Abstract:
PURPOSE: A condenser lens integrated photoconductive antenna element and a manufacturing method thereof are provided to simplify the entire manufacturing process by directly evaporating a poly-crystal GaAs thin film on a silicon condenser lens. CONSTITUTION: A photoconductor thin film(202) is evaporated on a condenser lens(201). The condenser lens comprises high-resistivity silicon. The photoconductor thin film comprises poly-crystal GaAs. A metal electrode(203) for a photoconductive antenna is formed on the photoconductor thin-film. The condenser lens and the photoconductor thin film are formed into one body. A sample holder accepts the condenser lens. The sample holder comprises a mounting part in which the condenser lens is mounted, and a cover having a penetration hole in which the condenser lens is inserted.
Abstract:
본 발명은 테라헤르츠파 소자의 테스트 지원 장치에 관한 것으로, 테스트할 테라헤르츠파 소자를 실장한 소자 기판을 고정하는 지지대; 상기 지지대의 상부에 위치되어 폴더 방식으로 개폐되는 브라켓; 및 상기 브라켓상에 고정 배치되며, 상기 브라켓이 닫힘 상태일 때 상기 소자 기판에 접촉하여 상기 테라헤르츠파 소자와 전기적으로 연결되는 프로브 핀들을 구비하는 프로브 기판을 포함하여 구성되며, 이에 의하여 보다 용이하고 간편하게 테스트를 수행하고 테스트 수행 후에도 재사용될 수 있도록 지원한다. 테라헤르츠파, 테스트
Abstract:
There is provided a packaging apparatus of a terahertz device, the apparatus including: a terahertz device having an active region at which terahertz wave is radiated or detected; a device substrate mounting the terahertz device whose active region is positioned at an opening region formed at the center of the device substrate, and electrically connecting the terahertz device and an external terminal to each other; a ball lens block arranged and fixed to an upper part of the terahertz device; and upper and lower cases receiving the device substrate mounted with the terahertz device therein and opening region vertical upper and lower portions of the active region of the terahertz device.
Abstract:
An apparatus for supporting a test of a terahertz device is provided to easily test an operation property of a terahertz device by coupling probe pins connected to the terahertz device with an external terminal connected to a test system. A terahertz device(20) is positioned in a device substrate(40). The device substrate is supported by a supporting stand(31). A bottom bracket(32) is positioned on a top part of the supporting stand, and fixes the device substrate. One side of a top bracket(33) is coupled with the bottom bracket. A probe substrate including a first probe pin and a second probe pin(35-1) is fixed to a top part of the top bracket. The first probe pin and the second probe pin are connected to the terahertz device. The probe pins are fixed to the probe substrate. The probe pins are coupled with an external terminal(50) connected to an external test system.
Abstract:
An optical disc drive adapter is provided to drive a super small-size disc at an optical disc drive of a standard size. An optical disc drive adapter comprises a first rotating unit(110), a second rotating unit(120), a power transfer unit(130), and a housing(160). The first rotating unit is positioned at the center portion of an optical disc drive and equipped with a turntable loaded to mount a standard-size optical disc. The second rotating unit is positioned at a side of the first rotating unit and equipped with a turntable loaded to mount a super small-size disc(140). The power transfer unit is positioned between the first and second rotating units to transfer rotating power between the first and second rotating units. The housing supports the rotation of the first and second rotating units and the power transfer unit at a fixed position, keeping the entire shape of the first and second rotating units and the power transfer unit. The sizes and the rotating directions of the first and second rotating units are the same.
