公开(公告)号：KR101861800B1

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：KR1020170057395

申请日：2017-05-08

Applicant: 재단법인대구경북과학기술원 ,  경북대학교 산학협력단

Inventor： 허영우 ,  김세윤 ,  김대환 ,  조효정

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/032

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0392

Abstract: 본발명은역구조의무연페로브스카이트태양전지의제조방법에관한것으로, 상세하게는기판상부에 P-type 금속산화물을포함하는정공수송층(hole transport layer, HTL)을형성하는단계(단계 1); 상기정공수송층(HTL) 상부에할라이드유기또는무기박막을형성하는단계(단계 2); 및상기정공수송층(HTL) 및할라이드유기또는무기박막을반응시켜상기정공수송층(HTL) 상부에페로브스카이트광흡수층을형성하는단계(단계 3);를포함하는역구조의페로브스카이트태양전지(Inverted perovskite solar cell)의제조방법에관한것이다.

公开(公告)号：WO2015046876A2

公开(公告)日：2015-04-02

申请号：PCT/KR2014/008895

申请日：2014-09-24

Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

Inventor： 성시준 ,  박시내 ,  김대환 ,  강진규 ,  황대규

IPC: H01L31/072 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/035281 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0326 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/541

Abstract: 본 발명은 상면에 배면전극이 코팅된 기판;상기 배면전극의 상면에 형성된 3 차원 다공성 구조이며, P형 반도체 물질의 결정립들로 구성되는 P형 반도체 박막; 상기 P형 반도체 박막의 결정립 표면에 코팅되어 형성되는 N형 버퍼층; 및 P형 반 도체 박막 상부로 상기 N형 버퍼층이 결정립 표면에 형성되는 투명전극;을 포함하 는 3차원 P-N 접합구조 태양전지를 제공한다. 본 발명의 태양전지는 3차원 구조의 광활성 박막을 포함하는 P-N 접합 태양전지로써, 3차원 구조의 P형 반도체 박막의 결정립 표면에 N형의 버퍼층을 형성시킴에 따라 종래의 P-N접합구조 태양전지보다 더욱 향상된 광전변환효율을 나타낼 수 있다.

Abstract translation:

本发明的背面电极被涂覆在基底的上表面上;形成在所述背面电极的上表面上的三维多孔结构，由P型半导体材料的晶粒的P型半导体薄膜; 在P型半导体薄膜的晶粒表面上形成的N型缓冲层; 并且在晶粒表面上具有透明电极，其中N型缓冲层形成在P-N结太阳能电池表面上的P型半导体薄膜上。 本发明不是根据锡金三维结构的晶表面上形成N型的缓冲层的太阳能电池的常规PN结结构的太阳能电池中，P型半导体薄膜作为PN结太阳能电池，其包括具有三维结构的光活性薄膜 并且可以进一步提高光电转换效率。

公开(公告)号：KR102042656B1

公开(公告)日：2019-11-11

申请号：KR1020130099638

申请日：2013-08-22

Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

Inventor： 양기정 ,  심준형 ,  전보람 ,  손대호 ,  강진규 ,  김대환

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/072

公开(公告)号：KR102021571B1

公开(公告)日：2019-09-16

申请号：KR1020180054927

申请日：2018-05-14

Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

Inventor： 양기정 ,  김삼미 ,  강진규 ,  김대환

IPC: H01L31/0392 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

公开(公告)号：KR101978110B1

公开(公告)日：2019-05-13

申请号：KR1020190013807

申请日：2019-02-01

Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

Inventor： 손대호 ,  김대환 ,  강진규 ,  김영일 ,  양기정

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/0392

公开(公告)号：KR101906712B1

公开(公告)日：2018-12-06

申请号：KR1020170022885

申请日：2017-02-21

Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

Inventor： 길은경 ,  성시준 ,  강진규 ,  김대환 ,  이상주 ,  최용찬

IPC: C09K11/88 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 본 발명은 광흡수층 조성물, 이를 포함하는 투명태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이고, 본 발명의 실시예를 따르는 하기 [화학식 1]로 표시되는 투명태양전지 광흡수층 조성물을 제공하며, 상기 화학식 1에서, A는 Bi(비스무스), Cu(구리), Ag(은), Zn(아연) 및 Sn(주석) 중 적어도 하나를 포함하고, 0≤m≤ 0.5, 0
(A
m Sb
1-m )
x (O
n (S
z Se
1-z )
1-n )
y

公开(公告)号：KR101873474B1

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：KR1020160122932

申请日：2016-09-26

Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

Inventor： 이상주 ,  길은경 ,  성시준 ,  김대환 ,  강진규

IPC: B32B15/08 ,  H01B13/00 ,  B32B15/20

Abstract: 본발명은적층형투명전극및 이의제조방법에관한것으로, 상세하게는제1 전도성고분자층; 제2 전도성고분자층; 및상기상부전도성고분자층및 하부전도성고분자층사이에배치된금속층;을포함하는적층형투명전극및 이의제조방법에관한것이다.

