급속 열증착을 이용한 금속산화물 나노구조물 제조방법
    1.
    发明授权
    급속 열증착을 이용한 금속산화물 나노구조물 제조방법 有权
    使用快速热蒸镀法制造金属氧化物纳米结构的方法

    公开(公告)号:KR100953825B1

    公开(公告)日:2010-04-20

    申请号:KR1020070051530

    申请日:2007-05-28

    Abstract: 본 발명은 나노구조물의 형성 전후의 원하지 않는 반응을 억제하여 고품질의 금속산화물 나노구조물을 제작할 수 있는 급속 열증착을 이용한 금속산화물 나노구조물 제조방법을 개시한다. 본 발명에 따른 급속 열증착을 이용한 금속산화물 나노구조물 제조방법은 하나 또는 그 이상의 할로겐 램프들이 그 주위에 설치된 챔버를 준비하는 단계, 챔버 내에 금속 소스 및 기판을 장입하는 단계, 금속 소스로부터 기판 방향의 유속을 갖는 캐리어 가스를 챔버 내로 공급하는 단계, 기판 상에 금속산화물 나노구조물을 형성하기 위하여, 할로겐 램프를 이용하여 금속 소스를 가열하는 단계, 및 기판 상에 형성된 금속산화물 나노구조물을 냉각하는 단계를 포함한다.
    금속산화물, 나노구조물, 급속 열증착, 할로겐램프

    급속 열증착을 이용한 금속산화물 나노구조물 제조방법
    2.
    发明公开
    급속 열증착을 이용한 금속산화물 나노구조물 제조방법 有权
    使用快速热蒸气沉积制备金属氧化物纳米结构的方法

    公开(公告)号:KR1020080104581A

    公开(公告)日:2008-12-03

    申请号:KR1020070051530

    申请日:2007-05-28

    CPC classification number: H01L21/02603 H01L21/02664

    Abstract: The method for manufacturing metal oxide nanostructures using the rapid thermal deposition is provided to use the relatively wide substrate. Therefore, the nanostructures of the high quality are mass-produced. The method for manufacturing metal oxide nanostructures comprises as follows. A step(S10) is for preparing chamber having one or the halogen lamps. A step(S20) is for charging the metal source within the chamber and substrate. A step(S30) is for supplying the carrier gas having the flux of the substrate direction from the metal source within the chamber. A step(S40) is for heating the metal source by using the halogen lamp to form the metal oxide nanostructures on the substrate. A step(S50) is for cooling the metal oxide nanostructures formed in the substrate.

    Abstract translation: 提供使用快速热沉积制造金属氧化物纳米结构的方法来使用相对宽的衬底。 因此,高质量的纳米结构大量生产。 金属氧化物纳米结构体的制造方法如下。 步骤(S10)用于制备具有一个或卤素灯的室。 步骤(S20)用于对室和衬底内的金属源进行充电。 步骤(S30)用于从腔室内的金属源供给具有基板方向的通量的载气。 步骤(S40)是通过使用卤素灯在基板上形成金属氧化物纳米结构来加热金属源。 步骤(S50)是用于冷却在基板中形成的金属氧化物纳米结构体。

