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公开(公告)号：WO2014175687A1
公开(公告)日：2014-10-30
申请号：PCT/KR2014/003619
申请日：2014-04-24
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L23/5226 , H01L21/76805 , H01L21/76843 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/5222 , H01L23/5225 , H01L23/5227 , H01L23/5228 , H01L23/528 , H01L23/5329 , H01L28/10 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 본 발명에 따른 반도체 소자용 배선을 형성하는 방법은 실리콘 기판의 제1면을 선택적으로 식각하여 소정의 패턴을 형성하는 단계, 상기 소정의 패턴이 형성된 부분을 포함하는 상기 제1면의 선택된 영역을 금속층으로 코팅하는 단계, 식각된 부분을 채우고 상기 코팅된 금속층을 덮도록, 상기 제1면에 유기물을 형성하는 단계, 상기 유기물에 비아 홀을 형성하고, 상기 비아 홀을 통해서 금속 배선으로 상기 코팅된 금속층과 연결하는 단계, 그리고 식각된 부분에 형성된 금속층의 일부가 제거되도록 상기 제1면과 대응되는 제2면을 갈아내는 단계를 포함한다.
Abstract translation: 根据本发明的用于形成用于半导体器件的布线的方法包括：选择性地蚀刻硅衬底的第一表面以形成预定图案; 涂覆有金属层，所述第一表面的选定区域包含形成所述预定图案的部分; 在第一表面上形成有机材料以填充蚀刻部分并覆盖涂覆的金属层; 在有机材料中形成通孔，并通过通孔将金属布线连接到涂覆的金属层; 并研磨对应于第一表面的第二表面以去除在蚀刻部分中形成的金属层的一部分。
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公开(公告)号：KR102003923B1
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：KR1020160109049
申请日：2016-08-26
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/31 , H01L23/482 , H01L21/56
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公开(公告)号：KR1020150125272A
公开(公告)日：2015-11-09
申请号：KR1020140052324
申请日：2014-04-30
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: H01L23/481 , H01L21/76898 , H01L23/49827
Abstract: 본발명은동축관통실리콘비아구조체에관한것이다. 본발명은중심폴(pole)의측벽을둘러싸는캐버티(cavity)가형성되어있는기판, 상기중심폴의측벽과상면에형성되어있는내부도전체, 상기캐버티의측벽과상기캐버티의측벽상부에서외곽으로연장되는기판의일부에형성된외부도전체및 상기내부도전체와상기외부도전체를전기적으로절연시키도록상기캐버티를포함하는영역에형성된충전절연층을포함하여구성된다. 본발명에따르면, 고단차비를갖는실리콘구조를 TSV 코어메탈(core metal)의일부분으로사용함으로써, 고단차비도금공정의어려움을해결하고, 도금시간을단축시켜쉽고빠르게동축관통실리콘비아구조체를제조할수있다.
Abstract translation: 本发明涉及同轴穿透硅通孔结构。 同轴贯通硅通孔结构包括：形成围绕中心极侧壁的空腔的基板; 形成在侧壁上的内导体和中心极的上表面; 外部导体，其形成在所述空腔的侧壁上，并且所述基板的一部分从所述空腔的侧壁的上部向外延伸; 以及填充绝缘层，其形成在包括所述空腔的区域中，以使内部导体和外部导体彼此电绝缘。 根据本发明，由于使用具有高阶梯比的硅结构作为TSV芯金属的一部分，可以解决高阶电镀工艺的难度，并且可以容易地缩短电镀时间， 快速制造同轴穿透硅通孔结构。
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公开(公告)号：KR101517860B1
公开(公告)日：2015-05-15
申请号：KR1020130161567
申请日：2013-12-23
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본발명은인쇄회로기판및 제조방법에관한것으로, 보다상세하게는소자를기판에내장시킴으로서신뢰성있는비아구조를가진인쇄회로기판및 그제조방법에관한것으로, 리플로우공정에의해금속비아층과리플로우엘레먼트층의반응에따라생성되는금속간화합물의취성파괴발생하는계면을소성변형을일으키는계면으로변경하여가공경화효과에따른파괴속도를낮출수 있고, 금속비아층의안정된계면형성에따라접속계면의전기적연결이유지됨에따라장기간열처리후에도안정적인전기적성능이유지되는효과가있다.
