公开(公告)号：KR1020130076957A

公开(公告)日：2013-07-09

申请号：KR1020110145408

申请日：2011-12-29

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 남옥현 ,  정주철 ,  장종진 ,  정칠성 ,  김진완 ,  이경재 ,  황정환

IPC: H01L21/20

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a high quality semiconductor device on a BSFS-free nitride semiconductor is provided to improve the recombination of electrons and holes by using a template layer for restraining a piezoelectric effect. CONSTITUTION: A substrate (110) is prepared. A mask pattern composed of an insulating layer is formed on the substrate. A nitride semiconductor layer is formed. The height of the nitride semiconductor layer is same as the height of the mask pattern. A template layer (120) is formed. A semiconductor device structure is formed on the template layer. [Reference numerals] (110) Substrate; (120) Template layer; (130) LED layer

Abstract translation: 目的：提供一种在无BSFS的氮化物半导体上制造高质量半导体器件的方法，通过使用用于抑制压电效应的模板层来改善电子和空穴的复合。 构成：准备衬底（110）。 在基板上形成由绝缘层构成的掩模图案。 形成氮化物半导体层。 氮化物半导体层的高度与掩模图案的高度相同。 形成模板层（120）。 在模板层上形成半导体器件结构。 （附图标记）（110）基板; （120）模板层; （130）LED层

公开(公告)号：KR101402785B1

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：KR1020110145408

申请日：2011-12-29

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 남옥현 ,  정주철 ,  장종진 ,  정칠성 ,  김진완 ,  이경재 ,  황정환

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 질화물 반도체층에서 발생하는 면 적층 결함(BSFs)이 없도록 하기 위하여 반극성 질화물 반도체층 성장이 가능한 사파이어 결정면 위에 반극성 질화물 반도체 결정을 형성하되, 산화막, 질화막 등 절연막 마스크를 일정 두께 이상 형성 후 그 사이의 윈도우를 통해 질화물 반도체 결정을 성장시켜 절연막 마스크에 의한 적층 결함(BSFs)의 측면 성장을 블로킹함으로써, 절연막 마스크 패턴 위로는 저 결함밀도를 갖는 질화물 반도체층이 이루어지도록 하고, 그 위에 내부양자효율과 광추출 효율을 향상시킨 고품질 반도체 소자를 제조할 수 있는 방법에 관한 것이다.