Abstract:
자구의 크기를 안정적으로 줄일 수 있는 수직자화를 이용한 자기저항 메모리 및 그 제조방법을 제시한다. 그 메모리 및 제조방법은 두께방향을 따라 수직으로 자화되는 자구를 갖는 적어도 2층의 자성층 중의 적어도 하나의 자성층의 일면에 배치되며, 적어도 하나의 자성층을 이루는 원소 중에 적어도 하나의 원소를 포함하여 자성층과 교환 커플링을 형성하는 하지층을 포함한다. 수직자화, 메모리, 자구, 커플링
Abstract:
본 발명의 정보저장용 초소형 광/자기 디스크는 일체형 금속 허브, 중간체 및 디스크 원판을 포함한다. 상기 일체형 금속 허브는 원판 형태의 상판 금속 허브와, 상기 상판 금속 허브의 아래에 일체형으로 결합되고 상기 상판 금속 허브보다 직경이 작은 원판 형태로 구성된 하판 금속 허브와, 상기 상판 금속 허브와 하판 금속 허브의 중앙 부분에 상기 상판 금속 허브와 하판 금속 허브를 관통하는 중심홀을 갖는다. 상기 중간체는 상기 하판 금속 허브를 둘러싸면서 상기 상판 금속 허브보다 작은 직경을 갖고 상기 하판 금속 허브와 동일한 두께를 갖는다. 상기 디스크 원판은 상기 중심홀에 대응되는 중앙 부분에, 상기 상판 금속 허브와 상기 하판 금속 허브를 둘러싸는 중간체가 직접 결합되는 관통홀과, 상기 관통홀의 주위에 상측으로 상기 상판 금속 허브가 안착하여 결합될 수 있는 리세스부를 갖는다.
Abstract:
지그를 이용한 초소형 광디스크의 보호층 형성 방법을 제공한다. 본 발명은 바디와, 바디 내에 일정 깊이로 형성된 원통 형태의 월(wall)과, 상기 원통 형태의 월의 중심부에 위치한 핀을 포함하는 지그에 초소형 광디스크 원판을 장착한다. 이어서, 상기 지그에 장착된 광디스크 원판 상에 광경화성 물질층을 도포한다. 상기 광경화성 물질층을 평탄화 장치를 이용하여 평탄화한 후, 상기 평탄화된 광경화성 물질층을 경화시켜 광디스크 원판 상에 보호층을 형성한다. 상기 보호층이 형성된 광디스크 원판을 상기 지그에서 이탈시켜 초소형 광디스크의 보호층 형성을 완성한다. 이렇게 지그를 이용하여 보호층을 형성할 경우, 제조 공정이 간단하고 균일하게 보호층을 형성함으로써 광디스크의 제조비용을 크게 감소시킬 수 있다.
Abstract:
본 발명의 광 헤드는 빔을 내보내는 송광 소자와, 기판 상에 형성되어 있고, 상기 송광 소자에서 발진된 빔이 전파되는 평면 도파로를 포함한다. 본 발명은 상기 평면 도파로의 일부 표면 상에 박막 형태로 집적되어 있고, 상기 평면 도파로를 통하여 전달된 빔을 받아 상기 평면 도파로 상부에 위치하는 디스크를 향하여 수직으로 보내거나, 상기 디스크에서 반사되는 빔을 다시 평면 도파로를 통하여 보내는 빔 입출사 커플러와, 상기 빔 입출사 커플러를 통하여 상기 평면 도파로로 전파하는 빔을 받는 수광소자를 포함한다. 본 발명의 상기 빔 입출사 커플러는 평면 도파로 상에 박막 형태로 집적되어 상기 광헤드의 두께를 대폭적으로 줄일 수 있다.
Abstract:
본 발명은 나노임프린트용 스탬퍼 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 나노임프린트용 스탬퍼로 사용될 기판과 그 상부에 도포되는 레지스트와의 사이에 접착력을 증대시키 위한 접착력 증대층을 형성하고, 전자선 묘화법의 직접쓰기법에 의해 나노크기의 레지스트 패턴을 형성함으로써, 나노크기를 갖는 소자들의 제작에 사용될 수 있으며 저가의 공정을 통해 대량생산이 가능하도록 한 나노임프린트용 스탬퍼 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 나노임프린트용 스탬퍼는, 스탬퍼용 기판; 상기 기판의 전체 상부면에 형성된 접착력 증대층; 전자선 묘화법의 직접쓰기법에 의해 형성된 나노크기의 레지스트 패턴을 포함하여 이루어진다. 나노임프린트(Nanoimprint), 스탬퍼(Stamper), 전자선 묘화법(e-beam lithography), 직접쓰기법(Direct Writing)