公开(公告)号：EP1754262A4

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：EP05856753

申请日：2005-05-24

Applicant: IBM ,  FORSCHUNGSZENTRUM JUELICH GMBH

Inventor： APPENZELLER JOERG ,  KNOCH JOACHIM

IPC: H01B1/04 ,  H01L21/4763 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/76 ,  H01L29/80 ,  H01L29/88 ,  H01L51/00 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/739 ,  H01L29/88 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0562 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/749 ,  Y10S977/755 ,  Y10S977/815 ,  Y10S977/855 ,  Y10S977/938

公开(公告)号：WO2006073477A3

公开(公告)日：2007-01-25

申请号：PCT/US2005018201

申请日：2005-05-24

Applicant: IBM ,  FORSCHUNGSZENTRUM JUELICH GMBH ,  APPENZELLER JOERG ,  KNOCH JOACHIM

Inventor： APPENZELLER JOERG ,  KNOCH JOACHIM

IPC: H01B1/04 ,  H01L21/4763 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/76 ,  H01L29/80 ,  H01L29/88 ,  H01L51/00 ,  H01L51/30

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/739 ,  H01L29/88 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0562 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/749 ,  Y10S977/755 ,  Y10S977/815 ,  Y10S977/855 ,  Y10S977/938

Abstract: A method of fabricating a tunneling nanotube field effect transistor includes forming in a nanotube (202) an n-doped region (220) an a p-doped region (224) which are separated by an undoped channel region (222) of the transistor. Electrical contacts (208), (210) an (212) are provided for the doped regions and a gate electrode (206) that is formed upon a gate dielectric layer (204) deposited on at least a portion of the channel region of the transistor.

Abstract translation: 一种制造隧道状纳米管场效应晶体管的方法包括在纳米管（202）中形成由掺杂晶体管的未掺杂沟道区（222）分离的p掺杂区（224）的n掺杂区（220）。 为掺杂区域提供电触点（208），（210）an（212）和形成在沉积在晶体管的沟道区域的至少一部分上的栅极介电层（204）上的栅电极（206） 。

公开(公告)号：DE112010003495B4

公开(公告)日：2013-12-12

申请号：DE112010003495

申请日：2010-08-30

Applicant: IBM

Inventor： KARG SIEGFRIED ,  BJOERK MIKAEL T ,  KNOCH JOACHIM ,  RIEL HEIKE ,  RIESS WALTER H ,  SOLOMON PAUL M

IPC: H01L29/68 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739

Abstract: Tunnelfeldeffekttransistor-Struktur mit einem indirekt induzierten Tunnelemitter, welcher das folgende umfasst: einen äußeren Mantel, welcher zumindest teilweise ein längliches Kernelement umgibt, wobei das längliche Kernelement aus einem ersten Halbleitermaterial gebildet ist; eine Isolatorschicht, welche zwischen dem äußeren Mantel und dem Kernelement angeordnet ist; wobei der äußere Mantel an einer Stelle angeordnet ist, die einer Source-Zone der Tunnelfeldeffekttransistor-Struktur entspricht; und einen Source-Kontakt, der den äußeren Mantel mit dem Kernelement kurzschließt; wobei der äußere Mantel so aufgebaut ist, dass er in die Source-Zone des Kernelements eine Ladungsträgerkonzentration einführt, die zum Tunneln in eine Kanalzone der Tunnelfeldeffekttransistor-Struktur während eines EIN-Zustands ausreicht.

公开(公告)号：GB2485495A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：GB201200880

申请日：2010-08-30

Applicant: IBM

Inventor： BJOERK MIKAEL T ,  KARG SIEGFRIED F ,  KNOCH JOACHIM ,  RIEL HEIKE E ,  RIESS WALTER H ,  SOLOMON PAUL M

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: An indirectly induced tunnel emitter for a tunneling field effect transistor (TFET) structure includes an outer sheath that at least partially surrounds an elongated core element, the elongated core element formed from a first semiconductor material; an insulator layer disposed between the outer sheath and the core element; the outer sheath disposed at a location corresponding to a source region of the TFET structure; and a source contact that shorts the outer sheath to the core element; wherein the outer sheath is configured to introduce a carrier concentration in the source region of the core element sufficient for tunneling into a channel region of the TFET structure during an on state.

公开(公告)号：GB2485495B

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：GB201200880

申请日：2010-08-30

Applicant: IBM

Inventor： BJOERK MIKAEL T ,  KARG SIEGFRIED FRIEDRICH ,  KNOCH JOACHIM ,  RIEL HEIKE E ,  RIESS WALTER H ,  SOLOMON PAUL M

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: An indirectly induced tunnel emitter for a tunneling field effect transistor (TFET) structure includes an outer sheath that at least partially surrounds an elongated core element, the elongated core element formed from a first semiconductor material; an insulator layer disposed between the outer sheath and the core element; the outer sheath disposed at a location corresponding to a source region of the TFET structure; and a source contact that shorts the outer sheath to the core element; wherein the outer sheath is configured to introduce a carrier concentration in the source region of the core element sufficient for tunneling into a channel region of the TFET structure during an on state.

公开(公告)号：DE112010003495T5

公开(公告)日：2012-09-20

申请号：DE112010003495

申请日：2010-08-30

Applicant: IBM

Inventor： KARG SIEGFRIED ,  BJOERK MIKAEL T ,  KNOCH JOACHIM ,  RIEL HEIKE ,  RIESS WALTER H ,  SOLOMON PAUL M

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: Ein indirekt induzierter Tunnelemitter für eine Tunnelfeldeffekttransistor(TFET)-Struktur umfasst einen äußeren Mantel, der zumindest teilweise ein längliches Kernelement umgibt, wobei das längliche Kernelement aus einem ersten Halbleitermaterial gebildet ist; eine Isolatorschicht, die zwischen dem äußeren Mantel und dem Kernelement angeordnet ist; wobei der äußere Mantel an einer Stelle angeordnet ist, die einer Source-Zone der TFET-Struktur entspricht; und einen Source-Kontakt, der den äußeren Mantel mit dem Kernelement kurzschließt; wobei der äußere Mantel so aufgebaut ist, dass er in die Source-Zone des Kernelements eine Ladungsträgerkonzentration einführt, die zum Tunneln in eine Kanalzone der TFET-Struktur während eines EIN-Zustands ausreicht.