듀얼 게이트 유기트랜지스터를 이용한 인버터
    1.
    发明公开
    듀얼 게이트 유기트랜지스터를 이용한 인버터 失效
    具有双栅有机薄膜晶体管的有机逆变器

    公开(公告)号:KR1020070113737A

    公开(公告)日:2007-11-29

    申请号:KR1020060047388

    申请日:2006-05-26

    CPC classification number: H01L27/12 H01L27/283 H01L51/0554

    Abstract: An inverter using a dual gate organic transistor is provided to embody a transistor used as a driver by an enhancement-type transistor by using an organic transistor made of a dual gate. An inverter includes a driver transistor including a dual gate structure and an organic channel wherein the driver transistor is connected to the load transistor. The driver transistor can include a lower gate electrode(11), an upper gate electrode(17) and a source/drain electrode(13,14). The lower gate electrode confronts the organic channel by interposing a first dielectric layer(12). The upper gate electrode confronts the organic channel by interposing a second dielectric layer(16). The source/drain electrode is connected to the organic channel.

    Abstract translation: 提供了使用双栅极有机晶体管的反相器,通过使用由双栅极制成的有机晶体管,通过增强型晶体管来体现用作驱动器的晶体管。 逆变器包括驱动晶体管,其包括双栅极结构和有机沟道,其中驱动晶体管连接到负载晶体管。 驱动晶体管可以包括下栅电极(11),上栅电极(17)和源/漏电极(13,14)。 下栅电极通过插入第一介电层(12)来面对有机沟道。 上栅电极通过插入第二电介质层(16)来面对有机沟道。 源极/漏极连接到有机沟道。

    유기 박막 트랜지스터의 제조방법
    2.
    发明授权
    유기 박막 트랜지스터의 제조방법 失效
    制造有机薄膜晶体管的方法

    公开(公告)号:KR100779087B1

    公开(公告)日:2007-11-27

    申请号:KR1020060058094

    申请日:2006-06-27

    Abstract: 유기 박막 트랜지스터의 제조방법을 개시한다. 본 발명에 의하면, 유기 박막 트랜지스터의 유기막 뿐만 아니라, 유기 박막 트랜지스터를 구성하는 전극, 절연층 및 유기막 모두를 레이저 프린팅 방식으로 형성한다. 상기 레이저 프린터 방식은 레이저 빔이 조사된 부분에만 선택적으로 토너를 비산시켜 막을 형성할 수 있으므로, 미세한 패턴 제작이 가능하고, 정착 롤러에 의해 고착화되므로 별도의 건조 공정이 요구되지 않는다.
    유기박막트랜지스터(OTFT), 레이저 프린터, 드럼, 정착 롤러

    Abstract translation: 公开了一种有机薄膜晶体管的制造方法。 根据本发明,不仅有机薄膜晶体管的有机膜而且通过激光印刷方法形成构成有机薄膜晶体管的电极,绝缘层和有机膜。 在激光打印机方法中,调色剂可以仅在用激光束照射的部分上选择性地散射以形成膜,使得可以通过定影辊形成和固定精细图案,因此不需要单独的干燥步骤。

    전자 피부용 압력 센서 및 이의 제조 방법
    3.
    发明授权
    전자 피부용 압력 센서 및 이의 제조 방법 有权
    电子皮肤压力传感器及电子皮肤压力传感器的制造方法

    公开(公告)号:KR100779081B1

    公开(公告)日:2007-11-27

    申请号:KR1020060027358

    申请日:2006-03-27

    Abstract: 본 발명은 전자 피부용 압력 센서 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 소정 압력 이상이 가해지면 전도도가 증가하는 전도성 고무, 전도성 고무의 양쪽 측면에 형성되어 전도성 고무에 전류가 흐르는 것을 측정하는 전극, 및 전극의 일측면 상단부에 형성되어 전도성 고무에 가해지는 압력을 분산시키는 탄성 고무;로 구성되어, 압력의 정도를 측정할 수 있는 전자 피부용 압력 센서 및 이를 제조할 수 있다.

