公开(公告)号：KR1020140134809A

公开(公告)日：2014-11-25

申请号：KR1020130054465

申请日：2013-05-14

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 남옥현 ,  정칠성 ,  장종진 ,  정주철 ,  김진완 ,  이경재

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/86

Abstract: 본 발명은 사파이어 등의 기판 위에 형성되는 질화물 반도체층 사이에 양자섬(Quantum Island)을 삽입한 후 저 결함밀도를 갖는 질화물 반도체층이 재성장되도록 한 템플레이트층을 이용하여, 내부양자효율이 향상된 고품질 반도체 소자가 제조될 수 있는, 고품질 반도체 소자용 기판의 제조 방법에 관한 것이다.

Abstract translation: 本发明涉及制造高质量半导体衬底的方法。 具有提高的内部量子效率的高质量半导体衬底可以通过在将量子岛插入形成在诸如蓝宝石的衬底上的氮化物半导体层之后使用用于再生长具有低缺陷密度的氮化物半导体层的模板层来制造 。

公开(公告)号：KR101402785B1

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：KR1020110145408

申请日：2011-12-29

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 남옥현 ,  정주철 ,  장종진 ,  정칠성 ,  김진완 ,  이경재 ,  황정환

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 질화물 반도체층에서 발생하는 면 적층 결함(BSFs)이 없도록 하기 위하여 반극성 질화물 반도체층 성장이 가능한 사파이어 결정면 위에 반극성 질화물 반도체 결정을 형성하되, 산화막, 질화막 등 절연막 마스크를 일정 두께 이상 형성 후 그 사이의 윈도우를 통해 질화물 반도체 결정을 성장시켜 절연막 마스크에 의한 적층 결함(BSFs)의 측면 성장을 블로킹함으로써, 절연막 마스크 패턴 위로는 저 결함밀도를 갖는 질화물 반도체층이 이루어지도록 하고, 그 위에 내부양자효율과 광추출 효율을 향상시킨 고품질 반도체 소자를 제조할 수 있는 방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR101471425B1

公开(公告)日：2014-12-11

申请号：KR1020130054465

申请日：2013-05-14

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 남옥현 ,  정칠성 ,  장종진 ,  정주철 ,  김진완 ,  이경재

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/86

Abstract: 본발명은사파이어등의기판위에형성되는질화물반도체층사이에양자섬(Quantum Island)을삽입한후 저결함밀도를갖는질화물반도체층이재성장되도록한 템플레이트층을이용하여, 내부양자효율이향상된고품질반도체소자가제조될수 있는, 고품질반도체소자용기판의제조방법에관한것이다.

公开(公告)号：KR1020130076957A

公开(公告)日：2013-07-09

申请号：KR1020110145408

申请日：2011-12-29

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 남옥현 ,  정주철 ,  장종진 ,  정칠성 ,  김진완 ,  이경재 ,  황정환

IPC: H01L21/20

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a high quality semiconductor device on a BSFS-free nitride semiconductor is provided to improve the recombination of electrons and holes by using a template layer for restraining a piezoelectric effect. CONSTITUTION: A substrate (110) is prepared. A mask pattern composed of an insulating layer is formed on the substrate. A nitride semiconductor layer is formed. The height of the nitride semiconductor layer is same as the height of the mask pattern. A template layer (120) is formed. A semiconductor device structure is formed on the template layer. [Reference numerals] (110) Substrate; (120) Template layer; (130) LED layer

Abstract translation: 目的：提供一种在无BSFS的氮化物半导体上制造高质量半导体器件的方法，通过使用用于抑制压电效应的模板层来改善电子和空穴的复合。 构成：准备衬底（110）。 在基板上形成由绝缘层构成的掩模图案。 形成氮化物半导体层。 氮化物半导体层的高度与掩模图案的高度相同。 形成模板层（120）。 在模板层上形成半导体器件结构。 （附图标记）（110）基板; （120）模板层; （130）LED层