신규 유기금속 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
    3.
    发明申请
    신규 유기금속 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자 审中-公开
    新型有机化合物和有机发光二极管

    公开(公告)号:WO2012138172A2

    公开(公告)日:2012-10-11

    申请号:PCT/KR2012/002624

    申请日:2012-04-06

    Abstract: 본 발명은 신규 유기금속 화합물에 관한 것으로서, 보다 자세하게는, 게르마늄 치환체의 도입에 의해 분자간 상호 작용이 억제되어 발광 특성이 개선된 발광성 유기금속 화합물 및 이를 이용한 유기 전자 소자, 그 중에서도 유기 발광 소자에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 상기 이리듐 유기금속 화합물 모체에 게르마늄 치환체를 도입함으로써 고체 상태에서의 분자간 상호 작용이 억제되어 용액 공정에서도 유용하게 사용될 수 있고, 유기 발광 소자의 발광층의 일부로 사용되는 경우에 그 발광 효율이 현저히 개선되므로 유기 발광 소자용 재료로 유용하게 사용될 수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及新型有机金属化合物,更具体地说,涉及通过引入锗取代基来抑制分子间相互作用的发光有机金属化合物,从而提高发光特性。 本发明还涉及有机电子器件,具体涉及使用该化合物的有机发光二极管。 根据本发明,将锗取代基引入到母体有机金属铱化合物中,从而抑制固态的分子间相互作用,使得本发明的化合物能够有效地用于溶液处理。 当将本发明的化合物用作有机发光二极管的发光层的一部分时,可以显着提高发光二极管的发光效率。 因此,本发明的化合物可以有效地用作有机发光二极管的材料。

    자발적 연소 반응이 발생하는 인듐아연 산화물계 반도체 잉크 조성물 및 이를 통해 제조되는 무기 반도체 박막
    4.
    发明申请
    자발적 연소 반응이 발생하는 인듐아연 산화물계 반도체 잉크 조성물 및 이를 통해 제조되는 무기 반도체 박막 审中-公开
    印度 - 氧化锌半导体墨水组合物,其具有自发的燃烧反应和无机半导体薄膜生产

    公开(公告)号:WO2014092414A1

    公开(公告)日:2014-06-19

    申请号:PCT/KR2013/011357

    申请日:2013-12-09

    Abstract: 본 발명의 목적은 자발적 연소 반응이 발생하는 인듐아연 산화물계 반도체 잉크 조성물 및 이를 통해 제조되는 무기 반도체 박막을 제공하는 데 있다. 이를 위하여, 본 발명은 산화재료인 금속 A의 질화물(nitrate)과 연료재료인 금속 B의 화학식 1로 표현되는 착화물을 포함하고, 상기 금속 A 및 금속 B는 각각 인듐, 갈륨, 아연, 티타늄, 알루미늄, 리튬 및 지르코늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종의 금속이며, 금속 A와 금속 B는 서로 상이한 것을 특징으로 하는 반도체 잉크 조성물을 제공한다. 본 발명에 따른 자발적 연소 반응이 발생하는 인듐아연 산화물계 반도체 잉크 조성물 및 이를 통해 제조되는 무기 반도체 박막은 트랜지스터 소자의 채널 재료로 이용될 수 있고, 이에 따라 전기적 성능이 향상된 무기 박막 트랜지스터를 제조할 수 있다. 또한, 용액공정에 적합하여 박막으로의 제조가 용이하고 저온공정이 가능하며, 연료재료와 산화재료가 배위된 두 금속 전구체를 혼합함으로써 발생하는 자발적인 연소반응에 의하여 조밀하고 균일한 박막을 제조할 수 있고, 이에 따라 신뢰도가 우수한 무기 박막 트랜지스터를 제조할 수 있다.