Abstract translation: 印刷电路板及其制造方法及其制造方法技术领域本发明涉及印刷电路板及其制造方法，更具体地说，涉及一种通过将器件嵌入基板而具有可靠的通孔结构的印刷电路板及其制造方法。 作为根据金属通孔层和元素层的反应而发生的金属间化合物的脆性断裂的表面变为引起塑性变形的表面，可以降低根据加工固化效果的断裂速度。 此外，通过形成金属通孔层的稳定表面来维持接触表面的电连接，使得在长期热处理之后可以保持稳定的电性能。
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公开(公告)号：KR101468641B1
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：KR1020120096947
申请日：2012-09-03
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본발명은반도체장치및 제조방법에관한것으로, 보다상세하게는관통비아가노출되도록씨앗층을증착한후 폴리머필름을채워넣는방식을이용한관통비아가형성된반도체장치및 그제조방법에관한것으로, 관통비아를정확하고정밀하게채울수 있고, 기판구성물질과증착씨앗층간의열팽창계수차이를완충할수 있도록하여열충격에대한신뢰성을향상시킨효과가있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130139688A
公开(公告)日：2013-12-23
申请号：KR1020120063359
申请日：2012-06-13
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: A variable capacitor includes a lower electrode formed on a substrate, a dielectric layer formed on the lower electrode layer, and an upper electrode formed on the dielectric layer. The lower electrode and the upper electrode are parallel to form a comb shape. The comb shape of the upper electrode intersects with the comb shape of the lower electrode.
Abstract translation: 可变电容器包括形成在基板上的下电极，形成在下电极层上的电介质层和形成在电介质层上的上电极。 下电极和上电极平行形成梳状。 上电极的梳形与下电极的梳形形状相交。
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公开(公告)号：KR1020130127855A
公开(公告)日：2013-11-25
申请号：KR1020120051674
申请日：2012-05-15
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: H01L2224/04105 , H01L2224/10 , H01L2224/16225 , H01L2224/19 , H01L2224/24137 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2924/15153 , H01L2924/1531 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: The present invention relates to a molding package and a manufacturing method thereof and particularly to the molding package capable of preventing the movement of a chip in molding and the manufacturing method thereof. The price of a package is reduced by manufacturing the molding package without a tuposuser. To obtain a small and thin package, a plating process and a via process for connecting a chip to a substrate instead of connecting the chip and the substrate after the molding in an existing chip embedded type molding package are omitted and A molding is carried out after the chip and the substrate is connected to a metal in advance. Therefore, bad contact due to the movement of the chip is reduced. [Reference numerals] (AA) Start;(BB) End;(S310) Step of producing a molding die;(S320) Step of producing a molding carrier;(S330) Step of separating the molding die form the molding carrier;(S340) Step of inserting a chip;(S350) Step of forming patterns
Abstract translation: 本发明涉及一种成型包装及其制造方法，特别涉及能够防止成型时的片材的移动的成型包装及其制造方法。 通过在没有tuposuser的情况下制造成型包装来减少包装的价格。 为了获得小而薄的封装，省略了在现有的芯片嵌入式模制包装中，在模制之后，将芯片连接到基板而不是将芯片和基板连接在一起的电镀工艺和通孔工艺，并且在 芯片和基板预先连接到金属。 因此，由于芯片的移动导致的不良接触减少。 （A3）起始;（BB）端部;（S310）成形模具的制造工序;（S320）制造成型载体的工序;（S330）将成型模具分离成模塑载体的工序;（S340 ）插入芯片的步骤;（S350）形成图案的步骤
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公开(公告)号：KR101192367B1
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：KR1020110031700
申请日：2011-04-06
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명에서는 외부로부터 제공되는 DC 전원은 증폭기와 같은 능동 회로에 제공하고, 증폭하고자 하는 주파수 신호에서 DC 전원과 상기 능동 회로 간의 연결을 오픈(open)시키는 RF 초크에 관한 것으로서, 인덕터 소자의 설계를 배제한 기판에 인쇄된 형태의 RF 초크용 대역 저지 필터가 제안된다.
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公开(公告)号：KR1020120040591A
公开(公告)日：2012-04-27
申请号：KR1020100102093
申请日：2010-10-19
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: H01L2224/24 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: PURPOSE: A semiconductor package and a manufacturing method thereof are provided to produce a 3D semiconductor package by laminating a semiconductor package by using a TOV(Through Organic Via) process. CONSTITUTION: A silicon substrate(100) has a plurality of holes. An insulating layer(104) is formed by filling a plurality of holes with an organic material. A passive device is formed on the organic material. The organic material is corresponded to one or more holes of the plurality of holes. A metal layer is formed by filling metal before the organic material is filled in the plurality of holes.
Abstract translation: 目的：提供半导体封装及其制造方法，以通过使用TOV（Through Organic Via）工艺层叠半导体封装来制造3D半导体封装。 构成：硅衬底（100）具有多个孔。 通过用有机材料填充多个孔来形成绝缘层（104）。 在有机材料上形成无源器件。 有机材料对应于多个孔中的一个或多个孔。 在有机材料填充在多个孔中之前，通过填充金属形成金属层。
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