-
公开(公告)号：WO2019198940A1
公开(公告)日：2019-10-17
申请号：PCT/KR2019/003173
申请日：2019-03-19
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C07D405/12 , A61K31/506 , C07D405/14 , A61P35/00 , A61P25/28 , A61P25/16 , A61P29/00
Abstract: 본 발명은 신규의 피리미딘 유도체 화합물과 약제학적으로 허용 가능한 이의 염, 이 화합물의 제조방법, 그리고 이 화합물을 항암제 또는 퇴행성 뇌질환 치료제로 사용하는 의약용도에 관한 것이며, 구체적으로 본 발명에 따른 신규 화합물들은 ARK5/NUAK1, ACK1, FLT3, JAK1, JAK2, JAK2 (V617F)등의 카이네이즈 엔자임에 대하여 매우 우수한 활성을 가지고 있으므로 백혈병, 난소암, 유방암, 비소세포암, 직장암 (colorectal cancer), 신경교종 (glioma) 및 유방암, 알츠하이머병 (Alzheimer disease), 점진적 상핵 중풍 (progressive supranuclear palsy), 전두측엽 치매 (frontotemporal dementia) 등 뇌의 단백질 이상, 즉 Tau 침착에 의해 생기는 퇴행성 질환을 치료 및 예방하는 의약품으로 유용하다.
-
公开(公告)号：KR102063155B1
公开(公告)日：2020-01-08
申请号：KR1020180042031
申请日：2018-04-11
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C07D405/12 , A61K31/506 , C07D405/14 , A61P35/00 , A61P25/28 , A61P25/16 , A61P29/00
-
-
-
公开(公告)号：KR101875130B1
公开(公告)日：2018-08-02
申请号：KR1020170067912
申请日：2017-05-31
IPC: C08L67/04 , C08G63/08 , C08K5/053 , C08K5/06 , C08K5/09 , C08K5/1515 , C08L101/00
Abstract: 본발명은물성이개선된 PLA 조성물에관한것으로서, 더욱상세하게는결정형 PLA와비결정형 PLA가일정함량비를이루는 PLA 기재수지에가소제로서특정의식물성폴리올; 아세틸트리부틸시트레이트; 및폴리에틸렌글리콜이포함되어있음으로써인장강도, 신율등의기계적물성이개선된효과를얻고있는 PLA 조성물에관한것이다. 본발명이제공하는 PLA 조성물은친환경적이면서도인장강도, 신율등의기계적물성이우수하므로커피캡슐, 도시락통, 일회용품등 생활용품소재로유용하다.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100577738B1
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：KR1020040075667
申请日：2004-09-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/477 , H01L21/20
Abstract: 본 발명은 전하운반자를 포획하는 성질을 가진 자발형성 양자점을 포함하는 단층 혹은 다층 구조의 반도체층 상부에 금속탐침을 위치시켜 금속탐침과 반도체간에 전계를 인가함으로써 자발형성 양자점 상부의 반도체층에 반전 영역이 형성되도록 함으로써 자발형성 양자점과 국소 반전층에 따른 인공 양자점 사이의 커플된 양자 구조를 형성한다. 본 발명에 따르면, 새로운 커플된 양자구조가 가능하며, 이를 이용한 새로운 양자소자가 가능하다.
커플된 양자점, 인공 양자점, 자발형성 양자점, 금속탐침, 국소 반전층.Abstract translation: 反转为自发形成量子点顶部的半导体层的本发明通过将金属探针放置到半导体层的单层或多层结构的上部包括一个自发形式施加在金属之间的电场具有俘获电荷载体末端的性质和半导体区的量子点 从而根据自发形成量子点和局部反转层在人造量子点之间形成耦合的量子结构。 根据本发明，新的耦合量子结构是可能的，并且使用它的新量子器件是可能的。
-
-
公开(公告)号：KR1020060026797A
公开(公告)日：2006-03-24
申请号：KR1020040075667
申请日：2004-09-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/477 , H01L21/20
CPC classification number: H01L29/66977
Abstract: 본 발명은 전하운반자를 포획하는 성질을 가진 자발형성 양자점을 포함하는 단층 혹은 다층 구조의 반도체층 상부에 금속탐침을 위치시켜 금속탐침과 반도체간에 전계를 인가함으로써 자발형성 양자점 상부의 반도체층에 반전 영역이 형성되도록 함으로써 자발형성 양자점과 국소 반전층에 따른 인공 양자점 사이의 커플된 양자 구조를 형성한다. 본 발명에 따르면, 새로운 커플된 양자구조가 가능하며, 이를 이용한 새로운 양자소자가 가능하다.
커플된 양자점, 인공 양자점, 자발형성 양자점, 금속탐침, 국소 반전층. -
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.018 seconds)