    Abstract translation: 本发明的目的是提供一种发生自发燃烧反应的铟 - 锌 - 氧化物半导体油墨组合物,并提供由其制成的无机半导体薄膜。 为此,本发明提供了一种半导体油墨组合物,其包含由式1表示的络合物,其中掺入作为氧化材料的金属A的硝酸盐并且掺入作为燃料的金属B; 其中金属A和金属B分别为选自铟,镓,锌,钛,铝,锂和锆的金属,金属A和金属B彼此不同。 根据本发明,可以使用其中发生自燃反应的铟 - 锌 - 氧化物半导体油墨组合物和由此产生的无机半导体薄膜作为晶体管元件的沟道材料,因此可以生产无机薄膜 具有改进的电性能的薄膜晶体管。 此外,本发明适用于溶液处理,因此易于生产作为薄膜并且能够进行低温处理,并且可以生产由于在混合两种金属前体而发生的自发燃烧反应而致密且均匀的薄膜 与燃料材料和氧化材料配合。

    무기 반도체 잉크 조성물 및 이를 통해 제조되는 무기 반도체 박막
    7.
    发明申请
    무기 반도체 잉크 조성물 및 이를 통해 제조되는 무기 반도체 박막 审中-公开
    无机半导体墨水组合物和无机半导体薄膜使用其制造

    公开(公告)号:WO2012141535A2

    公开(公告)日:2012-10-18

    申请号:PCT/KR2012/002831

    申请日:2012-04-13

    Abstract: 본 발명은 무기 반도체 잉크 조성물 및 이를 통해 제조되는 무기 반도체 박막에 관한 것으로 상세하게는 산화아연 전구체 용액, 산화아연 나노입자 및 분산용매를 포함하고, 산화아연 전구체 용액에 대하여 산화아연 나노입자는 0.1 내지 50 중량%인 것을 특징으로 하는 무기 반도체 잉크 조성물을 제공한다. 본 발명에 따른 무기 반도체 잉크 조성물은 트랜지스터 소자의 채널 재료로 이용될 수 있고, 이에 따라 전기적 성능이 향상된 무기 박막 트랜지스터를 제조할 수 있다. 또한, 용액공정에 적합하여 박막으로의 제조가 용이하고 저온공정이 가능하며, 산화아연 전구체 용액 및 산화아연 나노입자가 혼합되어 조밀하고 균일한 박막을 제조할 수 있고, 이에 따라 신뢰도가 우수한 무기 박막 트랜지스터를 제조할 수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及无机半导体油墨组合物和通过使用它们制造的无机半导体薄膜。 特别地,无机半导体油墨组合物包括氧化锌前体溶液,氧化锌纳米颗粒和分散溶剂,其特征在于,氧化锌纳米颗粒的量为基于0.1重量%至50重量% 在氧化锌前体溶液上。 无机半导体油墨组合物可以用作晶体管器件的沟道材料,因此可以获得具有改进的性能的无机薄膜晶体管。 此外,由于组合物适用于液体工艺,因此制造薄膜容易,并且可以进行低温处理。 由于氧化锌前体溶液和氧化锌纳米颗粒混合,所以可以制造出紧凑且均匀的薄膜。 因此,可以获得具有良好可靠性的无机薄膜晶体管。

    폴리실라잔 화합물을 포함하는 박막 트랜지스터 게이트 절연막 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터
    8.
    发明申请
    폴리실라잔 화합물을 포함하는 박막 트랜지스터 게이트 절연막 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터 审中-公开
    包含多晶硅化合物的薄膜晶体管的栅绝缘膜和包含其的薄膜晶体管

    公开(公告)号:WO2016032212A1

    公开(公告)日:2016-03-03

    申请号:PCT/KR2015/008887

    申请日:2015-08-25

    CPC classification number: C08L83/14 C08L83/16 H01L51/00

    Abstract: 본 발명은 폴리실라잔(Polysilazane) 화합물을 포함하는 박막 트랜지스터용 유전체 조성물을 제공한다. 본 발명에 따른 폴리실리잔 화합물을 포함하는 박막 트랜지스터용 유전체 조성물은 박막 트랜지스터의 게이트 절연막 재료로 사용될 수 있다. 본 발명에 따른 조성물은 용액공정을 통해 박막 트랜지스터 게이트 절연막을 제조할 수 있어 간단한 스핀 코팅법 등의 방법으로 박막으로의 제조가 용이하고, 저온공정이 가능한 효과가 있다. 또한, 본 발명에 따른 조성물을 통해 제조된 게이트 절연막을 포함하는 박막 트랜지스터는 전기적 성능 및 신뢰도가 우수한 효과가 있다. 나아가, 본 발명에 따른 박막 트랜지스터의 제조방법은 자발적 연소 반응이 발생하는 인듐아연 산화물계 반도체 잉크 조성물을 사용하여 박막 트랜지스터의 산화물 반도체를 형성하기 때문에 더욱 전기적 성능이 우수한 박막 트랜지스터를 제조할 수 있을 뿐만 아니라, 게이트 절연막과 마찬가지로 용액공정에 적합하여 박막으로의 제조가 용이하고 저온공정이 가능하며, 연료재료와 산화재료가 배위된 두 금속 전구체를 혼합함으로써 발생하는 자발적인 연소반응에 의하여 조밀하고 균일한 박막을 제조할 수 있다.

