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1.发明申请실리콘계 나노입자 박막 증착방법, 실리콘계 나노입자 박막 및 이를 위한 실리콘계 나노입자 박막 증착장치 审中-公开基于硅的纳米薄膜薄膜，基于硅的纳米薄膜的蒸气沉积方法和基于硅的纳米薄膜薄膜的蒸气沉积装置
公开(公告)号：WO2012036346A1
公开(公告)日：2012-03-22
申请号：PCT/KR2010/008208
申请日：2010-11-19
IPC: H01L31/18 , H01L31/042 , H01L31/0216 , H01L21/20
CPC classification number: H01L31/03921 , H01L21/02532 , H01L21/02601 , H01L31/03682 , H01L31/1804 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 실리콘계 나노입자 박막 증착방법, 실리콘계 나노입자 박막 및 이를 위한 실리콘계 나노입자 박막 증착장치가 제공된다. 본 발명에 따른 실리콘계 나노입자 박막 증착방법은 실리콘계 나노입자를 합성하는 합성단계; 및 상기 실리콘계 나노입자를 기판에 제 1 증착시키는 증착단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 실리콘계 나노입자 증착 방법 및 장치는, 합성된 실리콘계 나노입자를 또 다른 공정에서 전처리하지 않고, 합성과 동시에 기판에 증착시키므로, 나노입자 오염에 따른 전지효율 저하의 문제를 방지할 수 있다. 또한, 단일 시스템에서 합성과 증착이 진행되므로 경제성이 우수하며, 더 나아가, 나노입자의 속도 및 기판 높이를 조절함으로써 대면적 기판에서 원하는 형태의 나노입자 박막의 증착이 가능하다.
Abstract translation: 提供了硅基纳米颗粒薄膜，硅基纳米颗粒薄膜和硅基纳米颗粒薄膜的气相沉积装置的气相沉积方法。 根据本发明，硅基纳米颗粒薄膜的气相沉积方法包括：制备硅基纳米颗粒的制备步骤; 以及首先将硅基纳米颗粒气相沉积在基底上的气相沉积步骤。 根据本发明，硅基纳米颗粒薄膜的气相沉积方法和装置制备硅基纳米颗粒，同时将制备的硅基纳米颗粒气相沉积在基底上，而不用在另一方法中预处理制备的硅基纳米颗粒， 因此可以防止由于纳米颗粒的污染引起的电池效率的劣化。 另外，由于制备和气相沉积发生在单个系统中，所以经济效率极好。 此外，通过调整纳米颗粒的速度和基板的高度，可以在大面积的基板上将所需形状的纳米颗粒薄膜蒸镀。
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2.发明公开
公开(公告)号：KR1020140007093A
公开(公告)日：2014-01-17
申请号：KR1020120072040
申请日：2012-07-03
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/072 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/072 , H01L31/042 , H01L31/18
Abstract: The present invention is to provide a method for manufacturing a heterojunction solar cell. The method for manufacturing a heterojunction solar cell includes a step for spraying a first nanoink layer including intrinsic silicon nanoparticles on both surfaces of a substrate; a step for laminating an intrinsic silicon layer on both surfaces of the substrate by performing a thermal process on the firs nanoink layer; a step for laminating a first type silicon layer on one layer among the intrinsic silicon layers laminated on both surfaces of the substrate; and a step for laminating a second type silicon layer on another layer among the intrinsic silicon layers both surfaces of the substrate. [Reference numerals] (AA) Step for spraying a first nanoink layer ncluding intrinsic silicon nanoparticles on both surfaces of a substrate; (BB) Step for laminating an intrinsic silicon layer on both surfaces of the substrate by performing a thermal process on the first nanoink layer; (CC) Step for laminating a first type silicon layer on one layer among the intrinsic silicon layers laminated on both surfaces of the substrate; (DD) Step for laminating a second type silicon layer on another layer among the intrinsic silicon layers both surfaces of the substrate
Abstract translation: 本发明提供一种异质结太阳能电池的制造方法。 异质结太阳能电池的制造方法包括：在基板的两面上喷涂包含本征硅纳米粒子的第一纳米层; 通过对第一纳米金属层进行热处理来在基板的两个表面上层压本征硅层的步骤; 在层叠在基板的两面的本征硅层之间的一层层叠第一类型的硅层的工序; 以及在基板的本征硅层的两个表面之间的另一层上层压第二类型的硅层的步骤。 （附图标记）（AA）在衬底的两个表面上喷射包括本征硅纳米颗粒的第一纳米层的步骤; （BB）通过在第一纳米金属层上进行热处理来在基板的两个表面上层压本征硅层的步骤; （CC）在层叠在基板的两面的本征硅层之间的一层层叠第一类型硅层的工序; （DD）在衬底的本征硅层的两个表面之间的另一层上层叠第二类型硅层的步骤
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公开(公告)号：KR101199045B1
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：KR1020110016546
申请日：2011-02-24
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0445 , H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 액적을 이용한 박막 태양전지 텍스쳐링 방법, 장치 및 이에 의하여 텍스쳐링된 박막 태양전지가 제공된다.