    유기 전계효과 트랜지스터의 제조방법
    4.
    发明公开
    유기 전계효과 트랜지스터의 제조방법 有权
    有机场效应晶体管的制作方法

    公开(公告)号:KR1020060064992A

    公开(公告)日:2006-06-14

    申请号:KR1020040103695

    申请日:2004-12-09

    CPC classification number: H01L51/0021 H01L51/0024 H01L51/0097 H01L51/0512

    Abstract: 본 발명은 유기 전계효과 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 상에 게이트 전극, 유전층, 소오스/드레인 전극 및 유기 반도체가 포함된 유기 전계효과 트랜지스터 패턴을 형성하는 단계와, 상기 소오스/드레인 전극 및 상기 유기 반도체의 전체 상부면에 소정의 접착제가 형성된 접합층을 부착시킨 후 상기 기판에서 상기 유기 전계효과 트랜지스터 패턴을 분리시키는 단계와, 분리된 상기 유기 전계효과 트랜지스터 패턴을 미리 마련된 플라스틱 기판 상에 전사시키는 단계를 포함함으로써, 온도에 영향을 받지 않고 증착할 수 있으므로 유전층의 종류에 제약을 받지 않을 뿐만 아니라 전사시키는 방법 중에서도 그 공정 자체가 매우 간단하며, 전사방법 자체가 외부 공기나 수분으로부터 유기물을 보호하는 보호층 역할까지 하여 그 특성을 오래 유지시킬 수 있는 효과가 있다.
    유기 전계효과 트랜지스터(OFET), 전사효과, 소오스 전극, 드레인 전극, 유전층, 기판, 테이프

    듀얼 게이트 유기트랜지스터를 이용한 인버터
    5.
    发明授权
    듀얼 게이트 유기트랜지스터를 이용한 인버터 失效
    具有双栅极有机薄膜晶体管的有机逆变器

    公开(公告)号:KR100801961B1

    公开(公告)日:2008-02-12

    申请号:KR1020060047388

    申请日:2006-05-26

    CPC classification number: H01L27/12 H01L27/283 H01L51/0554

    Abstract: 본 발명은 플라스틱 기판에 유기 반도체를 이용하여 인버터 회로를 제작할 때 문턱 전압을 위치별로 용이하게 제어할 수 있는 새로운 구조의 인버터에 관한 것이다. 본 발명에 따른 인버터는 드라이버로 사용되는 트랜지스터를 듀얼 게이트 구조를 가지도록 구성하고 그 상부 게이트에 포지티브 바이어스를 인가하여 유기반도체에 몸체 효과를 형성함으로써 드라이버 트랜지스터가 상부 게이트의 정전위를 이용하여 문턱 전압을 네거티브 영역으로 이동시켜 증가형 트랜지스터로 동작하도록 하는 것을 특징으로 한다. 특히 전술한 구성을 확장시켜 드라이버 트랜지스터 대신에 로드 트랜지스터에 듀얼 게이트 구조를 적용하거나 더 나아가 드라이버 트랜지스터와 로드 트랜지스터 모두에 듀얼 게이트 구조를 적용할 수 있다. 본 발명에 의하면, 수명과 소자 신뢰성을 향상시킬 수 있으며 유기전자 소자를 제작한 후에도 소자 특성을 설계된 회로에 맞게 쉽게 조절할 수 있는 유기 인버터를 제공할 수 있다.
    유기반도체, OTFT, 유기 인버터, 듀얼 게이트 구조, 유기전자소자

    인버터
    8.
    发明授权
    인버터 有权
    INVERTER

    公开(公告)号:KR100790761B1

    公开(公告)日:2008-01-03

    申请号:KR1020060096247

    申请日:2006-09-29

    CPC classification number: H01L27/281 H01L27/283

    Abstract: An inverter is provided to improve a property of turn-on current and depletion by forming a stable D-inverter structure with organic semiconductor transistors. A driver transistor gate electrode(22) is formed on a plastic substrate(10). A first insulating layer(30) is formed to cover the driver transistor gate electrode. A driver transistor source electrode(42) is formed on the first insulating layer. A single layer(44) and a drain electrode of a load transistor (46) are used for forming a driver transistor drain electrode and a source electrode of the load transistor. Two organic semiconductor layers(72,74) are formed on the first insulating layer which is exposed between the source and drain electrodes. A second insulating layer(50) is formed to cover the source and drain electrodes and the organic semiconductor layers. A top gate electrode of the load transistor (62) is formed on the second insulating layer.