    Abstract translation: 本发明提供一种含有聚硅氮烷化合物的薄膜晶体管用电介质组合物。 根据本发明的含有聚硅氮烷化合物的薄膜晶体管的电介质组合物可用作薄膜晶体管的栅极绝缘膜的材料。 根据本发明的组合物具有能够通过溶液法制造薄膜晶体管的栅极绝缘膜,从而通过简单的旋涂等容易地制造为薄膜的效果,以及 允许低温过程。 此外,包括通过根据本发明的组合物制造的栅极绝缘膜的薄膜晶体管具有优异的电性能和可靠性。 此外,在本发明的薄膜晶体管的制造方法中,使用产生自发燃烧反应的氧化铟锌系半导体油墨组合物形成薄膜晶体管的氧化物半导体,由此形成薄膜晶体管 具有更优异的电气性能可以制造; 该组合物适合于在栅极绝缘膜中的溶液工艺中,因此可以容易地制造薄膜,并且允许低温工艺; 并且通过混合燃料和氧化材料配位的两种金属前体产生的自发燃烧反应,可以形成致密且均匀的薄膜。

    전기전도성이 우수한 열전재료 조성물 및 이의 제조방법
    9.
    发明授权
    전기전도성이 우수한 열전재료 조성물 및 이의 제조방법 有权
    具有优异导电性的热电材料组合物及其制造方法

    公开(公告)号:KR101808827B1

    公开(公告)日:2017-12-14

    申请号:KR1020160075127

    申请日:2016-06-16

    Abstract: 본발명은전기전도성이우수한고분자열전조성물및 이의제조방법에관한것으로, 본발명에따른열전재료조성물은필름의형태로대면적, 고집적화가가능하고, 열전분야에적용가능한수준의우수한전기전도도를나타내는것으로확인되어이를포함하는유기계열전재료, 열전소자등으로유용하게사용될수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种高聚合物热组合物及其制造方法,导电性,根据本发明的大面积的膜的形式的热传导性材料组成,以及高集成是可能的,指示的适用良好的导电性到热场水平 并且它可以有用地用作有机热电材料和包括其的热电装置。

    열전소재 및 이의 제조방법
    10.
    发明公开
    열전소재 및 이의 제조방법 有权
    热电材料及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020170111066A

    公开(公告)日:2017-10-12

    申请号:KR1020160035837

    申请日:2016-03-25

    Abstract: 본발명은금속도핑처리또는산 처리된탄소나노튜브섬유; 및상기탄소나노튜브섬유에코팅된전도성고분자;를포함하는탄소나노튜브섬유기반열전소재를제공한다. 본발명에따른열전소재는적절한농도의산 처리또는도핑처리및 전도성고분자코팅을통해, 열전특성이현저히향상된효과가있다. 또한, 본발명은탄소나노튜브섬유를금속도핑처리하는단계(단계 1); 및상기단계 1이수행된탄소나노튜브에전도성고분자를도포하는단계(단계 2);를포함하는탄소나노튜브기반탄소나노튜브섬유기반열전소재제조방법을제공한다. 본발명에따른열전소재제조방법은기판이없이도다양한형태및 크기모양의열전소자에적용할수 있는열전소재를제조할수 있는장점이있다.

    Abstract translation: 本发明涉及金属掺杂或酸处理的碳纳米管纤维; 并在碳纳米管纤维上涂覆导电聚合物。 根据本发明的热电材料具有通过适当浓度的酸处理或掺杂处理以及导电聚合物涂层显着提高热电特性的效果。 本发明还提供了一种制造碳纳米管纤维的方法,包括:(1)对碳纳米管纤维进行金属掺杂处理; 提供了一种基于碳纳米管的碳纳米管纤维基发热材料包括;以及向所述碳纳米管上的上述第1步中进行施加导电聚合物的步骤(步骤2)。 根据本发明的制造热电材料的方法的优点在于,可以在没有衬底的情况下制造适用于各种形状和尺寸的热电元件的热电材料。

Patent Agency Ranking