公开(公告)号：WO2012001600A3

公开(公告)日：2012-03-01

申请号：PCT/IB2011052792

申请日：2011-06-24

Applicant: IBM ,  BANGSARUNTIP SARUNYA ,  BJOERK MIKAEL T ,  COHEN GUY M ,  RIEL HEIKE E ,  SCHMID HEINZ

Inventor： BANGSARUNTIP SARUNYA ,  BJOERK MIKAEL T ,  COHEN GUY M ,  RIEL HEIKE E ,  SCHMID HEINZ

IPC: H01L29/12 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/06 ,  H01L29/775 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L33/02

CPC classification number: H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/068 ,  H01L29/125 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/775 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78696

Abstract: A method of forming a semiconductor is provided and includes patterning a pad and a nanowire onto a wafer, the nanowire being substantially perpendicular with a pad sidewall and substantially parallel with a wafer surface and epitaxially growing on an outer surface of the nanowire a secondary layer of semiconductor material, which is lattice mismatched with respect to a material of the nanowire and substantially free of defects.

Abstract translation: 提供了形成半导体的方法，并且包括将衬垫和纳米线图案化到晶片上，所述纳米线基本上与衬垫侧壁垂直并且基本上平行于晶片表面并且外延生长在纳米线的外表面上， 半导体材料，其相对于纳米线的材料而晶格失配并且基本上没有缺陷。

公开(公告)号：DE112011100856T5

公开(公告)日：2013-01-24

申请号：DE112011100856

申请日：2011-05-23

Applicant: IBM

Inventor： BJOERK MIKAEL T ,  RIEL HEIKE E ,  SCHMID HEINZ

IPC: C30B11/10 ,  C30B11/12 ,  C30B13/18 ,  C30B15/08 ,  H01L31/18

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung eines monokristallinen Blatts (11), insbesondere eines Siliciumblatts (11), umfasst das Folgende: Bereitstellen von mindestens zwei Öffnungselementen (1, 2), welche zwischen sich eine Lücke (3) bilden; Bereitstellen einer geschmolzenen Legierung (4), welche Silicium umfasst, in der Lücke (3) zwischen den mindestens zwei Öffnungselementen (1, 2); Bereitstellen eines gasförmigen Vorstufenmediums (5), welches Silicium umfasst, in Nachbarschaft der geschmolzenen Legierung (4); Bereitstellen eines Silicium-Keimkristalls (6) in Nachbarschaft der geschmolzenen Legierung (4) und In-Kontakt-Bringen des Silicium-Keimkristalls (6) mit der geschmolzenen Legierung (4). Eine Einheit (10, 20) zur Herstellung eines monokristallinen Blatts (11), insbesondere eines Siliciumblatts (11), umfasst mindestens zwei Öffnungselemente (1, 2) in einem vorgegebenen Abstand (D) voneinander, wodurch eine Lücke (3) gebildet wird, und welche dafür geeignet sind, erwärmt zu werden, um einest, durch die Oberflächenspannung in der Lücke (3) zwischen den Öffnungselementen (1, 2) zu halten; ein Mittel (15) zum Zuführen eines gasförmigen Vorstufenmediums (5), welches Silicium umfasst, in die Nachbarschaft der geschmolzenen Legierung (4) und ein Positioniermittel (16) zum Halten und Bewegen eines Keimkristalls (6) in Nachbarschaft der geschmolzenen Legierung (2).