    Abstract translation: 提供了一种通过用有机半导体晶体管形成稳定的D逆变器结构来提高导通电流和耗尽性能的逆变器。 驱动晶体管栅电极(22)形成在塑料基板(10)上。 形成第一绝缘层(30)以覆盖驱动晶体管栅电极。 驱动晶体管源电极(42)形成在第一绝缘层上。 负载晶体管(46)的单层(44)和漏电极用于形成负载晶体管的驱动晶体管漏电极和源电极。 在暴露在源极和漏极之间的第一绝缘层上形成两个有机半导体层(72,74)。 形成第二绝缘层(50)以覆盖源电极和漏电极以及有机半导体层。 负载晶体管(62)的顶栅电极形成在第二绝缘层上。

    유기 전기발광소자와 유기 전계효과 트랜지스터의 집적방법
    9.
    发明授权
    유기 전기발광소자와 유기 전계효과 트랜지스터의 집적방법 失效
    有机场效应晶体管和有机发光二极管的集成方法

    公开(公告)号:KR100731547B1

    公开(公告)日:2007-06-22

    申请号:KR1020040103691

    申请日:2004-12-09

    CPC classification number: H01L27/3274 H01L51/0021 H01L51/0024 H01L51/0545

    Abstract: 본 발명은 유기 전기발광소자와 유기 전계효과 트랜지스터의 집적방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 제1 기판 상에 적어도 하나의 제1 전극 및 유기 반도체가 포함된 유기 전계효과 트랜지스터를 마련하는 단계와, 제2 기판 상에 적어도 하나의 제2 전극 및 유기 발광층이 포함된 유기 전기발광소자를 마련하는 단계와, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 서로 대향되도록 상기 유기 전계효과 트랜지스터와 상기 유기 전기발광소자를 배치시키는 단계와, 상기 유기 전계효과 트랜지스터와 상기 유기 전기발광소자의 사이에 상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 전기적으로 연결하기 위한 소정의 금속 접촉선이 고정 결합된 절연층을 삽입하는 단계와, 상기 유기 전계효과 트랜지스터와 상기 유기 전기발광소자가 하나의 소자로 집적되도록 접합하는 단계를 포함함으로써, 능동 구동을 효과적으로 할 수 있으며, 개구율이 높아 수명을 더욱 연장시킬 뿐만 아니라 공정이 간단하여 저가격으로 생산할 수 있는 효과가 있다.
    라미네이션, 유기 전기발광소자(OLED), 유기 전계효과 트랜지스터(OFET), 집적, 절연층, 금속 접촉선

    전자 피부용 압력 센서 및 이의 제조 방법
    10.
    发明公开
    전자 피부용 압력 센서 및 이의 제조 방법 有权
    用于电子皮肤的压力传感器和用于电子皮肤的压力传感器的制造方法

    公开(公告)号:KR1020070059823A

    公开(公告)日:2007-06-12

    申请号:KR1020060027358

    申请日:2006-03-27

    CPC classification number: G01L1/20 B25J13/08 G01R19/165

    Abstract: A pressure sensor for an electronic skin and a fabrication method of a pressure sensor for an electronic skin are provided to read intensity of pressure, unable to obtain from a conventional pressure sensor using pressure-dependant conductive rubber. A pressure sensor for an electronic skin includes a pressure-dependant conductive rubber(1), electrodes(2,3), an elastic rubber(4), a voltmeter(10), an ammeter(20). The elastic rubber is a substance for making the pressure-dependant conductive rubber slowly react on the pressure. The elastic rubber disperses the pressure applied to the pressure-dependant conductive rubber. When an elastic coefficient of the pressure-dependant conductive rubber is k1, an elastic constant of the elastic rubber is k2, a total elongated length is x, and an elongate length of the pressure-dependant conductive rubber and an elongated length of a buffering rubber are respective x1 and x2, formulas such as x=x1+x2 and k1x1=k2x2 are established. A pressure representing a change of conductivity is applied by x1. Since actually elongated length x is dispersed into x1 and x2, change of resistance is dull.

    Abstract translation: 提供一种用于电子皮肤的压力传感器和用于电子皮肤的压力传感器的制造方法以读取不能从使用压力导电橡胶的常规压力传感器获得的压力强度。 用于电子皮肤的压力传感器包括压力导电橡胶(1),电极(2,3),弹性橡胶(4),电压表(10),电流表(20)。 弹性橡胶是使压力依赖性导电橡胶在压力上缓慢反应的物质。 弹性橡胶分散施加于压力导电橡胶上的压力。 当压力导电橡胶的弹性系数为k1时,弹性橡胶的弹性常数为k2,总伸长长度为x,压力依赖导电橡胶的细长长度和缓冲橡胶的长度 分别为x1和x2,建立诸如x = x1 + x2和k1x1 = k2x2的公式。 表示电导率变化的压力由x1施加。 由于实际上细长的x分散在x1和x2中,电阻的变化是钝的。

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