본 발명에 따른 액적을 이용한 박막 태양전지 텍스쳐링 방법은 텍스쳐링 용액 액적을 형성하는 단계; 박막 태양전지가 내부에 적치되며, 플라즈마가 형성된 플라즈마 반응기에 텍스쳐링 용액 액적을 주입하는 단계; 및 상기 박막 태양전지를 텍스쳐링하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 텍스쳐링 방법, 장치는 별도의 챔버에서 다단계로 진행되는 종래의 텍스쳐링 공정과 달리, 하나의 챔버에서 모든 텍스쳐링 공정이 진행된다. 따라서, 공정 경제성이 우수하고, 습식 식각액을 사용하는 종래 기술에 비하여, 공정 제어가 용이한 플라즈마 반응기를 이용하므로, 보다 환경 친화적이다는 장점이 있다.-
公开(公告)号：KR1020120028051A
公开(公告)日：2012-03-22
申请号：KR1020100090012
申请日：2010-09-14
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0445 , H01L31/0216 , H01L21/20
CPC classification number: H01L31/03921 , H01L21/02532 , H01L21/02601 , H01L31/03682 , H01L31/1804 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: PURPOSE: A method for depositing a silicon-series nano particle thin film, a silicon-series nano particle thin film, and a device for depositing a nano particle thin film are provided to combine and deposit silicon-series nano particles in one system, thereby preventing contamination of nano particles from the outside. CONSTITUTION: Silicon-series nano particles are combined. The combined silicon-series nano particles are transferred by pressure. The silicon-series nano particles are deposited by a reaction gas. The inputted reaction gas is dissolved so that a silicon-series thin film is deposited on a substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种用于沉积硅系纳米颗粒薄膜，硅系纳米颗粒薄膜和沉积纳米颗粒薄膜的装置的方法，在一个系统中组合并沉积硅系纳米颗粒，从而 防止从外部污染纳米颗粒。 构成：将硅系纳米颗粒组合。 组合的硅系纳米颗粒通过压力转移。 硅系纳米颗粒通过反应气体沉积。 溶解所输入的反应气体，使得在基板上沉积硅系薄膜。
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公开(公告)号：KR1020020007777A
公开(公告)日：2002-01-29
申请号：KR1020000041222
申请日：2000-07-19
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0256 , H01L21/203 , C25D15/02
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a CuInSe2 thin film by vacuum evaporation of a dual compound is provided to form the CuInSe2 single layer for a high-efficiency solar cell which can be obtained by a conventional process like a three stage process using metal elements and a selenization process, by using a vacuum evaporation method regarding a Se-based dual compound like Cu2Se/In2Se3 and Se. CONSTITUTION: A Se-based dual compound like Cu2Se/In2Se3 and Se used as simultaneous evaporation materials are sequentially evaporated in a vacuum state of a vacuum evaporation chamber while the temperature of a substrate varies.
Abstract translation: 目的：提供通过双重化合物的真空蒸发制造CuInSe 2薄膜的方法，以形成用于高效太阳能电池的CuInSe 2单层，其可以通过常规方法获得，例如使用金属元素的三阶段工艺和 通过使用关于Se类双重化合物如Cu2Se / In2Se3和Se的真空蒸镀法。 构成：在真空蒸镀室的真空状态下，在基板温度变化的同时，依次蒸发作为同时蒸发材料使用的Se系双重化合物，如Cu2Se / In2Se3和Se。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100176291B1
公开(公告)日：1999-04-15
申请号：KR1019950025877
申请日：1995-08-22
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: 투명전도막은 비정질 규소 태양전지나 액정표시장치 등의 박막표시장치에서 투명전극으로 사용되므로 가시광 투과율이 높고, 전기 저항이 작고, 화학적으로 안정되어 있어야 하며, 태양전지용 투명전도막의 경우 입사된 태양광의 다중 산란에 의한 반사 손실을 줄이기 위하여 요철구조의 표면형상을 가지고 있어야 한다.
본 발명은 원료인 아연 화합물, Ⅲ족 원소의 화합물, 물 및 메탄올의 혼합용액을 초음파를 이용하여 무화시키고, 이를 반송가스에 실어 가열된 기판 위에서 열분해·산화 시킴으로써 산화아연계 박막을 투명한 기판에 입혀 투명전도막을 제조하는 방법이다.
