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公开(公告)号：WO2014175687A1
公开(公告)日：2014-10-30
申请号：PCT/KR2014/003619
申请日：2014-04-24
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L23/5226 , H01L21/76805 , H01L21/76843 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/5222 , H01L23/5225 , H01L23/5227 , H01L23/5228 , H01L23/528 , H01L23/5329 , H01L28/10 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 본 발명에 따른 반도체 소자용 배선을 형성하는 방법은 실리콘 기판의 제1면을 선택적으로 식각하여 소정의 패턴을 형성하는 단계, 상기 소정의 패턴이 형성된 부분을 포함하는 상기 제1면의 선택된 영역을 금속층으로 코팅하는 단계, 식각된 부분을 채우고 상기 코팅된 금속층을 덮도록, 상기 제1면에 유기물을 형성하는 단계, 상기 유기물에 비아 홀을 형성하고, 상기 비아 홀을 통해서 금속 배선으로 상기 코팅된 금속층과 연결하는 단계, 그리고 식각된 부분에 형성된 금속층의 일부가 제거되도록 상기 제1면과 대응되는 제2면을 갈아내는 단계를 포함한다.
Abstract translation: 根据本发明的用于形成用于半导体器件的布线的方法包括：选择性地蚀刻硅衬底的第一表面以形成预定图案; 涂覆有金属层，所述第一表面的选定区域包含形成所述预定图案的部分; 在第一表面上形成有机材料以填充蚀刻部分并覆盖涂覆的金属层; 在有机材料中形成通孔，并通过通孔将金属布线连接到涂覆的金属层; 并研磨对应于第一表面的第二表面以去除在蚀刻部分中形成的金属层的一部分。
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公开(公告)号：KR101903861B1
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：KR1020160178282
申请日：2016-12-23
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L49/02
Abstract: 본발명의일실시예는전기전도성을갖는반도체기판으로형성되며, 하면으로전기신호가출입하는캐패시터하부전극, 상기캐패시터하부전극상에형성되는절연층, 상기절연층상에형성되며, 상면으로상기전기신호가출입하는캐패시터상부전극및 상기캐패시터하부전극의하면과상면사이를통과하는상기전기신호가상기캐패시터하부전극의측면을따라전달되도록, 상기캐패시터하부전극의측면에형성된제1 도전체층을포함하며, 상기제1 도전체층은전기전도도가상기캐패시터하부전극의전기전도도보다높은엠아이에스캐패시터를제공한다.
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公开(公告)号：KR1020180074317A
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：KR1020160178282
申请日：2016-12-23
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L49/02
CPC classification number: H01L28/60 , H01G4/06 , H01L28/87 , H01L28/75 , H01L29/49 , H01L2924/1205 , H01L2924/19041
Abstract: 본발명의일실시예는전기전도성을갖는반도체기판으로형성되며, 하면으로전기신호가출입하는캐패시터하부전극, 상기캐패시터하부전극상에형성되는절연층, 상기절연층상에형성되며, 상면으로상기전기신호가출입하는캐패시터상부전극및 상기캐패시터하부전극의하면과상면사이를통과하는상기전기신호가상기캐패시터하부전극의측면을따라전달되도록, 상기캐패시터하부전극의측면에형성된제1 도전체층을포함하며, 상기제1 도전체층은전기전도도가상기캐패시터하부전극의전기전도도보다높은엠아이에스캐패시터를제공한다.
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公开(公告)号：KR101845150B1
公开(公告)日：2018-04-04
申请号：KR1020160048300
申请日：2016-04-20
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/433 , H01L23/48 , H01L23/043 , H01L23/31
CPC classification number: H01L23/3675 , H01L21/52 , H01L21/56 , H01L21/568 , H01L23/13 , H01L23/142 , H01L23/367 , H01L23/3735 , H01L23/3736 , H01L23/485 , H01L23/5389 , H01L2224/04105 , H01L2224/19
Abstract: 본발명은적어도하나이상의수용홀을포함하며, 금속재질로형성되는베이스기판, 상기수용홀에실장되는적어도하나이상의반도체칩 및상기수용홀의내측면과상기반도체칩 사이의이격공간에형성되는방열부재를포함하는반도체패키지를제공한다.
Abstract translation: 本发明包括至少一个接收孔，形成在所述金属材料之间的间隔空间中的散热部件，其在基底基板，在至少一个半导体芯片和所述内侧表面和所述半导体芯片，其中，所述容纳孔被安装到形成在容纳孔 还有一个半导体封装。
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公开(公告)号：KR1020170134099A
公开(公告)日：2017-12-06
申请号：KR1020160065861
申请日：2016-05-27
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01F17/00 , H01L23/522
Abstract: 본발명의일실시예에따른스파이럴인덕터는베이스기판, 상기베이스기판의일면에형성되는나선형의코일패턴을포함하며, 상기코일패턴은일부영역이상기베이스기판일면의내부에삽입형성되며, 상기베이스기판일면에외측으로돌출형성되는제1 영역과, 상기베이스기판일면의내부에삽입형성되는제2 영역을포함한다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的螺旋电感器包括基底基板和形成在基底基板的一个表面上的螺旋线圈图案，线圈图案插入并形成在基底基板的一个表面中， 第一区域在基底基板的一个表面上向外突出;以及第二区域，形成在基底基板的内表面上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170127979A
公开(公告)日：2017-11-22
申请号：KR1020160058995
申请日：2016-05-13
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L23/373 , H01L23/29 , H01L23/053 , H01L23/055 , H01L23/522 , H01L23/498 , H01L21/78 , H01L23/48
CPC classification number: H01L21/568 , H01L2224/04105 , H01L2224/19 , H01L2924/18162
Abstract: 본발명의일실시예에따른반도체패키지는적어도하나이상의수용홀을포함하며, 상기수용홀을중심으로일정간격이격되어, 복수개로분할된베이스기판, 상기수용홀에실장되는적어도하나이상의반도체칩 및상기수용홀의내측면과상기반도체칩 사이의이격공간에형성되는충진부재를포함한다.