公开(公告)号：GB2494565B

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：GB201221842

申请日：2011-05-23

Applicant: IBM

Inventor： RIEL HEIKE E ,  SCHMID HEINZ ,  BJOERK MIKAEL T

IPC: C30B11/10 ,  C30B11/12 ,  C30B13/18 ,  C30B15/08 ,  H01L31/18

公开(公告)号：DE112011100856B4

公开(公告)日：2015-08-06

申请号：DE112011100856

申请日：2011-05-23

Applicant: IBM

Inventor： BJOERK MIKAEL T ,  RIEL HEIKE E ,  SCHMID HEINZ

IPC: C30B11/10 ,  C30B11/12 ,  C30B13/18 ,  C30B15/08 ,  H01L31/18

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines monokristallinen Blatts (11) eines Halbleitermaterials, wobei das Halbleitermaterial ein elementares Halbleitermaterial ist, welches das Folgende umfasst: Bereitstellen von mindestens zwei Öffnungselementen (1, 2), welche zwischen sich eine Lücke (3) bilden; Bereitstellen einer geschmolzenen Legierung (4), welche das Halbleitermaterial umfasst, in der Lücke (3) zwischen den mindestens zwei Öffnungselementen (1, 2); Bereitstellen eines gasförmigen Vorstufenmediums (5), welches das Halbleitermaterial liefert, in Nachbarschaft der geschmolzenen Legierung (4); Bereitstellen eines Keimkristalls (6) des Halbleitermaterials in Nachbarschaft der geschmolzenen Legierung (4); In-Kontakt-Bringen des Keimkristalls (6) mit der geschmolzenen Legierung (4); Anordnen der Öffnungselemente (1, 2) und der geschmolzenen Legierung (4) derart, dass die geschmolzene Legierung (4) durch die Oberflächenspannung zwischen den Öffnungselementen (1, 2) gehalten wird; allmähliches Zurückziehen des Keimkristalls (6) aus der geschmolzenen Legierung (4), wobei das Halbleitermaterial aus dem gasförmigen Vorstufenmedium (5), welches das Halbleitermaterial umfasst, in die geschmolzene Legierung (4) freigesetzt wird, wodurch die geschmolzene Legierung (4) mit dem Halbleitermaterial übersättigt wird.

公开(公告)号：DE112012003083T5

公开(公告)日：2014-07-17

申请号：DE112012003083

申请日：2012-06-19

Applicant: IBM

Inventor： MOSELUND KIRSTEN EMILIE ,  STANLEY-MARBELL PHILLIP ,  BJOERK MIKAEL T ,  DOERING ANDREAS CHRISTIAN

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/423

Abstract: Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Tunnel-Feldeffekttransistor (1), der Folgendes aufweist: mindestens einen Source-Bereich (2), der ein entsprechendes Source-Halbleitermaterial aufweist; mindestens einen Drain-Bereich (3), der ein entsprechendes Drain-Halbleitermaterial aufweist, und mindestens einen Kanalbereich (4), der ein entsprechendes Kanalhalbleitermaterial aufweist, das zwischen dem Source-Bereich (2) und dem Drain-Bereich (3) angeordnet ist, wobei der Tunnel-Feldeffekttransistor (1) weiterhin aufweist: mindestens eine Source-Kanal-Gate-Elektrode (5), die auf mindestens einer Grenzfläche (5') zwischen dem Source-Bereich (2) und dem Kanalbereich (4) bereitgestellt wird; mindestens einen Isolator (5''), der der Source-Kanal-Gate-Elektrode (5) entspricht und der zwischen der Source-Kanal-Gate-Elektrode (5) und mindestens der Grenzfläche (5') zwischen dem Source-Bereich (2) und dem Kanalbereich (4) bereitgestellt wird, mindestens eine Drain-Kanal-Gate-Elektrode (6), die auf mindestens einer Grenzfläche (6') zwischen dem Drain-Bereich (3) und dem Kanalbereich (4) bereitgestellt wird und mindestens einen Isolator (6''), der der Drain-Kanal-Gate-Elektrode (6) entspricht und der zwischen der Drain-Kanal-Gate-Elektrode (6) und mindestens der Grenzfläche (6') zwischen dem Drain-Bereich (3) und dem Kanalbereich (4) bereitgestellt wird.

公开(公告)号：GB2506558A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：GB201400564

申请日：2012-06-19

Applicant: IBM

Inventor： MOSELUND KIRSTEN EMILIE ,  STANLEY-MARBELL PHILLIP ,  DOERING ANDREAS CHRISTIAN ,  BJOERK MIKAEL T

IPC: H01L29/739

Abstract: The present invention relates to a tunnel field-effect transistor (1) comprising: at least a source region (2) comprising a corresponding source semiconductor material; at least a drain region (3) comprising a corresponding drain semiconductor material, and at least a channel region (4) comprising a corresponding channel semiconductor material, which is arranged between the source region (2) and the drain region(3), the tunnel field-effect transistor (1)further comprising: at least a source-channel gate electrode (5) provided on at least an interface (5') between the source region (2) and the channel region (4); at least an insulator (5") corresponding to the source-channel gate electrode (5) that is provided between the source-channel gate electrode (5) and at least the interface (5') between the source region (2) and the channel region (4), at least a drain-channel gate electrode (6) provided on at least an interface(6') between the drain region (3) and the channel region(4), and at least an insulator(6") corresponding to the drain-channel gate electrode (6) that is provided between the drain-channel gate electrode (6) and at least the interface (6) between the drain region (3) and the channel region(4).

