公开(公告)号：WO2015099386A1

公开(公告)日：2015-07-02

申请号：PCT/KR2014/012650

申请日：2014-12-22

Applicant: 한국교통대학교산학협력단

Inventor： 송석일 ,  임동건 ,  문철

IPC: G06Q50/30

CPC classification number: H04L51/32 ,  G06Q50/01 ,  G06Q50/30 ,  G08G1/0112 ,  G08G1/0116 ,  G08G1/012 ,  G08G1/0133 ,  G08G1/0141 ,  G08G1/093 ,  G08G1/096716 ,  G08G1/096741 ,  G08G1/096775 ,  G08G1/096791 ,  H04L67/18 ,  H04W4/046

Abstract: 본 발명은 교통정보를 소셜 네트워크 서비스를 통해 차량 간이나 차량과 사용자단말 간에 제공하는 교통정보 기반 소셜 네트워크 서비스 제공 방법 및 시스템에 관한 것이다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于提供基于交通信息的社交网络服务的方法和系统，其通过社交网络服务在车辆之间或车辆与用户终端之间提供交通信息。

公开(公告)号：KR101475040B1

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：KR1020130160925

申请日：2013-12-23

Applicant: 한국교통대학교산학협력단

Inventor： 송석일 ,  임동건 ,  문철

IPC: G06Q50/30 ,  G06Q50/00 ,  G06Q50/10

CPC classification number: H04L51/32 ,  G06Q50/01 ,  G06Q50/30 ,  G08G1/0112 ,  G08G1/0116 ,  G08G1/012 ,  G08G1/0133 ,  G08G1/0141 ,  G08G1/093 ,  G08G1/096716 ,  G08G1/096741 ,  G08G1/096775 ,  G08G1/096791 ,  H04L67/18 ,  H04W4/046 ,  G06Q50/10

Abstract: 본 발명은 교통정보를 소셜 네트워크 서비스를 통해 차량 간이나 차량과 사용자단말 간에 제공하는 교통정보 기반 소셜 네트워크 서비스 제공 방법 및 시스템에 관한 것으로, 교통정보 기반 소셜 네트워크 서비스 제공 시스템은, 복수 차량의 교통정보 연계장치들로부터 위치 정보, 내비게이션 정보 또는 이들의 조합을 수신하는 통신부와, 위치 정보나 내비게이션 정보를 토대로 제1차량과 일정거리 내 제2차량, 제1차량과 동일한 도로를 주행 중인 제3차량, 제1차량의 제1목적지와 일정거리 내 제2목적지를 갖는 제4차량, 또는 이들의 조합을 상기 제1차량의 친구 그룹으로 생성하는 그룹생성부와, 제1차량의 제1교통정보 연계장치로부터 운전자 상태, 차량 상태, 도로 상태, 도로 상황 또는 이들의 조합을 포함한 이벤트 관련 교통데이터가 수신되면, 친구 그룹의 제1 소셜 네트워크 서비스 영역에 이벤트 관련 교통데이터를 게시하는 게시부를 포함하여 구성된다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于提供基于交通信息的社交网络服务的方法和系统，其能够通过社交网络服务在车辆之间或车辆与用户终端之间提供交通信息。 本发明的系统包括：通信单元，用于从多个车辆的交通信息连接装置接收位置信息，导航信息或其组合; 生成与第一车辆一定距离的第二车辆作为第一车辆的朋友群组生成的组群发生单元，与第一车辆在同一道路上被驱动的第三车辆，具有第一车辆的第四车辆， 基于位置信息或导航信息，与第一车辆的第一目的地在一定距离内的第二目的地或其组合; 以及发布单元，用于在所述朋友组的第一社交网络服务区域上发布事件相关交通数据，如果包括驾驶员状态，车辆状态，道路状态，道路状况或其组合的事件相关交通数据来自 第一车辆的第一交通信息连接装置。

公开(公告)号：KR102016767B1

公开(公告)日：2019-09-02

申请号：KR1020130022348

申请日：2013-02-28

Applicant: 한국교통대학교산학협력단

Inventor： 임동건 ,  여인환 ,  박주억 ,  김준희 ,  조해성 ,  김민영 ,  이종관

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18

公开(公告)号：KR1020130095416A

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：KR1020120016812

申请日：2012-02-20

Applicant: 한국교통대학교산학협력단

Inventor： 임동건 ,  오병진 ,  김기순 ,  류정식

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/0236 ,  H01L21/306 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/042 ,  H01L21/306 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