Abstract translation: 和根据本发明的一个实施例的半导体封装件包括至少一个接收孔中，隔开预定间隔相对于所述容纳孔中，至少一个半导体芯片，其被划分基底基板片多个，安装在容纳孔和 以及形成在容纳孔的内表面和半导体芯片之间的间隔空间中的填充构件。
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公开(公告)号：KR1020160077927A
公开(公告)日：2016-07-04
申请号：KR1020140188449
申请日：2014-12-24
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01P1/203
CPC classification number: H01P1/203 , H01P1/20309 , H01P1/20318
Abstract: 하모닉제거용필터가제공된다. 이필터는특정대역의주파수를통과시키는대역통과필터및 상기대역통과필터의전단및 후단에각각구비된하모닉제거용공진기를포함하고, 상기하모닉제거용공진기는스터브(stub)로구현됨을특징으로한다.
Abstract translation: 提供了一种用于谐波抑制的滤波器。 滤波器包括：通过特定频带频率的带通滤波器; 以及在带通滤波器的前端和后端制备的用于谐波抑制的谐振器。 用于谐波抑制的谐振器由短截线实现。
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公开(公告)号：KR101515854B1
公开(公告)日：2015-05-04
申请号：KR1020130160174
申请日：2013-12-20
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01P5/08
Abstract: 다층구조로이루어진광대역커플러가개시된다. 이광대역커플러는두 개의접지판들사이에형성된다단구조(multiple stage)의제1 및제2 스트립라인을포함하고, 상기제1 및제2 스트립라인은, 층을달리하고, 상기접지판을위에서바라볼때, 연장되는방향을수직하게가로지르는가상의선을기준으로좌우가비대칭(asymmetric) 구조인것을특징으로한다.
Abstract translation: 公开了一种多层结构的宽带耦合器。 宽带耦合器包括形成在两个接地板之间的多级的第一和第二带状线。 基于垂直于从上方观察到的延伸方向的虚拟线，第一和第二带状线在不同的层中彼此对称。
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公开(公告)号：KR101447688B1
公开(公告)日：2014-10-13
申请号：KR1020120154906
申请日：2012-12-27
Applicant: 전자부품연구원 , 전북대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 전류 모드 Class-S 증폭기 구조에 있어서 고조파 신호의 임피던스를 낮게 제어하여 고효율로 통신 신호에 적용할 수 있도록 하는 임피던스 제어 회로를 구비한 전류 모드 클래스-S 증폭기에 관한 것이다.
본 발명에 따르는 고조파 제거용 임피던스 제어회로를 구비한 전류모드 클래스-S 증폭기는, RF 입력 신호를 PWM 신호로 변환하는 BPDSM; 상기 PWM 신호를 증폭하는 스위칭 전력 증폭기; 및 증폭된 신호로부터 고조파를 제거하는 차동 필터를 포함하고, 상기 차동 필터에는 고유 주파수 대역의 특성 임피던스와 부하 임피던스를 정합시키는 임피던스 제어 회로가 추가로 연결되는 것을 구성적 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR1020140084805A
公开(公告)日：2014-07-07
申请号：KR1020120154694
申请日：2012-12-27
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H03F3/217
CPC classification number: H03F3/2171 , H01P3/081 , H03F1/0222 , H03F1/56 , H03F3/604 , H03F2200/03
Abstract: The present invention relates to a voltage mode switching amplifier including an input signal applying circuit, capable of driving the voltage mode switching amplifier by using one driver amplifier. The voltage mode switching amplifier including the input signal applying circuit according to the present invention includes: a top transistor whose drain terminal is connected to an input signal; and a bottom transistor whose drain terminal is connected to a source terminal of the top transistor. The voltage mode switching amplifier further includes the input signal applying circuit with one driver amplifier.
Abstract translation: 本发明涉及一种包括输入信号施加电路的电压模式切换放大器，其能够通过使用一个驱动放大器来驱动电压模式切换放大器。 包括根据本发明的输入信号施加电路的电压模式切换放大器包括：漏极端子连接到输入信号的顶部晶体管; 以及漏极端子连接到顶部晶体管的源极端子的底部晶体管。 电压模式切换放大器还包括具有一个驱动放大器的输入信号施加电路。
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