公开(公告)号：KR20180034285A

公开(公告)日：2018-04-04

申请号：KR20170124487

申请日：2017-09-26

Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

Inventor： 손대호 ,  강진규 ,  양기정 ,  김대환

IPC: H01L31/0445 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 본발명은셀렌화및 황화열처리를통한셀렌및 황의조성이조절된박막태양전지광흡수층의제조방법및 상기광흡수층을함유한박막태양전지에관한것이다. 구체적으로본 발명에따른광흡수층내 셀렌및 황의조성이조절된박막태양전지의광흡수층제조는, 후면전극층상에금속, 금속황 또는금속셀렌을포함하는금속화합물전구체를증착하는단계; 순수셀렌금속을이용하여셀렌(Se)화공정을진행하는단계; 셀렌화공정후 잔유셀렌물질및 기화가스를제거(purge) 하는단계; 및황화수소(H2S) 가스주입및 황화열처리를순차적으로진행하는단계를포함한다. 본발명에따른방법은흡수층내에서셀렌과황의비율을적절하게조정하여밴드갭조절이가능한고품질의화합물태양전지의제조에유용하게활용할수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及通过硒化和硫化热处理来控制硒和硫的组成的薄膜太阳能电池光吸收层的制造方法以及包含该光吸收层的薄膜太阳能电池。 具体而言，该方法包括沉积包含的光内的光吸收层吸收控制薄膜太阳能电池中的硫成分的层和硒制造的金属化合物前体中，金属背面电极层，在根据本发明的金属硫或硒金属; 使用纯硒金属进行硒化工艺; 添加硒后，清除残留的硒物质和蒸发气体; 以及依次注入硫化氢（H 2 S）气体和硫化热处理的步骤。 根据本发明的方法可以有效地用于制造能够通过适当调节吸收层中硒与硫的比率来调节带隙的高质量化合物太阳能电池。

公开(公告)号：KR101811354B1

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：KR1020150122647

申请日：2015-08-31

Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

Inventor： 양기정 ,  김영일 ,  심준형 ,  손대호 ,  김대환

IPC: H01L31/0445 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 본발명은박막형태양전지를제작하는데있어서, 광흡수층열처리공정후에광흡수층표면에포타슘(potassium)을처리하여 pn 동종접합(pn homojunction) 형성을원활하게하여전지의전기적특성및 광전변환효율을향상시키는방법을제공한다.

Abstract translation: 根据平滑的pn纯合（PN同质结）的光吸收热处理步骤之后，制作在光吸收层表面的薄膜太阳能电池，与钾（钾）的处理形成本发明提高电气特性和电池的光电转换效率 ＆lt;

公开(公告)号：KR101787083B1

公开(公告)日：2017-10-19

申请号：KR1020150154077

申请日：2015-11-03

Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

Inventor： 김세윤 ,  김대환 ,  성시준 ,  김강필

IPC: B82B3/00 ,  H01L31/0224

Abstract: 본발명은상대습도 0 % 내지 50 %로조절된분위기에서금속할라이드(metal halide) 분말을포함하는혼합용액을도포하여금속할라이드박막을제조하는단계(단계 1); 및상기단계 1에서제조된금속할라이드박막을화학식 1의화합물을포함하는용액에침지시켜페로브스카이트나노구조체를형성하는단계(단계 2);를포함하는페로브스카이트나노구조체의제조방법을제공한다. 본발명에따른페로브스카이트나노구조체의제조방법은금속할라이드분말을사용함으로써조밀한구조의전구체막 제조와더불어균일및 결정성이우수한페로브스카이트나노구조체를제조할수 있다. 또한, 상대습도를조절하여제조된치밀한구조의금속할라이드박막을기반으로페로브스카이트나노구조체를형성할수 있다. 나아가, 금속할라이드박막에고농도의페로브스카이트상을형성하는용액을침지시켜페로브스카이트시드를형성한후, 저농도의페로브스카이트상을형성하는용액을침지시켜페로브스카이트나노구조체를제조하는방법으로결정성이우수한페로브스카이트나노와이어를제조할수 있다.