H01L21/306
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公开(公告)号：KR1020150105465A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：KR1020157021872
申请日：2013-07-29
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
IPC: C23F1/18 , C23F1/02 , C23F1/46 , H05K3/06 , H01L21/306
CPC classification number: C23F1/18 , C23F1/02 , C23F1/46 , H05K3/067 , H05K2203/0789
Abstract: 본 발명은 구리 및 구리 합금 식각을 위한 수성 조성물 및 상기 수성 조성물을 적용한 구리 및 구리 합금의 식각 방법에 관한 것이다. 수성 조성물은, Fe
3+ 이온들을 위한 소스, 적어도 하나의 산, 적어도 하나의 트리아졸 또는 테트라졸 유도체, 및 N-알킬화된 이미노디프로피온산, 이의 염, 개질된 폴리글리콜 에테르 및 4차 우레일렌 중합체로부터 선택된 적어도 하나의 식각 첨가물을 포함한다. 수성 조성물은 인쇄 회로판, IC 기판 등의 제조에서 미세 구조를 만드는데 특히 유용하다.-
公开(公告)号：KR1020100126355A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：KR1020107019893
申请日：2009-02-27
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
IPC: C09J201/02 , C09J179/00 , C09J175/00 , H05K3/38
CPC classification number: H05K3/389 , C23C22/02 , C23C22/52 , C23F11/12 , C23F11/128 , C23F11/149 , C23F11/16 , C23F11/165 , C23F11/173 , H05K3/064 , H05K3/108 , H05K3/282 , H05K2203/12 , H05K2203/122 , H05K2203/124
Abstract: 매우 얇은 구리 기재가 손상되지 않도록 하면서, 상기 구리 기재에 대한 레지스트 코팅물, 더욱 특히 감광성 레지스트 코팅물의 양호한 접착성을 달성하기 위해, i) 하나 이상의 티올 부분을 포함하는 헤테로시클릭 화합물 및 ii) 하기 화학식을 갖는 4급 암모늄 중합체를 포함하는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 접착제를 포함하는, 구리 기재 처리용 비에칭 무레지스트 조성물을 제공한다:
[식 중, R
3 , R
4 ,
R
5 , Y 및 X
- 는 청구항에 정의된 바와 같음].
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