Abstract: PURPOSE: A texturing method of a silicon wafer is provided to increase the number of electrons by forming an embossing pattern on the surface of a substrate. CONSTITUTION: A primary texturing process is performed (S2). The surface of a silicon wafer is processed by alkali solution. A metal film is formed on the surface of the silicon wafer (S3). A secondary texturing process is performed (S4). The surface of the silicon wafer is process with an acid solution. [Reference numerals] (S1) Si wafer; (S2) Primary texturing(alkali texturing(pyramid structure formation); (S3) Metal film formation; (S4) Secondary texturing(wet texturing); (S5) Nanopattern formation process

Abstract translation: 目的：提供硅晶片的纹理化方法以通过在衬底的表面上形成压花图案来增加电子数。 构成：执行主纹理处理（S2）。 硅晶片的表面由碱溶液处理。 在硅晶片的表面上形成金属膜（S3）。 进行二次纹理化处理（S4）。 硅晶片的表面是用酸溶液处理的。 （标号）（S1）Si晶片; （S2）主要纹理（碱性纹理（金字塔结构形成））;（S3）金属成膜;（S4）二次纹理化（湿纹理）;（S5）纳米图案形成过程

公开(公告)号：KR1020100111566A

公开(公告)日：2010-10-15

申请号：KR1020090030058

申请日：2009-04-07

Applicant: 한국교통대학교산학협력단

Inventor： 박재환 ,  박승범 ,  이석진 ,  정태환 ,  임동건 ,  문남수 ,  유창호

IPC: H01Q7/00 ,  G06K19/077 ,  H01Q1/38

Abstract: PURPOSE: An RFID tag miniaturized loop antenna and a manufacturing method thereof are provided to implement the miniaturized surface mounted device by forming a single chip using semiconductor process. CONSTITUTION: A substrate of a silicon and oxide silicon structure is offered. The antenna is embodied on the substrate in the form of the spiral loop. The line width(W1) of the antenna loop is 50~150um. The line consisting the antenna roof is made of the aluminum foil of about 2 um thickness. The self resonant frequency of the loop antenna is 100MHz or greater.

Abstract translation: 目的：提供RFID标签小型环形天线及其制造方法，以通过使用半导体工艺形成单个芯片来实现小型化的表面安装装置。 构成：提供硅和氧化硅结构的衬底。 天线以螺旋环的形式体现在基板上。 天线回路的线宽（W1）为50〜150um。 由天线屋顶组成的线由大约2μm厚的铝箔制成。 环形天线的自谐振频率为100MHz以上。

公开(公告)号：KR101482786B1

公开(公告)日：2015-01-19

申请号：KR1020130038578

申请日：2013-04-09

Applicant: 한국교통대학교산학협력단

Inventor： 임동건 ,  김민영 ,  김기림 ,  김종완 ,  손경태 ,  조유석

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 본 발명은 산화인듐을 이용한 CIGS 광흡수층 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 구리(Cu) 전구체, 인듐(In) 전구체 및 갈륨(Ga) 전구체를 스퍼터링(sputtering) 공정을 통해 증착하는 단계; 및 셀레늄(Se) 분위기에서 열처리하는 단계;를 포함하며, 상기 인듐(In) 전구체를 증착하는 단계는, 산화인듐(In
2 O
3 )을 타겟으로 하여 산화인듐(In
2 O
3 ) 박막을 증착한 다음, 상기 증착된 산화인듐(In
2 O
3 ) 박막을 환원시켜 산소를 제거함으로써 인듐(In)층을 형성하는 것으로써, 인듐(In) 전구체의 표면을 평탄하게 하고, 셀레늄(Se) 분위기에서 열처리 후 CIGS 광흡수층의 표면형태를 개선시키며, CIGS 광흡수층과 버퍼층의 접합을 용이하게 할 수 있는 CIGS 광흡수층 제조방법 및 이를 이용한 CIGS 박막 태양전지 제조방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR101359407B1