산화아연계 투명전도막은 산화아연의 에너지 간격(금지대의 폭)이 크므로 가시광 투과율이 높으며, 불순물로서 Ⅲ족 원소를 미량 함유하기 때문에 전기 저항이 작고, 산화아연의 결합 에너지가 매우 크르모 화학적으로 안정되어 있다.
또한 본 발명에서는 원료 혼합용액을 초음파를 이용하여 무화시키는 방법을 사용하므로 CVD 법과는 달리 박막 제조장치의 구성과 조작이 간편하고, 원료의 투입을 물질별로 독립적으로 해야되는 번거로움을 피할 수 있다.-
7.发明授权
公开(公告)号：KR101508348B1
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：KR1020120072040
申请日：2012-07-03
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/072 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 이종접합태양전지제조방법으로, 기판양면에진성실리콘나노입자가분산된제 1 나노잉크층을도포하는단계; 상기제 1 나노잉크층을열처리하여, 상기기판양면상에진성실리콘층을적층하는단계; 상기기판양면에적층된진성실리콘층중 어느한 층상에제 1형실리콘층을적층하는단계; 및상기기판양면에적층된진성실리콘층중 또다른어느한 층상에제 2형실리콘층을적층하는단계;를포함하는것을특징으로하는이종접합태양전지제조방법이제공된다.
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公开(公告)号：KR101291966B1
公开(公告)日：2013-08-09
申请号：KR1020110084785
申请日：2011-08-24
Applicant: 한국에너지기술연구원
Abstract: 실리콘계 나노입자 포집 시스템 및 이에 사용되는 나노입자 포집/보관용기가 제공된다.
본 발명은 나노입자 포집시스템으로, 상기 시스템은 나노입자 및 캐리어 가스가 유입되는 유입라인; 상기 유입라인에 연결된 복수 개의 나노입자 포집/보관 용기; 상기 유입라인으로부터 유입된 캐리어 가스가 상기 나노입자 포집/보관 용기로부터 배출되는 캐리어가스 배출라인을 포함하며, 여기에서 상기 나노입자 포집/보관 용기는 상기 용기의 일 측에 구비되어, 상기 유입라인에 연결된 나노입자 유입부; 상기 용기 내에 구비되는 필터 스크린; 및 상기 필터 스크린을 통과한 캐리어 가스를 외부로 배출시키도록 상기 용기에 구비되며, 상기 캐리어가스 배출라인과 연결된 캐리어 가스 배출부를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 나노입자 포집시스템은 캐리어 가스와 함께 유입되는 나노입자를 하나의 유입라인에 연결된 복수 개의 나노입자 용기에 포집시킨다. 따라서, 일정 수준의 나노입자가 포집된 나노입자 용기는 유입시스템으로부터 분리되어, 포집/보관된 증착 시스템에 나노입자를 제공한다. 이때 나노입자의 외부 노출은 없기 때문에, 외부물질에 의한 나노입자 오염을 방지하며, 공정에 따라 복수 개의 나노입자 용기를 사용, 연속적인 나노입자 증착이 가능하다.-
公开(公告)号：KR1020120033376A
公开(公告)日：2012-04-09
申请号：KR1020100094860
申请日：2010-09-30
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/04
Abstract: PURPOSE: A sphere shaped silicon structure based solar cell manufacturing method and a solar cell manufactured using the same are provided to significantly improve productivity by performing a solar cell manufacturing process after mounting a sphere shaped silicon structure on an open groove of an insulating support substrate. CONSTITUTION: A sphere shaped silicon structure in which a first type impurity is doped is mounted on an open groove of an insulating substrate. An intrinsic silicon layer is formed on the sphere shaped silicon structure. A silicon layer in which a second type impurity is doped is formed on the intrinsic silicon layer. A transparent electrode layer is laminated on the silicon layer in which the second type impurity is doped. A front surface reflecting cup is arranged on the substrate. The front surface reflecting cup reflects incident light towards the sphere shaped silicon structure.
Abstract translation: 目的：提供一种基于球形硅结构的太阳能电池制造方法和使用该太阳能电池制造方法制造的太阳能电池，以通过在将绝缘支撑基板的开放槽安装球状硅结构之后进行太阳能电池制造工艺来显着提高生产率。 构成：将掺杂了第一种杂质的球状硅结构安装在绝缘基板的开槽上。 在球形硅结构上形成本征硅层。 在本征硅层上形成掺杂了第二种杂质的硅层。 将透明电极层层叠在掺杂第二种杂质的硅层上。 前表面反射杯布置在基板上。 前表面反射杯将入射光反射到球形硅结构。
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公开(公告)号：KR100073457B1
公开(公告)日：1994-05-10
申请号：KR1019900013868
申请日：1990-09-03
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0445 , H01L31/18
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