열전 특성이 향상된 열전소재의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 열전소재

    公开(公告)号:KR101746682B1

    公开(公告)日:2017-06-13

    申请号:KR1020170062095

    申请日:2017-05-19

    Abstract: 본발명은기판상에형성된열전재료를산성용액에침지시키는단계(단계 1); 상기단계 1의열전재료를세척하는단계(단계 2); 및상기단계 2의열전재료를열처리하는단계(단계 3);를포함하는열전소재의제조방법을제공한다. 본발명에따른열전소재의제조방법으로얻어진열전소재의열전특성이산성용액을이용한화학적처리를통해현저히증가되는효과가있다. 또한, 본발명의제조방법은열전소재를산성용액에담금처리하는공정만으로도수행될수 있고, 박막형성에어려운영향을미치지않아다양한기판, 크기모양의열전소자에적용할수 있는장점이있다.

    열전 특성이 향상된 열전소재의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 열전소재
    7.
    发明公开
    열전 특성이 향상된 열전소재의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 열전소재 有权
    一种制造具有改善的热电特性的热电材料和热电材料的方法

    公开(公告)号:KR1020170058899A

    公开(公告)日:2017-05-29

    申请号:KR1020170062095

    申请日:2017-05-19

    Abstract: 본발명은기판상에형성된열전재료를산성용액에침지시키는단계(단계 1); 상기단계 1의열전재료를세척하는단계(단계 2); 및상기단계 2의열전재료를열처리하는단계(단계 3);를포함하는열전소재의제조방법을제공한다. 본발명에따른열전소재의제조방법으로얻어진열전소재의열전특성이산성용액을이용한화학적처리를통해현저히증가되는효과가있다. 또한, 본발명의제조방법은열전소재를산성용액에담금처리하는공정만으로도수행될수 있고, 박막형성에어려운영향을미치지않아다양한기판, 크기모양의열전소자에적용할수 있는장점이있다.

    Abstract translation: 本发明提供了一种制造半导体器件的方法,包括:(a)将形成在衬底上的热电材料浸入酸性溶液中(步骤1); 洗涤步骤1的热电材料(步骤2); 以及对步骤2的热电材料进行热处理的步骤(步骤3)。 通过使用酸性溶液的化学处理,通过根据本发明的制造热电材料的方法获得的热电材料的热电特性显着增加。 此外,本发明的制造方法可以通过将热电材料浸渍在酸性溶液中进行,并且对成膜性没有困难的影响,因此可以应用于各种基板和尺寸的热电元件。

    열전 특성이 향상된 열전소재의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 열전소재
    8.
    发明公开
    열전 특성이 향상된 열전소재의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 열전소재 无效
    使用该方法提高热电材料和热电材料的热电性能的方法

    公开(公告)号:KR1020160057665A

    公开(公告)日:2016-05-24

    申请号:KR1020140158547

    申请日:2014-11-14

    CPC classification number: H01L35/34 H01L35/12 H01L35/24

    Abstract: 본발명은기판상에형성된열전재료를산성용액에침지시키는단계(단계 1); 상기단계 1의열전재료를세척하는단계(단계 2); 및상기단계 2의열전재료를열처리하는단계(단계 3);를포함하는열전소재의제조방법을제공한다. 본발명에따른열전소재의제조방법으로얻어진열전소재의열전특성이산성용액을이용한화학적처리를통해현저히증가되는효과가있다. 또한, 본발명의제조방법은열전소재를산성용액에담금처리하는공정만으로도수행될수 있고, 박막형성에어려운영향을미치지않아다양한기판, 크기모양의열전소자에적용할수 있는장점이있다.

    Abstract translation: 本发明提供一种制造热电材料的方法,包括以下步骤:(1)将形成在基板上的热电材料浸入酸性溶液中; (2)冲洗步骤1的热电材料; 和(3)对步骤2的热电材料进行热处理。该方法通过使用酸性溶液的化学方法提供了大大增加热电材料的热电特性的效果。 此外,该方法可以仅通过将热电材料浸渍在酸性溶液材料中的方法进行,并且不会对薄膜形成产生不利影响,从而适用于各种基板,热电材料的尺寸和形状。

    자발적 연소 반응이 발생하는 금속 산화물계 유전체 조성물 및 이를 통해 제조되는 게이트 절연막
    9.
    发明授权
    자발적 연소 반응이 발생하는 금속 산화물계 유전체 조성물 및 이를 통해 제조되는 게이트 절연막 有权
    金属氧化物电介质组合物产生自燃反应和门电介质层

    公开(公告)号:KR101440006B1

    公开(公告)日:2014-09-12

    申请号:KR1020130117554

    申请日:2013-10-01

    Abstract: The present invention relates to a metal oxide based dielectric composition generating a self-combustion reaction and a gate insulation layer manufactured through the same. The metal oxide based dielectric composition generating a self-combustion reaction according to the present invention may perform a process at a low temperature through heat generated from the self-burning reaction. In addition, a thin film manufactured from the composition may be used as a material for the gate insulation layer for a transistor device, so a thin film transistor having an improved electrical performance may be manufactured. Further, by adding an organic material to be subject to a sol-gel reaction, a dense and uniform thin film may be manufactured, and a thin film transistor having excellent reliability may be manufactured.

    Abstract translation: 本发明涉及一种产生自燃反应的金属氧化物基电介质组合物和通过其制造的栅极绝缘层。 根据本发明产生自燃反应的基于金属氧化物的电介质组合物可以通过自燃反应产生的热量在低温下进行。 此外,可以使用由组合物制造的薄膜作为晶体管器件的栅极绝缘层的材料,因此可以制造具有改善的电性能的薄膜晶体管。 此外,通过加入要进行溶胶 - 凝胶反应的有机材料,可以制造致密且均匀的薄膜,并且可以制造具有优异的可靠性的薄膜晶体管。

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