公开(公告)号：KR1020210017480A

公开(公告)日：2021-02-17

申请号：KR1020190096791

申请日：2019-08-08

Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

Inventor： 김세윤 ,  강진규 ,  김대환 ,  양기정 ,  김승현 ,  손대호

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/036 ,  H01L31/18

Abstract: CZTSSe 광흡수층을제조함에있어서, Cu 전구체, Zn 전구체및 Sn 전구체와접촉하는 Se의양을조절함으로써 CZTSSe 광흡수층내 결정립의크기를조절하는방법이제공된다. 본발명의일 측면에서제공되는 CZTSSe 광흡수층내 결정립의크기를조절하는방법은저온에서결정립의크기를크게형성시킬수 있는효과가있으며, 결정립의크기를적절히조절하여 CZTSSe 광흡수층에효율을향상시킬수 있는효과가있으며, 어닐링과정에서전구체소스를추가로공급할필요가없다는장점이있다.

公开(公告)号：KR102165789B1

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：KR1020190006672

申请日：2019-01-18

Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

Inventor： 김승현 ,  김세윤 ,  손대호 ,  강진규 ,  김대환 ,  김영일 ,  양기정

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0445

公开(公告)号：KR102075633B1

公开(公告)日：2020-02-10

申请号：KR1020180136935

申请日：2018-11-08

Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

Inventor： 강진규 ,  김대환 ,  김세윤 ,  손대호 ,  양기정

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

公开(公告)号：KR101861800B1

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：KR1020170057395

申请日：2017-05-08

Applicant: 재단법인대구경북과학기술원 ,  경북대학교 산학협력단

Inventor： 허영우 ,  김세윤 ,  김대환 ,  조효정

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/032

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0392

Abstract: 본발명은역구조의무연페로브스카이트태양전지의제조방법에관한것으로, 상세하게는기판상부에 P-type 금속산화물을포함하는정공수송층(hole transport layer, HTL)을형성하는단계(단계 1); 상기정공수송층(HTL) 상부에할라이드유기또는무기박막을형성하는단계(단계 2); 및상기정공수송층(HTL) 및할라이드유기또는무기박막을반응시켜상기정공수송층(HTL) 상부에페로브스카이트광흡수층을형성하는단계(단계 3);를포함하는역구조의페로브스카이트태양전지(Inverted perovskite solar cell)의제조방법에관한것이다.

公开(公告)号：KR101771568B1

公开(公告)日：2017-08-30

申请号：KR1020150154037

申请日：2015-11-03

Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

Inventor： 김세윤 ,  김대환 ,  성시준 ,  김강필

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  C01B9/00

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 본발명은다공성의금속할라이드박막또는후막제조방법에관한것으로서, 상기제조방법은태양전지의효율을높일수 있는다공성구조를갖는금속할라이드박막또는후막을제조할수 있는새로운방법을제시한다. 다공성의금속할라이드박막또는후막제조방법은다공성금속할라이드박막또는후막을통해반응후 잔여금속할라이드를최소화할수 있으며, 습막상태의금속할라이드에대기중 수분이거나, 외부에서수분을분사하여수분을공급함으로써금속할라이드박막의기공정도를제어할수 있어, 잔여금속할라이드가남는것을방지함으로써고효율태양전지를합성할수 있는매우유용한기술이다.

Abstract translation: 本发明涉及一种多孔的金属卤化物薄膜或厚膜生产方法中，生产过程中呈现了可以制造金属卤化物膜或具有多孔结构，这反过来，益太阳能电池的效率的厚膜的新方法。 金属卤化物薄膜或孔隙率的厚膜制造方法，并且可以在反应从厚膜卤化物剩余的金属，或大气中的水分，以seupmak态的金属卤化物后，该金属通过喷洒水对外部供给的水最小化所述多孔金属卤化物膜或 通过控制卤化物薄膜的孔的程度并防止残留的金属卤化物的残留，合成高效太阳能电池是非常有用的技术。