    MASN 형광체의 제조방법
    3.
    发明授权
    MASN 형광체의 제조방법 失效
    主要磷化物的制造方法

    公开(公告)号:KR101087032B1

    公开(公告)日:2011-11-30

    申请号:KR1020100112512

    申请日:2010-11-12

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an MASN phosphor is provided to minimize the contamination by carbon generated in sintering since boron nitride is coated to a part of carbon mold and/or carbon punch which are contacted with phosphor raw powder. CONSTITUTION: A method for manufacturing an MASN phosphor comprises the steps of: (S1) injecting the phosphor raw powder required for synthesizing the MASN phosphor represented by M_1-xAlSiN_3:LnX into a carbon mold; (S2) installing the carbon mold within the chamber of an electric discharge plasma sintering apparatus and removing oxygen from the chamber; (S3) sintering the fluorescent raw powder; and (S4) obtaining the phosphor powder by pulverizing the sintered material.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于制造MASN荧光体的方法,以便在烧结中产生的碳的污染最小化,因为氮化硼被涂覆到与荧光粉原料粉末接触的碳模和/或碳冲头的一部分上。 构成:制造MASN荧光体的方法包括以下步骤:(S1)将由M_1-xAlSiN_3:LnX表示的MASN荧光体合成所需的荧光体原料粉末注入碳模具中; (S2)将碳模具安装在放电等离子体烧结装置的室内并从室中除去氧气; (S3)烧结荧光原料粉末; 和(S4)通过粉碎烧结材料获得荧光体粉末。

    항균성 및 생체적합성이 우수한 임플란트재료 및 그 제조방법
    4.
    发明授权
    항균성 및 생체적합성이 우수한 임플란트재료 및 그 제조방법 有权
    植物材料具有优良的抗菌和生物相容性能及其制造方法

    公开(公告)号:KR100910064B1

    公开(公告)日:2009-07-30

    申请号:KR1020070056552

    申请日:2007-06-11

    Abstract: 항균성 및 생체적합성이 우수한 임플란트재료 및 그 제조방법이 개시된다.
    본 발명에 따르는 향균성 및 생체적합성이 우수한 임플란트재료의 제조방법은 임플란트재료에 인산을 제공하는 전구체와, 칼슘을 제공하는 전구체 및 항균성 및 생체적합성을 부여하는 금속이온을 포함하는 전해질용액을 준비하는 (a)단계, 및 상기 전해질용액에 임플란트재료를 침지하고 그 표면에 인가전압을 인가해 양극산화하여 복수개의 돌출부 모양으로 형성된 산화피막층과 생체친화층을 형성하는 (b)단계를 포함한다. 본 발명에 따르는 항균성 및 생체적합성이 우수한 임플란트재료는 심재와, 상기 심재의 표면에 복수개의 돌출부를 구비한 엠보싱 모양으로 형성된 산화피막층과, 상기 산화피막층의 외부에는 상기 산화피막층의 표면에 적층되는 생체친화층 및 상기 산화피막층의 내부, 상기 생체친화층의 내부 및 상기 산화피막층과 생체친화층과의 계면 중 적어도 어느 하나에 포함되는 칼슘, 인, 은(Ag) 또는 백금(Pt)을 포함하는 것을 특징으로 한다.

    항균성 및 생체적합성이 우수한 임플란트재료 및 그 제조방법
    5.
    发明公开
    항균성 및 생체적합성이 우수한 임플란트재료 및 그 제조방법 有权
    电解质,制造植物材料的方法和具有优良抗菌素和生物成分属性的植物材料

    公开(公告)号:KR1020080108687A

    公开(公告)日:2008-12-16

    申请号:KR1020070056552

    申请日:2007-06-11

    Abstract: Electrolyte, a method of manufacturing implant material using the same and the implant material are provided, in which electrolyte solution is necessary to manufacture implant material with a superior antibiosis and bio-compatibility. Electrolyte solution necessary to manufacture the excellent implant material is received into the reservoir in which the anode material and cathode material are dipped to form an oxidation layer(210) on the anode material by the micro-arc oxidation. Electrolyte solution comprises: a precursor providing the phosphoric acid to the implant material; a precursor providing the calcium; a metallic ion giving the antibiosis and bio compatibility to the implant material.

    Abstract translation: 提供电解质,使用其制造植入材料的方法和植入材料,其中需要电解质溶液来制造具有优异的抗生素和生物相容性的植入材料。 用于制造优良植入材料所必需的电解质溶液被接收到储存器中,其中阳极材料和阴极材料被浸渍以通过微弧氧化在阳极材料上形成氧化层(210)。 电解质溶液包括:向植入材料提供磷酸的前体; 提供钙的前体; 赋予植入材料抗生素和生物相容性的金属离子。

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