公开(公告)号：DE112010003495B4

公开(公告)日：2013-12-12

申请号：DE112010003495

申请日：2010-08-30

Applicant: IBM

Inventor： KARG SIEGFRIED ,  BJOERK MIKAEL T ,  KNOCH JOACHIM ,  RIEL HEIKE ,  RIESS WALTER H ,  SOLOMON PAUL M

IPC: H01L29/68 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739

Abstract: Tunnelfeldeffekttransistor-Struktur mit einem indirekt induzierten Tunnelemitter, welcher das folgende umfasst: einen äußeren Mantel, welcher zumindest teilweise ein längliches Kernelement umgibt, wobei das längliche Kernelement aus einem ersten Halbleitermaterial gebildet ist; eine Isolatorschicht, welche zwischen dem äußeren Mantel und dem Kernelement angeordnet ist; wobei der äußere Mantel an einer Stelle angeordnet ist, die einer Source-Zone der Tunnelfeldeffekttransistor-Struktur entspricht; und einen Source-Kontakt, der den äußeren Mantel mit dem Kernelement kurzschließt; wobei der äußere Mantel so aufgebaut ist, dass er in die Source-Zone des Kernelements eine Ladungsträgerkonzentration einführt, die zum Tunneln in eine Kanalzone der Tunnelfeldeffekttransistor-Struktur während eines EIN-Zustands ausreicht.

公开(公告)号：GB2494565A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：GB201221842

申请日：2011-05-23

Applicant: IBM

Inventor： RIEL HEIKE E ,  SCHMID HEINZ ,  BJOERK MIKAEL T

IPC: C30B11/10 ,  C30B11/12 ,  C30B13/18 ,  C30B15/08 ,  H01L31/18

Abstract: A method for producing a mono-crystalline sheet (11), in particular a silicon sheet (11), comprises: providing at least two aperture elements (1, 2) forming a gap (3) in-between; providing a molten alloy (4) comprising silicon in the gap (3) between said at least two aperture elements (1, 2); providing a gaseous precursor medium (5) comprising silicon in the vicinity of the molten alloy (4); providing a silicon nucleation crystal (6) in the vicinity of the molten alloy (4); and bringing in contact said silicon nucleation crystal (6) and the molten alloy (4). A device (10, 20) for producing a mono-crystalline sheet (11), in particular a silicon sheet (11), comprises at least two aperture elements (1, 2) at a predetermined distance (D) from each other thereby forming a gap (3), and being adapted to be heated for holding a molten alloy (4) comprising silicon by surface tension in the gap (3) between the aperture elements (1,2 ); a means (15) for supplying a gaseous precursor medium (5) comprising silicon in the vicinity of the molten alloy (4); and a positioning means (16) for holding and moving a nucleation crystal (6) in the vicinity of the molten alloy (2).

公开(公告)号：GB2485495A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：GB201200880

申请日：2010-08-30

Applicant: IBM

Inventor： BJOERK MIKAEL T ,  KARG SIEGFRIED F ,  KNOCH JOACHIM ,  RIEL HEIKE E ,  RIESS WALTER H ,  SOLOMON PAUL M

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: An indirectly induced tunnel emitter for a tunneling field effect transistor (TFET) structure includes an outer sheath that at least partially surrounds an elongated core element, the elongated core element formed from a first semiconductor material; an insulator layer disposed between the outer sheath and the core element; the outer sheath disposed at a location corresponding to a source region of the TFET structure; and a source contact that shorts the outer sheath to the core element; wherein the outer sheath is configured to introduce a carrier concentration in the source region of the core element sufficient for tunneling into a channel region of the TFET structure during an on state.

公开(公告)号：GB2506558B

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：GB201400564

申请日：2012-06-19

Applicant: IBM

Inventor： MOSELUND KIRSTEN EMILIE ,  STANLEY-MARBELL PHILLIP ,  DOERING ANDREAS CHRISTIAN ,  BJOERK MIKAEL T

IPC: H01L29/739

Abstract: A tunnel field-effect transistor including at least: a source region including a corresponding source semiconductor material; a drain region including a corresponding drain semiconductor material, and a channel region including a corresponding channel semiconductor material, which is arranged between the source region and the drain region. The tunnel field-effect transistor further includes at least: a source-channel gate electrode provided on an interface between the source region and the channel region; an insulator corresponding to the source-channel gate electrode that is provided between the source-channel gate electrode and the interface between the source region and the channel region; a drain-channel gate electrode provided on an interface between the drain region and the channel region; and an insulator corresponding to the drain-channel gate electrode that is provided between the drain-channel gate electrode and the interface between the drain region and the channel region.