公开(公告)号：KR101707050B1

公开(公告)日：2017-02-17

申请号：KR1020150154101

申请日：2015-11-03

Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

Inventor： 이상주 ,  성시준 ,  김대환 ,  김세윤

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/18 ,  C01B9/00

CPC classification number: H01L51/0003 ,  H01L51/0024

Abstract: 본발명은하기화학식 1로표시되는화합물을사용하여제1 전구체막을제조하는단계(단계 1); 하기화학식 2로표시되는화합물을사용하여제2 전구체막을제조하는단계(단계 2); 및상기단계 1 및단계 2에서제조된제1 전구체막 및제2 전구체막을겹친후, 이를열압착하는단계(단계 3);을포함하는페로브스카이트광흡수층의제조방법을제공한다. 본발명에따른페로브스카이트광흡수층의제조방법은열압착방법으로가해진열로인해기상으로변환된제2 전구체가제1 전구체와접촉하게됨으로써잔여제1 전구체막이남지않게되고완벽히반응시킬수 있으며이때열압착으로가해진압력은발생되어진기상의제2 전구체를반응기안에서가두어두는역할을하며이는결정성장이원활히되어핀홀프리한조밀(dense)하고모폴로지가우수한페로브스카이트계광활성층을제조할수 있는효과가있다. 이에따라, 본발명에따른페로브스카이트광흡수층을포함하는페로브스카이트태양전지는우수한광전변환효율을나타낸다.

公开(公告)号：KR102243198B1

公开(公告)日：2021-04-22

申请号：KR1020190096791

申请日：2019-08-08

Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

Inventor： 김세윤 ,  강진규 ,  김대환 ,  양기정 ,  김승현 ,  손대호

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/036 ,  H01L31/18

Abstract: CZTSSe 광흡수층을제조함에있어서, Cu 전구체, Zn 전구체및 Sn 전구체와접촉하는 Se의양을조절함으로써 CZTSSe 광흡수층내 결정립의크기를조절하는방법이제공된다. 본발명의일 측면에서제공되는 CZTSSe 광흡수층내 결정립의크기를조절하는방법은저온에서결정립의크기를크게형성시킬수 있는효과가있으며, 결정립의크기를적절히조절하여 CZTSSe 광흡수층에효율을향상시킬수 있는효과가있으며, 어닐링과정에서전구체소스를추가로공급할필요가없다는장점이있다.

公开(公告)号：KR102204576B1

公开(公告)日：2021-01-20

申请号：KR1020190033505

申请日：2019-03-25

Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

Inventor： 양기정 ,  김삼미 ,  강진규 ,  김대환 ,  김세윤 ,  김영일 ,  박시내 ,  손대호 ,  안광석 ,  이상주

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

Abstract: 본발명의일실시예는플렉시블하며, 균일한상을갖는 CZTS, CZTSe 또는 CZTSSe계광흡수층을포함하는박막태양전지의제조방법및 그제조방법에의해제조된박막태양전지을제공한다.

公开(公告)号：KR101794988B1

公开(公告)日：2017-11-08

申请号：KR1020160052038

申请日：2016-04-28

Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

Inventor： 조효정 ,  김세윤 ,  양기정 ,  성시준 ,  김대환 ,  강진규

IPC: C01G53/08 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/04

CPC classification number: Y02E10/50 ,  C01G53/08 ,  C01P2002/34 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

Abstract: 본발명은금속할로겐화합물층 상에유기할로겐화합물을도포하여페로브스카이트층을형성하는단계(단계 1); 및상기단계 1에서형성된페로브스카이트층에유기할로겐화합물을접촉시키는단계(단계 2);를포함하는, 페로브스카이트광흡수층제조방법을제공한다. 본발명에따른광흡수층제조방법및 상기광흡수층제조방법이적용된태양전지제조방법은페로브스카이트내 불순물로작용하는금속할로겐화합물을반응시켜제거하여, 단락전류의값이향상되고그에따라광전환효율이향상된태양전지를제조할수 있는장점이있다.

Abstract translation: 本发明提供一种制造半导体器件的方法，包括：（1）通过在金属卤化物层上施加有机卤素化合物形成钙钛矿层; 然后使步骤1中形成的钙钛矿层与有机卤素化合物接触（步骤2）。 光吸收层的制造方法和根据本发明适用于制造该光吸收层的方法的太阳能电池的制造方法是钙钛矿teunae通过充当杂质的金属卤化物化合物反应除去，提高了短路的值电流，从而光转换效率 制造这种改进的太阳能电池具有优势。

公开(公告)号：KR102070852B1

公开(公告)日：2020-01-29

申请号：KR1020180136008

申请日：2018-11-07

Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

Inventor： 김세윤 ,  김대환 ,  강진규 ,  김승현 ,  손대호

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18