公开(公告)日：2014-02-11

申请号：KR1020120016812

申请日：2012-02-20

Applicant: 한국교통대학교산학협력단

Inventor： 임동건 ,  오병진 ,  김기순 ,  류정식

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/0236 ,  H01L21/306 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 본 발명은 실리콘 웨이퍼 표면 조직화 기술로서 웨이퍼 표면에 반사도를 줄여주는 것으로 태양전지에서 빛 반사를 줄이기 위한 기술에 관한 것으로, 특히 실리콘 웨이퍼의 표면을 알카리 용액으로 처리하는 1차 텍스처링 공정과 상기 1차 텍스처링 공정 후에 상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 금속막을 형성하는 금속막형성공정, 상기 금속막이 형성된 실리콘 웨이퍼의 표면을 산성용액을 포함하는 용액으로 처리하는 2차 텍스처링 공정을 포함하여 구성되는 실리콘 웨이퍼의 텍스처링 방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, 실리콘 웨이퍼 기판의 표면에 텍스처링 공정을 알카리 용액을 통한 1차 공정과 산성용액을 포함하는 용액을 통한 2차 공정으로 형성하여 요철패턴을 형성함으로써, 실리콘 웨이퍼 기판의 반사도를 1% 이하로 형성하는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR102016855B1

公开(公告)日：2019-10-21

申请号：KR1020180057543

申请日：2018-05-21

Applicant: 한국교통대학교산학협력단

Inventor： 임동건 ,  박정은 ,  박상용 ,  강상묵 ,  박정훈

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0236

公开(公告)号：KR1020140122326A

公开(公告)日：2014-10-20

申请号：KR1020130038578

申请日：2013-04-09

Applicant: 한국교통대학교산학협력단

Inventor： 임동건 ,  김민영 ,  김기림 ,  김종완 ,  손경태 ,  조유석

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

Abstract: 본 발명은 산화인듐을 이용한 CIGS 광흡수층 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 구리(Cu) 전구체, 인듐(In) 전구체 및 갈륨(Ga) 전구체를 스퍼터링(sputtering) 공정을 통해 증착하는 단계; 및 셀레늄(Se) 분위기에서 열처리하는 단계;를 포함하며, 상기 인듐(In) 전구체를 증착하는 단계는, 산화인듐(In
2 O
3 )을 타겟으로 하여 산화인듐(In
2 O
3 ) 박막을 증착한 다음, 상기 증착된 산화인듐(In
2 O
3 ) 박막을 환원시켜 산소를 제거함으로써 인듐(In)층을 형성하는 것으로써, 인듐(In) 전구체의 표면을 평탄하게 하고, 셀레늄(Se) 분위기에서 열처리 후 CIGS 광흡수층의 표면형태를 개선시키며, CIGS 광흡수층과 버퍼층의 접합을 용이하게 할 수 있는 CIGS 광흡수층 제조방법 및 이를 이용한 CIGS 박막 태양전지 제조방법에 관한 것이다.

Abstract translation: 本发明涉及一种使用氧化铟制造CIGS光吸收层的方法及使用其制造CIGS薄膜太阳能电池的方法。 更具体地说，制造CIGS光吸收层的方法包括以下步骤：通过溅射工艺沉积铜（Cu）前体，铟（In）前体和镓（Ga）前体; 并在硒（Se）气氛中进行热处理。 在沉积铟（In）前体的步骤中，通过靶向氧化铟（In_2O_3）的氧化铟（In_2O_3）薄膜形成铟（In）层，然后通过将沉积的氧化铟（In_2O_3）薄膜还原成 去除氧化物，从而平滑铟（In）前体的表面，改善在硒（Se）气氛中热处理后的CIGS光吸收层的表面类型，并且容易地将CIGS光吸收层和缓冲层 。

公开(公告)号：KR1020140110119A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：KR1020130022348

申请日：2013-02-28

Applicant: 한국교통대학교산학협력단

Inventor： 임동건 ,  여인환 ,  박주억 ,  김준희 ,  조해성 ,  김민영 ,  이종관

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/042 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: The present invention relates to a method for forming the electrode of a solar cell. The present invention provides a technique which reduces the area of an electrode while the height thereof is enhanced to reduces resistance, increase the light receiving area of the surface, and improve efficiency, by forming the electrode of a silicon solar cell through the electrode pattern formation process of an imprinting method on a resin layer in a structure of 30 micrometer or less having a high aspect ratio.

Abstract translation: 本发明涉及一种形成太阳能电池电极的方法。 本发明提供一种减小电极面积的技术，通过形成硅太阳能电池的电极，通过电极图案形成，提高电极的高度，降低电阻，增加表面的受光面积，提高效率 在具有高纵横比的30微米或更小的结构中的树脂层上的压印方法的方法。